Q1：

關(guān)于IC類的可靠性測試，對于電性數(shù)據(jù)的測試項目，有沒有標(biāo)準(zhǔn)定義呢？那對于量產(chǎn)測試項目，有標(biāo)準(zhǔn)定義嗎？datasheet 中的測試項目又是來自哪里呢，經(jīng)驗/客戶要求…，這個地方是否有標(biāo)準(zhǔn)定義呢？

Answer：

通常用量產(chǎn)測試的FT程序?？煽啃詼y試后的FT程序，通常是QA程序。對于NAND來講，可能還要包含高低溫的測試。車規(guī)電子需要高低溫測試，消費類不需要。

根據(jù)datasheet來，測試項盡量全部cover，不能cover的要知道原因。具體產(chǎn)品具體分析，比如LDO，它的一些關(guān)鍵參數(shù)必須要測的：PSRR、load regulation、line regulation、IQ等等。再比如RF產(chǎn)品、LNA類，量產(chǎn)只測一些S參數(shù)。它的Noise Figure這些就不會加入量產(chǎn)，因為環(huán)境干擾影響比較大經(jīng)常測不準(zhǔn)。

Q2：

哪位有車規(guī)芯片的可靠性要求相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，中英文都行，自己公司執(zhí)行的部分章節(jié)也可以？

Answer：

可以參考AEC-Q100 FAILURE MECHANISM BASED STRESS TEST QUALIFICATION FOR INTEGRATED CIRCUITS。網(wǎng)址：http://www.aecouncil.com./AECDocuments.html。

Q3：

請問有什么辦法可以對芯片開路點進(jìn)行定位嗎？

Answer：

簡單封裝可以逐級剝離，測量。逐個排除法，從封裝到die，針對分析，問題本身就是開放性問題，一般是從封裝開始尋找，樣品多可以封裝和die probe一起開始分析，確認(rèn)是die還是封裝的問題。如果是die表現(xiàn)出open，一般封測廠是無從下手的，這個只能退回fab來檢查。

Q4：

做SAT發(fā)現(xiàn)芯片有分層了，不管分層多少是不是都屬于不良品，封裝有問題了？芯片是已經(jīng)過SMT焊到PCB上了，成品到客戶后，上電半小時后故障，對芯片做SAT發(fā)現(xiàn)有分層。但是芯片本身還沒有完全壞。

Answer：

MSL等級認(rèn)證并非不容許分層。大致標(biāo)準(zhǔn)為：分層總面積不超過封裝體面積的10%，且在關(guān)鍵打線區(qū)域沒有分層。至于soaking時間、precon工藝不對等，另作別論。

這是有jedec考核標(biāo)準(zhǔn)的，條件判據(jù)都是公認(rèn)的。問原廠要pkg-qual報告，沒必要過多猜測。懷疑就重做。并非當(dāng)初考核批過了，生產(chǎn)就無異常?；蛘吣靡蓡柵降谌綄嶒炇野?，比如季豐電子。

Q5：

單顆芯片疊加做ESD試驗，500v后測試通過，1000v后測試通過，1500v后測試fail。請問做完500v和1000v后對1500v的試驗結(jié)果有影響嗎？

Answer：

有越打越強壯的現(xiàn)象，建議每個電壓單獨打。個人理解：ESD連續(xù)實驗，是要考驗產(chǎn)品esd能力還是通過esd等級：如果摸底考驗?zāi)芰?，連續(xù)打可以，如果是為了過等級，需要參照標(biāo)準(zhǔn)來執(zhí)行不然會吃虧；不太會是像 anneal那樣，越打越強壯吧？每次打esd你判斷是否能通過只是用iv不是功能測試，這種情況下有可能產(chǎn)品早就有一些潛在的問題，最后實在扛不住了，達(dá)到iv能夠測試出來的能力了；另外有些產(chǎn)品會有ESD window ，舉例來說過了1000結(jié)果沒過500。

Q6：

有什么國產(chǎn)的硅片分選機(jī)推薦？指8寸晶圓，可以在線分選，主要就是外觀瑕疵，電阻率，厚度、TTV，BOW，particle等？

Answer：

這些項目應(yīng)該是做wafer substrate的廠商的出廠檢驗OQC的項目，國產(chǎn)wafer substrate的廠商有滬硅產(chǎn)業(yè)、中環(huán)半導(dǎo)體等，可以打聽一下。

Q7：

precon 做哪些測試？

Answer：

實驗順序：SAT，Bake，Soak，Reflow，SAT。其中Reflow的溫度大小要根據(jù)測試樣品的封裝大小來定。溫度的峰值持續(xù)時間參考JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，J-STD-020E。

precondition就是模擬產(chǎn)品上班前所能經(jīng)歷的環(huán)境測試，從庫房保存（溫濕度）開始，經(jīng)過運輸（溫度循環(huán)）， 吸收濕氣（MSL），然后上板（過回流焊）。前后都用超聲來檢測是否有分層。

Q8：

芯片框架表C掃分層，有很多黑色的，是什么原因？

Answer：

可能是塑封體表面沾污的雜質(zhì)或者檢查一下SAT機(jī)臺的鏡頭有無沾污。還有這個是sonoscan的機(jī)臺做的SAT，請調(diào)節(jié)下trigger，這個黑點可能與這個參數(shù)有關(guān)。

Q9：

ESD測試后，發(fā)現(xiàn)Drain to Poly這里有損傷，請教此處損傷機(jī)理是什么？HBM，Gate和Drain端壓差太大嗎？

Answer：

靜電擊穿了。如果這個現(xiàn)象可以復(fù)現(xiàn)，可以再測試1顆，若還是同樣的管腳失效，那么可以找設(shè)計部門一起看下，看看這個管腳的ESD保護(hù)電路機(jī)制，有沒有什么缺陷?；蛘咦鱿耇LP，看下這個管腳的實際耐壓值。

Q10：

經(jīng)常聽說分層delamination ， 這里怎么理解分層，物理現(xiàn)象是啥？是物理損傷嗎？

Answer：

物理現(xiàn)象就是分層，在芯片process中會有很多層film，層間分層，有可能是stress引起，或者其他原因。

Q11：

Leadframe是封裝廠定制吧？

Answer：

FC基本是定制的，除非剛好有一些可以套上去的芯片pad layout。

Q12：

EOS包含哪些可能的方面？過壓，過流，大信號輸入？FA里最常見的就是unknown EOS。EOS的說法掩蓋了設(shè)計、封裝、材料、工藝的問題，感覺是行業(yè)里的規(guī)則。

Answer：

這個主要是從系統(tǒng)級引申出來的，表現(xiàn)在芯片上就是燒壞了。芯片自身設(shè)計問題也會引起EOS，比如系統(tǒng)級設(shè)計芯片沒有poe復(fù)位，啟動階段芯片會有短時間處于時序不受控狀態(tài)，也會造成EOS。但大部分會系統(tǒng)級設(shè)計和應(yīng)用以及使用環(huán)境相關(guān)。EOS的介紹，可以參考JEDEC上的魚骨圖，直接去JEDEC官網(wǎng)搜索EOS就可以找到，或者參考下圖。

Q13：

球做完reflow變成了這樣，會是什么原因？球表面并沒有compound，目前切片沒發(fā)現(xiàn)void。

Answer：

Solder bump的話，有可能風(fēng)大了，也有可能速度快了。

編輯：jq