據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，北京賽微電子股份有限公司（簡稱：賽微電子）舉行投資者關(guān)系活動(dòng)，賽萊克斯北京首席科學(xué)家：陸原博士，公司董事、副總經(jīng)理、董事會(huì)秘書：張阿斌，公司證券事務(wù)助理：劉妍君參與接待與交流。

第一部分：上市公司帶領(lǐng)參觀北京MEMS產(chǎn)線基地；

上市公司介紹了賽微電子的發(fā)展歷程以及最新動(dòng)態(tài)，近年來，面向萬物互聯(lián)與人工智能時(shí)代，賽微電子已形成以半導(dǎo)體為核心的業(yè)務(wù)格局，MEMS、GaN成為公司前瞻性布局、分處不同發(fā)展階段、聚焦發(fā)展的戰(zhàn)略性業(yè)務(wù)。與此同時(shí)，公司圍繞相關(guān)產(chǎn)業(yè)開展投資活動(dòng)，服務(wù)主業(yè)。

基于業(yè)界頂級(jí)專家工程師團(tuán)隊(duì)、所掌握的成熟工藝以及持續(xù)擴(kuò)張的MEMS領(lǐng)域先進(jìn)的8英寸產(chǎn)能，賽微電子積極把握市場(chǎng)需求，為全球客戶提供高標(biāo)準(zhǔn)的MEMS芯片工藝開發(fā)及晶圓制造服務(wù)；

同時(shí)基于業(yè)界頂級(jí)技術(shù)團(tuán)隊(duì)及優(yōu)異的產(chǎn)品性能，積極快速地布局GaN產(chǎn)業(yè)鏈，面向新型電源、智能家電、通訊設(shè)備、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供GaN（氮化鎵）外延材料、GaN器件及配套應(yīng)用方案。賽微電子執(zhí)行長期發(fā)展戰(zhàn)略，致力于成為一家立足本土、國際化發(fā)展的知名半導(dǎo)體科技企業(yè)集團(tuán)。

第二部分： 上市公司解答提問， 主要提問及解答如下：

1、請(qǐng)問賽微電子的瑞典MEMS產(chǎn)線目前的產(chǎn)能情況？

答：自并購?fù)瓿珊蠊颈惴e極支持瑞典產(chǎn)線升級(jí)及持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)。瑞典產(chǎn)線在2017-2020年進(jìn)行了超過3億元人民幣的資本投入，2020年9月，瑞典原有6英寸產(chǎn)線（FAB1）升級(jí)切換成8英寸產(chǎn)線，原有8英寸產(chǎn)線（FAB2）亦已完成擴(kuò)產(chǎn)，合計(jì)MEMS晶圓產(chǎn)能提升至7000片/月的水平，產(chǎn)能在2019年末的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升了30%，且目前因重點(diǎn)客戶需求仍在持續(xù)進(jìn)行資本投入。

2、請(qǐng)問賽微電子的瑞典產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率和良率情況如何？未來是否有提升空間？

答：由于不同產(chǎn)品的高度差異化、定制化以及工藝復(fù)雜、代工難度較高，規(guī)模效應(yīng)的發(fā)揮需要一定的過程，MEMS芯片代工制造的產(chǎn)能利用率和良率一般低于傳統(tǒng)IC制造的水平，就目前情況來看，瑞典產(chǎn)線80+%的產(chǎn)能利用率以及70+%的良率已屬于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平，由于瑞典產(chǎn)線近年來進(jìn)行了大規(guī)模的升級(jí)擴(kuò)產(chǎn)，在此狀態(tài)下的產(chǎn)線潛力尚未完全發(fā)揮，隨著大規(guī)模升級(jí)擴(kuò)產(chǎn)工作的完成，生產(chǎn)逐步穩(wěn)定，瑞典產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率及良率在未來仍有繼續(xù)提升的空間。

3、請(qǐng)問賽微電子預(yù)計(jì)何時(shí)可以取得瑞典ISP的許可結(jié)果？

答：公司瑞典子公司Silex自2020年11月向瑞典ISP（戰(zhàn)略產(chǎn)品檢驗(yàn)局）提交許可申請(qǐng)后持續(xù)跟蹤動(dòng)態(tài)，此前預(yù)計(jì)可以在今年5月底前取得最終結(jié)果，但該時(shí)間屬于公司當(dāng)?shù)仡檰査峁┑膮⒖碱A(yù)計(jì)時(shí)間，并非瑞典ISP承諾的辦理完結(jié)時(shí)間，公司希望能夠盡快取得是否授予許可的最終結(jié)果，但目前仍需要繼續(xù)等待瑞典ISP的通知，由于是一國政府部門行為，需以其最終正式通知為準(zhǔn)。

公司北京FAB3與瑞典FAB1&2的技術(shù)與人員交流已進(jìn)行數(shù)年，F(xiàn)AB3自身也早已組建國際化工藝及制造工程師團(tuán)隊(duì)、投入大量工藝技術(shù)研發(fā)、并積極與戰(zhàn)略客戶開展技術(shù)合作，持續(xù)沉淀自主專利及工藝技術(shù)，F(xiàn)AB3的生產(chǎn)運(yùn)營不以瑞典ISP的許可為前提條件，但FAB1&2畢竟擁有20年的實(shí)踐積淀，該許可若通過則將為FAB3更好更快地運(yùn)營帶來諸多有利因素。

4、請(qǐng)問賽微電子的北京MEMS產(chǎn)線目前的客戶合作情況？以及瑞典MEMS 產(chǎn)線目前的客戶主要包括哪些？

答：2020年9月底，公司北京MEMS產(chǎn)線建成并達(dá)到投產(chǎn)條件，此后，北京MEMS產(chǎn)線結(jié)合內(nèi)部驗(yàn)證批晶圓的制造情況，持續(xù)調(diào)整優(yōu)化產(chǎn)線，與客戶開展產(chǎn)品驗(yàn)證，并繼續(xù)做好人員、技術(shù)、工藝、生產(chǎn)、保障等各方面的工作。自開始建設(shè)起，公司北京MEMS產(chǎn)線便與瑞典產(chǎn)線以及國內(nèi)潛在合作客戶開展技術(shù)與產(chǎn)品的預(yù)熱交流。

2021年6月10日，北京MEMS產(chǎn)線代工的首批MEMS麥克風(fēng)芯片通過客戶通用微（深圳）科技有限公司（GMEMS）的認(rèn)證，正式啟動(dòng)量產(chǎn)。此外，公司北京MEMS產(chǎn)線自建成通線以來積極與通信、消費(fèi)電子、工業(yè)汽車、生物醫(yī)療等領(lǐng)域客戶溝通具體需求、合作協(xié)議并推進(jìn)工藝及晶圓驗(yàn)證，且已經(jīng)與部分客戶簽署并逐步開始履行商業(yè)合同，因涉及商業(yè)機(jī)密及保密義務(wù)， 部分客戶的具體信息公司不便告知。

瑞典MEMS產(chǎn)線客戶主要包括通訊、生物醫(yī)療、工業(yè)汽車和消費(fèi)電子四大領(lǐng)域。根據(jù)過去幾年的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)，各領(lǐng)域的需求均在增長，但不同業(yè)務(wù)領(lǐng)域在不同時(shí)期可能會(huì)產(chǎn)生一些明顯的波動(dòng)因素，比如去年以來在全球范圍內(nèi)爆發(fā)的COVID-19疫情，就顯著刺激了下游生物醫(yī)療客戶的MEMS工藝開發(fā)及晶圓制造需求。

由于公司過去幾年的產(chǎn)能有限，因此公司的收入與訂單結(jié)構(gòu)并不能完全、準(zhǔn)確地反映市場(chǎng)需求。但總體來說各領(lǐng)域的需求均在增長，靜態(tài)看生物醫(yī)療、通訊領(lǐng)域的需求增長表現(xiàn)得更為明顯，動(dòng)態(tài)看我們看好各領(lǐng)域的未來需求。

5、請(qǐng)介紹賽微電子的北京MEMS代工產(chǎn)線的目前的產(chǎn)能情況，以及未來的產(chǎn)能計(jì)劃？

答：公司北京MEMS產(chǎn)線的建設(shè)總產(chǎn)能為3萬片/月，目前一期產(chǎn)能1萬片/月已建成，2020年Q4內(nèi)部調(diào)試，今年Q1開始晶圓驗(yàn)證，今年6月10日實(shí)現(xiàn)正式生產(chǎn)，今年下半年預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)50%的產(chǎn)能，即月產(chǎn)5000片晶圓，2022年實(shí)現(xiàn)一期100%的產(chǎn)能，即月產(chǎn)10，000片晶圓；

2023年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)1.5萬片晶圓，2024年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)2萬片晶圓，2025年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)2.5萬片晶圓，2026年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)3萬片晶圓。隨著北京產(chǎn)線工藝制造水平的逐漸成熟，若訂單及客戶需求的增長超出預(yù)期，則上述自2022年起的產(chǎn)能爬坡進(jìn)度有可能加快。

6、請(qǐng)問賽微電子在氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)方面的產(chǎn)能情況如何？氮化鎵業(yè)務(wù)的整體布局是如何考慮的？

答：在GaN外延片方面，公司已建成的6-8英寸GaN外延材料制造項(xiàng)目（一期）的產(chǎn)能為1萬片/年，目前已簽訂千萬級(jí)銷售合同并根據(jù)商業(yè)條款安排生產(chǎn)及交付。在GaN器件設(shè)計(jì)方面，產(chǎn)能主要受到供應(yīng)方制造商產(chǎn)能的限制，目前在技術(shù)、應(yīng)用及需求方面是沒問題的，關(guān)鍵在產(chǎn)能供應(yīng)端受限，在這方面公司也已對(duì)外簽訂了批量流片合同，努力緩解產(chǎn)能瓶頸問題。

另一方面，公司GaN業(yè)務(wù)子公司聚能創(chuàng)芯參股投資設(shè)立青州聚能國際半導(dǎo)體制造有限公司，目標(biāo)是在2021年內(nèi)建成GaN產(chǎn)線并做好投產(chǎn)準(zhǔn)備，以盡快推動(dòng)產(chǎn)能建設(shè)，完善IDM布局，進(jìn)一步形成自主可控、全本土化、可持續(xù)拓展的GaN材料、設(shè)計(jì)及制造能力。

7、請(qǐng)問賽微電子MEMS業(yè)務(wù)是否包括MEMS光學(xué)器件產(chǎn)品？以及公司如何看待該領(lǐng)域的未來發(fā)展？

答：賽微電子是一家擁有深厚技術(shù)積淀、服務(wù)能力全面的專業(yè)MEMS代工廠商，目前在瑞典斯德哥爾摩及中國北京均擁有8英寸MEMS代工產(chǎn)線。公司北京產(chǎn)線近日剛剛實(shí)現(xiàn)正式生產(chǎn)，但瑞典產(chǎn)線最早建立于2000年，掌握了硅通孔、晶圓鍵合、深反應(yīng)離子刻蝕等多項(xiàng)在業(yè)內(nèi)具備國際領(lǐng)先競爭力的工藝技術(shù)和工藝模塊。

擁有目前業(yè)界最先進(jìn)的硅通孔絕緣層工藝平臺(tái)（TSI），已有超過10年的量產(chǎn)歷史、生產(chǎn)過超過數(shù)十萬片晶圓、100多種不同的產(chǎn)品，技術(shù)可以推廣移植到2.5D和3D圓片級(jí)先進(jìn)封裝平臺(tái)；為全球廠商提供過400余項(xiàng) MEMS 芯片的工藝開發(fā)服務(wù)，為全球客戶代工生產(chǎn)了包括微鏡、微針、硅光子、芯片實(shí)驗(yàn)室、微熱輻射計(jì)、振蕩器、原子鐘、超聲、壓力傳感器、加速度計(jì)、陀螺儀、硅麥克風(fēng)、光學(xué)器件等在內(nèi)的多種MEMS產(chǎn)品。

MEMS是微電路和微機(jī)械按功能要求在芯片上的一種集成，基于光刻、腐蝕等傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)，融入超精密機(jī)械加工，并結(jié)合力學(xué)、化學(xué)、光學(xué)等學(xué)科和技術(shù)，使得一個(gè)毫米或微米級(jí)的MEMS具備精確而完整的機(jī)械、化學(xué)、光學(xué)等特性結(jié)構(gòu)。MOEMS（微光機(jī)電系統(tǒng)）結(jié)合了微機(jī)械與微光學(xué)，拓展了MEMS在光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用，MOEMS通常包含一個(gè)以上微機(jī)械元件，其有望在光通信、光顯示、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、自適應(yīng)光學(xué)及光學(xué)傳感等多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

光學(xué)器件是公司MEMS業(yè)務(wù)持續(xù)服務(wù)的領(lǐng)域，包括基于MEMS工藝結(jié)構(gòu)的微鏡、硅光子器件、光通信開關(guān)、光刻機(jī)透鏡系統(tǒng)、固態(tài)激光雷達(dá)反射鏡等，不同類別產(chǎn)品的工藝開發(fā)及晶圓制造技術(shù)難度、應(yīng)用及發(fā)展階段存在較大差異，但公司看好該等MEMS光學(xué)器件在未來的應(yīng)用及發(fā)展前景。

8、請(qǐng)問賽微電子如何看待MEMS先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)？公司在這方面有何技術(shù)儲(chǔ)備及方向？

答：MEMS封裝不同于IC封裝，在考慮封裝尺寸、性能、可靠性、成本的同時(shí)，還需要重視力學(xué)支撐、環(huán)境隔離、與外界環(huán)境的交互接口、應(yīng)力、隔離度、特殊信號(hào)引出、微結(jié)構(gòu)失效等因素。因此，MEMS封裝工藝比IC封裝更復(fù)雜，并呈現(xiàn)多樣化特征，封裝成本占比相對(duì)更高。

先進(jìn)封裝技術(shù)通過堆疊單芯片與其他元件并封裝在一個(gè)外殼里，可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體、MEMS和其他元器件的三維異質(zhì)/異構(gòu)集成，一方面能夠減少封裝面積，縮短MEMS與其他芯片之間的信號(hào)傳輸損耗，提高M(jìn)EMS器件的整體性能，另一方面能夠提高封裝效率，降低產(chǎn)品成本。先進(jìn)封裝技術(shù)包括系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP）、晶圓級(jí)封裝（WLP）、硅通孔（TSV）、三維芯片堆疊、2.5D 硅轉(zhuǎn)接板等。

公司在MEMS先進(jìn)封裝方面擬推進(jìn)研發(fā)分立器件的系統(tǒng)級(jí)集成封裝技術(shù)、多樣化TSV技術(shù)、扇出型晶圓級(jí)集成技術(shù)、多個(gè)異質(zhì)晶圓永久鍵合技術(shù)等多種晶圓級(jí)異質(zhì)異構(gòu)集成封裝技術(shù)。

9、請(qǐng)賽微電子簡要介紹“MEMS高頻通信器件制造工藝開發(fā)項(xiàng)目”中投入研發(fā)的微空腔同軸結(jié)構(gòu)技術(shù)以及晶圓級(jí)異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)。

答：微空腔同軸結(jié)構(gòu)技術(shù)是指在一個(gè)晶圓襯底上，用MEMS工藝方法，制造具有高傳輸頻率、低傳輸損耗、具有微小尺度的電連接同軸傳輸線技術(shù);該同軸傳輸線通過空氣實(shí)現(xiàn)絕緣隔離。該技術(shù)的目標(biāo)是探索如何實(shí)現(xiàn)超厚銅柱電鍍、絕緣材料的多次光刻等形成微空腔同軸傳輸結(jié)構(gòu); 并研發(fā)基于微同軸的高頻器件晶圓級(jí)集成，可用于制造微天線/陣列天線、功分器、射頻微波前端模塊等。

晶圓級(jí)異質(zhì)異構(gòu)集成是指，對(duì)包含多個(gè)功能單元的一個(gè)半導(dǎo)體器件（其結(jié)構(gòu)可不一樣，或襯底材質(zhì)不一樣，或襯底材質(zhì)和結(jié)構(gòu)都不一樣），在其整個(gè)制造過程（含芯片制造、集成多個(gè)芯片/功能單元、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)）中，都在晶圓狀態(tài)下完成的制造技術(shù)。該技術(shù)的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)高頻器件的晶圓級(jí)集成，控制高頻傳輸?shù)膿p耗與電磁噪音，實(shí)現(xiàn)不同襯底器件的晶圓鍵合，該技術(shù)既適用于IC器件制造，也適用于射頻微波模塊器件的制造以及高頻模塊器件的晶圓級(jí)電測(cè)等。

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