chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

如何訪問NAND內(nèi)存芯片并從中讀取數(shù)據(jù)?

傳感器技術(shù) ? 來源:高速射頻百花潭 ? 作者:高速射頻百花潭 ? 2021-06-15 09:56 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

現(xiàn)在很多現(xiàn)代的NAND閃存設(shè)備都采用了一種新型的架構(gòu),將接口控制器和存儲芯片集成到一個(gè)普通的陶瓷層中。我們稱之為一體結(jié)構(gòu)封裝。

直到最近,所有的存儲卡,如SD、索尼的MemoryStick、MMC等,都包含了一個(gè)非常簡單的“經(jīng)典”結(jié)構(gòu),其中包含了獨(dú)立的部分——一個(gè)控制器、一個(gè)PCB和tsop48或LGA-52包中的NAND內(nèi)存芯片。

在這種情況下,恢復(fù)的整個(gè)過程非常簡單——我們只是解焊了內(nèi)存芯片,用PC-3000 FLASH直接讀取它,并與普通USB閃存驅(qū)動器做了同樣的準(zhǔn)備。

pYYBAGDICnWAdxuLAABgXckdPuE936.jpg

但是,如果我們的存儲卡或UFD設(shè)備是基于一體封裝架構(gòu)的,我們該怎么辦呢?如何訪問NAND內(nèi)存芯片并從中讀取數(shù)據(jù)?基本上,在這種情況下,我們應(yīng)該嘗試通過擦除涂層的陶瓷層,在我們的一體封裝裝置的底部找到特殊的技術(shù)引腳。

poYBAGDICm-ATqu4AABWGeaHzuw013.jpg

在開始處理一體FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)之前,我們應(yīng)該警告你,一體FLASH器件焊接的整個(gè)過程很復(fù)雜,需要良好的焊接技能和特殊設(shè)備。 如果您之前從未嘗試過焊接一體FLASH器件,那么最好在一些數(shù)據(jù)不重要的配件在設(shè)備上嘗試您的技能。 例如,您可以購買其中的幾個(gè),以測試您的準(zhǔn)備和焊接技能。您可以在下面找到必要設(shè)備清單:

一個(gè)好的光學(xué)顯微鏡,x2, x4, x8變焦;

USB烙鐵與非常薄的烙鐵頭,很尖的烙鐵頭;

雙面膠帶;

液體活性劑;

BGA助焊劑;

熱風(fēng)槍(例如- Lukey 702);

松香;

木制牙簽;

酒精(75%以上純度);

直徑0.1毫米的銅線,漆包線;

首飾級砂紙(1000、2000、2500末(數(shù)值越大,沙子越小);

BGA錫球?yàn)?.3 mm的;

鑷子;

鋒利的手術(shù)刀;

圖紙與引腳分配方案;

PC-3000 Flash 線路板適配器;

當(dāng)所有的設(shè)備都準(zhǔn)備好進(jìn)行焊接時(shí),我們就可以開始生產(chǎn)了。首先,我們使用我們的一體FLASH設(shè)備。在我們的例子中,它是小的microSD卡。我們需要用雙面膠把這張卡片固定在桌子上。之后,我們開始從底部擦掉陶瓷層。 這個(gè)操作需要一些時(shí)間,所以你應(yīng)該非常耐心和小心。 如果你損壞了引腳層,數(shù)據(jù)恢復(fù)將是不可能的!我們從粗砂紙(最大尺寸的砂)開始 – 1000或1200。當(dāng)?shù)谝淮蟛糠滞繉颖蝗コ龝r(shí),有必要將砂紙更換為較小的砂粒尺寸 – 2000。最后,當(dāng)觸點(diǎn)銅層變得可見時(shí),我們應(yīng)該使用最小的砂粒尺寸 – 2500。如果你正確地執(zhí)行所有的操作,最后你會得到這樣的東西:下一步是在我們的全球解決方案中心索引腳。要繼續(xù)使用整塊,我們需要焊接3組觸點(diǎn):

數(shù)據(jù)I / O觸點(diǎn): D0, D1, D2, D3, D4, D5, D6, D7;

指令觸點(diǎn): ALE, RE, R/B, CE, CLE, WE;

電源觸點(diǎn): VCC, GND.

pYYBAGDICmaALyywAABgXckdPuE939.jpg

首先,您需要選擇一體FLASH器件的類別(在我們的例子中為microSD卡),之后您必須選擇兼容的引腳排列(在我們的例子中為2型)。之后,我們應(yīng)該將microSD卡固定在電路板適配器上,以便更方便地焊接。在焊接之前打印出一體FLASH器件的引腳排列方案是個(gè)好主意。

你可以把這個(gè)方案放在你的旁邊,這樣當(dāng)你需要檢查引腳數(shù)組時(shí),它就在眼前。我們準(zhǔn)備開始焊接過程了! 確保工作站有足夠的光線!在小刷子的幫助下,將一些液體活性助焊劑滴在microSD引腳觸點(diǎn)上。在濕齒鎬的幫助下,我們應(yīng)將所有BGA錫球放置在引腳排列方案上標(biāo)記的銅引腳觸點(diǎn)上。

最好使用尺寸為觸點(diǎn)直徑約75%的BGA錫球。

液體助焊劑將幫助我們將BGA球固定在microSD卡表面上。當(dāng)所有的BGA錫球都放在引腳上時(shí),我們應(yīng)該使用烙鐵來熔化錫。

小心! 輕輕地執(zhí)行所有動作! 為了熔化,請用烙鐵頭輕輕觸碰BGA錫球。當(dāng)所有的BGA錫球都熔化后,你需要在觸點(diǎn)上放一些BGA助焊劑。使用熱風(fēng)槍,我們應(yīng)該加熱+ 200C的溫度我們的引腳。BGA助焊劑有助于在所有BGA觸點(diǎn)之間分配熱量并小心地熔化它們。

加熱后,所有觸點(diǎn)和BGA錫將采取半球形式?,F(xiàn)在我們應(yīng)該在酒精的幫助下去除所有的助焊劑痕跡。

您需要將它灑在microSD卡上,并用刷子清潔它。下一步是準(zhǔn)備銅線。

它們的長度應(yīng)相同(約5-7厘米)。

為了切割相同尺寸的電線,我們建議使用一張紙作為長度測量儀。之后,我們應(yīng)該借助手術(shù)刀從電線上去除隔離漆。

從兩側(cè)稍微劃傷它們。電線準(zhǔn)備的最后一個(gè)階段將是松香絲鍍錫的過程,以便更好地進(jìn)行焊接。現(xiàn)在我們準(zhǔn)備開始焊接電路到我們的電路板。

我們建議您從電路板的側(cè)面開始焊接,然后在顯微鏡的幫助下,繼續(xù)將電線的另一側(cè)焊接到單片器件上。最后,所有電線都焊接到電路板上,我們準(zhǔn)備開始使用顯微鏡將電線焊接到microSD卡上。這是最復(fù)雜的操作,需要很多耐心。

之后,開始焊接。對于右撇子,我們建議右手拿烙鐵,而左手拿鑷子用銅線。你的烙鐵應(yīng)該是干凈的!

不要忘記在焊接時(shí)不時(shí)清理它。當(dāng)所有觸點(diǎn)都焊接完畢后,確保沒有任何一個(gè)觸點(diǎn)連接到GND層!

所有的針腳必須非常緊固!現(xiàn)在我們準(zhǔn)備將我們的電路板連接到PC-3000FLASH,并開始讀取過程!

責(zé)任編輯:lq6

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    462

    文章

    53578

    瀏覽量

    459469
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1748

    瀏覽量

    140469

原文標(biāo)題:SD卡壞了,還能這樣進(jìn)行修復(fù) ?

文章出處:【微信號:WW_CGQJS,微信公眾號:傳感器技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    從NOR Flash到NAND Flash和SD NAND,從底層結(jié)構(gòu)到應(yīng)用差異

    結(jié)構(gòu) → 大容量、順序訪問友好   NAND 單元呈串聯(lián)結(jié)構(gòu),一次訪問必須經(jīng)過一條存儲鏈:   讀取方式是:讀取一頁(Page),再
    發(fā)表于 12-08 17:54

    內(nèi)存數(shù)據(jù)處理優(yōu)化藝術(shù)

    內(nèi)存訪問是程序運(yùn)行的瓶頸之一。減少內(nèi)存訪問次數(shù)可以顯著提高程序的運(yùn)行速度。 在C語言中,指針是直接操作內(nèi)存的利器。使用指針遍歷數(shù)組不僅代碼更
    發(fā)表于 11-14 07:46

    行業(yè)資訊 I 火爆的“內(nèi)存接口芯片

    大模型訓(xùn)練與推理需求的爆發(fā),點(diǎn)燃了AI數(shù)據(jù)中心的建設(shè)熱潮。AI服務(wù)器的需求增長不僅掀起了GPU/ASIC算力芯片、光模塊等組件的迭代狂潮,同時(shí)也推動了對更大容量、更高帶寬系統(tǒng)主內(nèi)存的需求。在此背景下
    的頭像 發(fā)表于 10-31 16:28 ?2723次閱讀
    行業(yè)資訊 I 火爆的“<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>接口<b class='flag-5'>芯片</b>”

    芯天下的Parallel NAND

    一、并行NAND閃存的基本概念 并行NAND閃存(Parallel NAND)是一種通過多條數(shù)據(jù)線同時(shí)傳輸多位數(shù)據(jù)的非易失性存儲
    的頭像 發(fā)表于 10-30 08:37 ?345次閱讀
    芯天下的Parallel <b class='flag-5'>NAND</b>

    NAND閃存芯片功能與應(yīng)用分析

    NAND閃存芯片是一種非易失性存儲技術(shù),廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點(diǎn)和應(yīng)用場景的詳細(xì)分析: 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲:以電信號形式長期保存數(shù)據(jù),斷電后
    的頭像 發(fā)表于 08-11 10:43 ?1237次閱讀

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    NAND 文章目錄 NAND 一、FLASH閃存是什么? 二、SD NAND Flash 三、STM32例程 一、FLASH閃存是什么? 簡介 FLASH閃存是屬于內(nèi)存器件的一種,“F
    發(fā)表于 07-03 14:33

    半導(dǎo)體存儲芯片核心解析

    記憶(存儲) 和 運(yùn)算(處理)。CPU(中央處理器)是大腦,負(fù)責(zé)高速運(yùn)算;但CPU處理的數(shù)據(jù)和指令需要臨時(shí)存放的地方,運(yùn)算結(jié)果也需要保存起來。存儲芯片就是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的“記憶倉庫”,負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的存放和
    發(fā)表于 06-24 09:09

    Nand flash 和SD卡(SD NAND)存儲扇區(qū)分配表異同

    時(shí),根據(jù)分配表中記錄的扇區(qū)位置信息,從相應(yīng)扇區(qū)讀取數(shù)據(jù)。同時(shí),驅(qū)動程序還需要負(fù)責(zé)處理 NAND Flash 的壞塊管理,將壞塊信息記錄在分配表或其他相關(guān)結(jié)構(gòu)中,避免在壞塊上進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲
    發(fā)表于 03-13 10:45

    電池電量計(jì)的通信、配置、數(shù)據(jù)內(nèi)存訪問以及相關(guān)代碼示例

    基礎(chǔ)電量計(jì)命令:電量計(jì)通過命令與主機(jī)控制器通信,命令類似寄存器,如讀取充電狀態(tài)的命令StateOfCharge(),其命令代碼為0x1C和0x1D 。命令分為標(biāo)準(zhǔn)命令(用于獲取測量結(jié)果和更改部分配置參數(shù))和擴(kuò)展命令(主要用于訪問數(shù)據(jù)
    發(fā)表于 03-11 15:45 ?0次下載

    STM32H743或者是STM32F767讀取NAND時(shí)候直接將數(shù)據(jù)存放到SDRAM中會出錯,請問NAND跟SDRAM不能同時(shí)訪問么?

    SDRAM和NAND都使能了,都能正常工作,但是讀取Nand數(shù)據(jù)然后存放到SDRAM中,發(fā)現(xiàn)SDRAM中的數(shù)據(jù)是錯誤的。但是將
    發(fā)表于 03-11 08:13

    DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

    TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告顯示,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。
    的頭像 發(fā)表于 02-08 16:41 ?892次閱讀

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

    問題,再也不用為SD卡的接觸穩(wěn)定性操心!   SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣,都是嵌入式系統(tǒng)中常見的用來存儲數(shù)據(jù)所使用的存儲
    發(fā)表于 01-15 18:15

    MX60LF8G18AC-XKI 3V, 8G-bit NAND Flash 存儲器 IC

    。 MX60LF8G18AC通常以 2,112 字節(jié)的頁面訪問,用于讀取和編程操作。 MX60LF8G18AC 數(shù)組由數(shù)千個(gè)塊組成,由 64 頁 (2,048+64) 字節(jié)組成,采用兩個(gè) NAND
    發(fā)表于 12-30 15:54

    如何使用內(nèi)存加速存儲訪問速度

    增長,這使得其中只能存放很少量的數(shù)據(jù)表項(xiàng)。而為了解決這一問題,現(xiàn)有工作使用部分主機(jī)端內(nèi)存(high performance booster, HPB)來緩存映射表項(xiàng)。然而文章中發(fā)現(xiàn),現(xiàn)有的HPB管理策略并不能夠很好的提升用戶體驗(yàn)。這是因?yàn)楝F(xiàn)有的管理策略通??赡軙⑶芭_應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 12-19 10:54 ?1074次閱讀
    如何使用<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>加速存儲<b class='flag-5'>訪問</b>速度

    【半導(dǎo)體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識

    。   NOR Flash 讀取速度更快,具備可在芯片內(nèi)執(zhí)行程序(XIP)的特點(diǎn),在傳輸效率、穩(wěn)定性和可靠性方面更具優(yōu)勢,通常用于小容量數(shù)據(jù)存儲,適宜中等容量代碼存儲(通常在 1Mb~1Gb),在計(jì)算機(jī)
    發(fā)表于 12-17 17:34