碳化硅具有高硬度、高脆性和低斷裂韌性等物理特性，因此其在工藝設(shè)計(jì)上有很多難點(diǎn)。相較于第一代半導(dǎo)體――硅，碳化硅的硬度非常大，其材料硬度為9.5，僅次于金剛石。這就意味著碳化硅的切割難度非常大，在做刻蝕、溝槽等工藝流程時(shí)難度很大。在磨削加工時(shí)也很容易引起材料脆性斷裂或產(chǎn)生嚴(yán)重表面損傷，影響加工的精度。如何攻克碳化硅技術(shù)難點(diǎn)對(duì)提高生產(chǎn)效率，減少成本有很大意義。

近年來(lái)，隨著國(guó)產(chǎn)化替代的呼聲越來(lái)越高，第三代半導(dǎo)體也迎來(lái)了發(fā)展熱潮。“十四五”規(guī)劃將第三代半導(dǎo)體納入國(guó)家集成電路行業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)方向，給予國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生態(tài)政策上的支持。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商紛紛加緊布局，試圖抓住機(jī)遇，擴(kuò)大影響力。

“基本半導(dǎo)體將繼續(xù)吸納優(yōu)秀人才，加大研發(fā)投入，完善產(chǎn)品體系，加速產(chǎn)業(yè)鏈布局，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)碳化硅器件在各行業(yè)的廣泛應(yīng)用?；景雽?dǎo)體將以更積極的發(fā)展戰(zhàn)略邁向新征程，全力打造行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅IDM企業(yè)。”基本半導(dǎo)總經(jīng)理和巍巍博士表示，基本半導(dǎo)體始終致力于推動(dòng)碳化硅（SiC）半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化替代，希望借助功率半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)出現(xiàn)的“彎道超車”機(jī)會(huì)努力發(fā)展，以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

深圳基本半導(dǎo)體作為中國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，擁有領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，涉及碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈，致力于碳化硅功率器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。公司產(chǎn)品包括碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET、車規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)器等，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、5G基站建設(shè)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

第一代半導(dǎo)體材料硅在轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)頻率和工作溫度等方面都有一定局限性，無(wú)法達(dá)到更高的要求。材料本身的瓶頸讓半導(dǎo)體行業(yè)不得不尋求新的材料以滿足更高的性能需求，碳化硅漸漸顯露出無(wú)法替代的優(yōu)勢(shì)。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，擁有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等物理特性，適用于高溫、高壓、高頻和大功率器件等領(lǐng)域。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2019年到2025年碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2562億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)30%。

圖：2019-2025功率碳化硅市場(chǎng)預(yù)測(cè)

基本半導(dǎo)體技術(shù)營(yíng)銷副總監(jiān)劉誠(chéng)在接受探索科技（TechSugar）采訪中提到，碳化硅具有高硬度、高脆性和低斷裂韌性等物理特性，因此其在工藝設(shè)計(jì)上有很多難點(diǎn)。相較于第一代半導(dǎo)體――硅，碳化硅的硬度非常大，其材料硬度為9.5，僅次于金剛石。這就意味著碳化硅的切割難度非常大，在做刻蝕、溝槽等工藝流程時(shí)難度很大。在磨削加工時(shí)也很容易引起材料脆性斷裂或產(chǎn)生嚴(yán)重表面損傷，影響加工的精度。如何攻克碳化硅技術(shù)難點(diǎn)對(duì)提高生產(chǎn)效率，減少成本有很大意義。這也是基本半導(dǎo)體一直以來(lái)的研發(fā)重點(diǎn)和方向。

隨著5G、新能源汽車的不斷發(fā)展，碳化硅功率器件的應(yīng)用也愈加廣泛。和燃油汽車相比，新能源汽車的核心部件從燃油發(fā)動(dòng)機(jī)變成了電動(dòng)機(jī)控制器。新能源汽車需求的體量很大，器件需求量持續(xù)增加，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈投入增大，產(chǎn)品的迭代更新加速，碳化硅材料的應(yīng)用推進(jìn)了半導(dǎo)體功率器件井噴式發(fā)展?！霸谀壳霸牧媳容^緊缺的狀態(tài)下，各個(gè)環(huán)節(jié)的工藝都很緊張，這點(diǎn)看來(lái)對(duì)整個(gè)行業(yè)的發(fā)展非常不利。但是對(duì)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，這卻是一個(gè)很好的機(jī)會(huì)?！眲⒄\(chéng)在采訪中表示。

基本半導(dǎo)體在深圳、北京、南京和日本均設(shè)有研發(fā)中心，擁有國(guó)際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。在2020年，基本半導(dǎo)體也積極布局國(guó)內(nèi)外生態(tài)，在深圳和南京均開工建設(shè)了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，主要進(jìn)行碳化硅外延片的工藝研發(fā)和制造。此外，位于日本的車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊研發(fā)中心也已開始運(yùn)營(yíng)?；景雽?dǎo)體一直以來(lái)不斷加強(qiáng)碳化硅器件的核心技術(shù)研發(fā)，拓展重點(diǎn)市場(chǎng)和制造基地建設(shè)，積極助力國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。

國(guó)產(chǎn)的功率半導(dǎo)體一直以來(lái)都處于低谷，受眾較少，很難走到舞臺(tái)最前端?；趪?guó)內(nèi)品牌長(zhǎng)期以來(lái)的表現(xiàn)無(wú)法達(dá)到關(guān)鍵應(yīng)用需求預(yù)期，業(yè)界對(duì)國(guó)產(chǎn)品牌信任度較低。然而近年來(lái)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的可靠性和可控性逐漸提高，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體發(fā)展前景持續(xù)向好。

借由慕尼黑電子展的平臺(tái)，基本半導(dǎo)體對(duì)未來(lái)市場(chǎng)走向做出積極展望。劉誠(chéng)表示：“作為國(guó)產(chǎn)企業(yè)，我們首先要踏踏實(shí)實(shí)做事，把產(chǎn)品做扎實(shí)穩(wěn)定了，然后再一步步去迭代更新。只要產(chǎn)品質(zhì)量有保障，客戶自然而然會(huì)使用我們的東西。這是一個(gè)相互的過程，但歸根結(jié)底是要先把自己的產(chǎn)品做好?！?/p>

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