3月30日，據(jù)臺灣媒體報道，原定于2021年第四季度試產(chǎn)，2022年量產(chǎn)的N4工藝，有設備供應商傳出，量產(chǎn)時間將提前至第四季度。并且首批產(chǎn)能將由蘋果完全包下，用于設計具備更高性能的MacBook系列產(chǎn)品。

N4工藝是臺積電5nm家族的最新成員，透過完全兼容的設計規(guī)則從N5進行直接轉(zhuǎn)移，從而提供更高的效能、功率及密度。臺積電希望這可以使得客戶能夠利用已經(jīng)充分發(fā)展的N5設計基礎假設，并從與N5相比極具競爭力的成本與效能優(yōu)勢中進行獲益。

有半導體從業(yè)者表示，除了4nm工藝以外，蘋果在下半年推出的iPhone 13系列新機，其搭載的A15芯片也計劃在5月底提前量產(chǎn)，將采用5nm工藝強化版。加上AMD、聯(lián)發(fā)科、高通等5nm新品在下半年集中投片，以及產(chǎn)能爆滿的7nm工藝，讓臺積電全年營收增幅可以達到或者超過15%。

回到臺積電的4nm工藝，其正式量產(chǎn)時間被提前至2021年第四季度，這意味著其試產(chǎn)時間或?qū)⒃诮衲甑牡诙径?。并且首批產(chǎn)能基本被蘋果吃下，按照蘋果產(chǎn)品時間表來看，首批搭載的設備將是新一代的MacBook系列產(chǎn)品。

當然除了蘋果以外，由于量產(chǎn)時間提前，因此第四季度蘋果并非唯一的買家。還有如高通的下一代旗艦SoC“驍龍895”（研發(fā)代號為Waipio）以及X65/X62 5G基帶，NVIDIA或AMD的最新產(chǎn)品等，都可能采用這一制程。

面對臺積電4nm的提前量產(chǎn)，有消息稱三星將取消這一中間制程，決定在5nm之后直接進行3nm GAAFET的研發(fā)生產(chǎn)。

不過臺積電的N3工藝也計劃將在明年亮相，按照臺積電的計劃，N3將在2021年試產(chǎn)，2022年下半年量產(chǎn)，并且N3工藝其邏輯密度將提高70%，效能提升15%，功耗則比N5降低30%。

與三星3nm工藝不同的是，臺積電的N3將繼續(xù)采用FinFET晶體管架構(gòu)，臺積電方面表示這其中有兩個重要的考量，一個是研發(fā)團隊發(fā)現(xiàn)有新的方式可以將FinFET性能提升到新的高度，另一個則是可以提供最佳的技術(shù)成熟度、效能及成本，擁有完整的平臺支持行動與HPC應用，讓3nm工藝盡快帶給客戶使用。

但近期也有消息傳出，臺積電的3nm進度不如預期，初期月產(chǎn)能僅為預期的一半左右，不過臺積電董事長劉德英在此前便公開表示，臺積電3nm制程依然按照計劃持續(xù)的推進當中，畢竟比預期要更超前一些。

當然，由于蘋果新機通常會在每年的3季度發(fā)布，這意味著臺積電3nm工藝想要趕上蘋果新機的發(fā)布計劃，就必須在2022年6月份左右完成量產(chǎn)，這對于臺積電而言將是一個挑戰(zhàn)。

無獨有偶，英特爾CEO Pat Gelsinger也在近期公布了英特爾IDM 2.0的計劃，將斥資200億美元建設新的晶圓廠。目前的主要工藝為10nm，而下一個工藝則是7nm。不過由于各種原因，英特爾的7nm已經(jīng)跳票到了2023年。

有趣的是，Anandtech的主編Ian Cutress在社交媒體上公布了一組數(shù)據(jù)，臺積電的5nm工藝密度是1.71億晶體管/mm2，3nm工藝可達2.9億晶體管/mm2，而英特爾的10nm工藝是1.01億晶體管/mm2，7nm節(jié)點可達2-2.5億晶體管/mm2。如果按最高水平來看，英特爾的7nm晶體管容量已經(jīng)接近臺積電的3nm，這也意味著性能上可能差距也并不是很大。當然這只是理論上而言，實際表現(xiàn)還需要看產(chǎn)品具體情況而定。

或許這也意味著，各家芯片制程標注的數(shù)據(jù)可能含有許多的水分，這也就解釋了為何三星的先進制程有時候與臺積電的落后制程做出來的產(chǎn)品相當。反過來想，或許這幾家代工廠的工藝差距并沒有想象中的那么大。