chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

研究人員生產(chǎn)出長度小于100納米的柔性原子薄型晶體管

NR8O_村田中 ? 來源:cnBeta ? 作者:cnBeta ? 2021-06-23 18:17 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

世界各地的科學(xué)家們多年來一直在進(jìn)行柔性電子學(xué)的研究。柔性電子學(xué)的目標(biāo)是創(chuàng)造出能夠移動(dòng)和彎曲而不會(huì)斷裂的設(shè)備,這可能被證明對可穿戴電子設(shè)備特別有用。斯坦福大學(xué)的研究人員現(xiàn)在已經(jīng)開發(fā)出一種制造技術(shù),能夠生產(chǎn)長度小于100納米的柔性原子薄型晶體管。

100納米比以前的技術(shù)所允許的值要小幾倍。該項(xiàng)目研究人員將他們的進(jìn)展稱為"柔性電子學(xué)"。柔性電子設(shè)備的前景包括可彎曲、可塑形,以及保持能源效率。柔性電路可用于可穿戴設(shè)備或植入人體以滿足健康相關(guān)需求。

柔性電路也有望對小型物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備非常有用。該團(tuán)隊(duì)必須克服的一個(gè)主要工程挑戰(zhàn)是在不使用對柔性塑料基材來說太高熱量的情況下形成薄而靈活的電子。在以前的生產(chǎn)方法中,柔性材料在生產(chǎn)過程中需要融化和分解。

該項(xiàng)目的研究人員開發(fā)了一種技術(shù),從不靈活的基本基材開始分步進(jìn)行。器件建立在一塊涂有玻璃的固體硅板上,在那里,二維半導(dǎo)體二硫化鉬的原子級(jí)薄膜被鋪在納米圖案的金電極上。由于該步驟是使用傳統(tǒng)的硅襯底進(jìn)行的,納米級(jí)晶體管可以使用現(xiàn)有的先進(jìn)圖案技術(shù)進(jìn)行圖案制作。

該團(tuán)隊(duì)可以實(shí)現(xiàn)在塑料襯底上不可能實(shí)現(xiàn)的分辨率。化學(xué)氣相沉積法可以將二硫化鉬的薄膜一次生長一層原子,得到的薄膜有三個(gè)原子厚。這個(gè)過程需要溫度達(dá)到1500華氏度以上才能發(fā)揮作用,而之前的柔性基材需要680華氏度左右的溫度,但在更高的溫度下會(huì)分解。

該團(tuán)隊(duì)完成了額外的制造步驟,最終得到的柔性晶體管的性能比用以前的方法生產(chǎn)的任何晶體管都要高幾倍。該團(tuán)隊(duì)認(rèn)為,整個(gè)電路可以建立并轉(zhuǎn)移到柔性材料上,但后續(xù)層的復(fù)雜情況使轉(zhuǎn)移后的額外步驟成為必要。總的來說,整個(gè)結(jié)構(gòu)有5微米厚,包括柔性聚酰胺,大約比人的頭發(fā)薄5倍。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    173

    文章

    6071

    瀏覽量

    177866
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    338

    文章

    30349

    瀏覽量

    261780
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10382

    瀏覽量

    147164

原文標(biāo)題:斯坦福大學(xué)生產(chǎn)出長度小于100納米的柔性原子薄型晶體管

文章出處:【微信號(hào):村田中文技術(shù)社區(qū),微信公眾號(hào):村田中文技術(shù)社區(qū)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    基于 onsemi NST856MTWFT 晶體管的通用放大器設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

    安森美NST856MTWFT PNP晶體管設(shè)計(jì)用于通用放大器應(yīng)用。這些晶體管采用緊湊DFN1010-3封裝,帶可濕性側(cè)翼,適用于汽車行業(yè)。NST856MTWFT晶體管 無鉛、無鹵/無
    的頭像 發(fā)表于 11-26 13:45 ?528次閱讀
    基于 onsemi NST856MTWFT <b class='flag-5'>晶體管</b>的通用放大器設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

    ?基于NSS1001CL低壓飽和壓降晶體管的技術(shù)解析與應(yīng)用設(shè)計(jì)

    安森美NSS100xCL通用低VCE(sat)晶體管是高性能雙極結(jié)晶體管,設(shè)計(jì)用于汽車和其他要求苛刻的應(yīng)用。安森美NSS100xCL
    的頭像 發(fā)表于 11-25 11:26 ?380次閱讀

    多值電場電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通
    發(fā)表于 09-15 15:31

    晶體管架構(gòu)的演變過程

    芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢?
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?2150次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>架構(gòu)的演變過程

    下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    工藝的持續(xù)發(fā)展提供了新的方向。 根據(jù)imec的一篇最新論文,imec的研究人員引入了一種名為“外壁叉片”(outer wall forksheet)的新型晶體管布局,預(yù)計(jì)該布局將從A10代(1納米
    發(fā)表于 06-20 10:40

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝

    現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來的幾年里,隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步,器件的溝道長度小于 10nm。在這么短的距離內(nèi),為使器件能夠工作,將采用非常高的摻雜濃度梯度。
    的頭像 發(fā)表于 06-18 11:43 ?1114次閱讀
    無結(jié)場效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>器件結(jié)構(gòu)與工藝

    2SC5200音頻配對功率PNP晶體管

    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對功率PNP晶體管,原裝現(xiàn)貨 2SC5200是一款PNP晶體管,2SA1943的補(bǔ)充
    發(fā)表于 06-05 10:24

    薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

    導(dǎo)語薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件,通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 09:51 ?2656次閱讀
    薄膜<b class='flag-5'>晶體管</b>技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)場效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1233次閱讀
    無結(jié)場效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    多值電場電壓選擇晶體管#微電子

    晶體管
    jf_67773122
    發(fā)布于 :2025年04月17日 01:40:24

    多值電場電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜,有沒有一種簡單且有效的器件實(shí)現(xiàn)
    發(fā)表于 04-16 16:42 ?2次下載

    多值電場電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下) [日 鈴木雅臣]

    本書主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨電路的設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋行op放大器的設(shè)計(jì)與制作
    發(fā)表于 03-07 13:55

    晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

    這本書介紹了晶體管的基本特性,單電路的設(shè)計(jì)與制作, 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作,3~5電路的設(shè)計(jì)與制作,6以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書中具體內(nèi)容有:直流工作解析,交流工作解析,接地形式,單
    發(fā)表于 02-26 19:55