接下來接著看12N50數(shù)據(jù)手冊。

上面這個參數(shù)是MOSFET的熱阻，RBJC 表示MOS管結(jié)溫到表面的熱阻，這里我們知道RBJC=0.75。熱阻的計算公式：，其中，Tj表示MOSFET的結(jié)溫，最大能承受150℃

Tc表示MOSFET的表面溫度。

通過上面公式可以計算一下，表面溫度在25℃的情況下，管子能承受的功率：，P=166W。

數(shù)據(jù)手冊上給到的數(shù)據(jù)來看，當(dāng)Tc=25℃時，MOSFET的功率可以達(dá)到165W，是符合剛才的計算的，這里的誤差是正常的，廠家在數(shù)據(jù)手冊上寫的數(shù)據(jù)也是通過這個計算出來的。

我們要知道，熱阻越大，結(jié)溫和表面頂部溫度的溫差就越大，也就是說，熱阻越大里面的溫度散熱沒有那么快。這里指的是沒有加散熱片的熱阻，如果實際板子上加了散熱片，熱阻也會變小。

一般數(shù)據(jù)手冊給到的電氣參數(shù)都是在環(huán)境溫度25℃條件下測試的。

BVDSS：漏源之間的雪崩電壓。測試條件：Vgs=0V，ID=250uA。給DS端不斷加電壓，此時ID漏電流會增大，當(dāng)ID達(dá)到250uA時，此時的DS電壓即為雪崩擊穿電壓。這里的雪崩擊穿電壓最小值是500V.

VGS(th)：閾值電壓。測試條件：VDS=VGS，ID=250uA。不斷提高VGS電壓同時也提高VDS電壓，此時看ID電流的變化，如果ID達(dá)到250uA時，此時的VGS電壓就是MOSFET的閾值開啟電壓了。最小值是3V，最大值是5V。離散性太大，可以不用太關(guān)心這個數(shù)據(jù)。

IDSS：漏極漏電流。測試條件：VDS=500V，VGS=0V。泄露電流隨溫度增加而增大，漏電流也會造成功耗，P=IDSS*VDS，一般忽略不記。

IGSS：柵極漏電流。測試條件：VGS=±30V，VDS=0V。

RDS(ON)：導(dǎo)通電阻。測試條件：VGS=10V，ID=5.75A。通常ID都是最大電流的一半，測到的DS之間的導(dǎo)通電阻。

gfs：正向跨導(dǎo)。測試條件：VDS=30V，ID=5.75A。數(shù)字越大，頻率響應(yīng)越高。

Qg：總柵極充電電荷量。這個大小直接決定了開關(guān)速度。如果讓管子開通，柵極電壓肯定上升，電壓的上升需要Qg這么大的電荷量。電荷量越大，表示開通的時間就越長。這個數(shù)據(jù)越大，表示MOSFET內(nèi)部并聯(lián)的就多。那么，對于高壓的管子來說，Qg肯定就??；低壓的管子，Qg肯定就大。同時，Qg越大，Rdson肯定就越小；Qg越小，Rdson越大。

Ciss：輸入電容，Cgs+Cgd。影響MOSFET的開關(guān)時間，數(shù)據(jù)越大，開關(guān)越慢，開關(guān)損耗就越大，但是EMI特性就越好，反之亦然。

Crss：反向傳輸電容（也叫米勒電容），Cgd。影響的是，當(dāng)漏極有異常高的電壓時，通過Cgd傳輸?shù)組OSFET的柵極能量的大小。比如在做雷擊測試時，會有一定的影響。對關(guān)斷稍微有影響。

Coss：輸出電容，Cgd+Cds。對關(guān)斷稍微有影響。

td(on)：開通延時時間。是漏極到源極開通延時的時間。

tr：上升時間。是漏源電流的上升時間。

實際上，上面這些參數(shù)都是與時間相互關(guān)聯(lián)的參數(shù)，那么開關(guān)速度越快，對應(yīng)的有點是開關(guān)損耗小，效率高，溫升低。對應(yīng)的缺點是EMI特性不好，MOSFET的關(guān)斷尖峰過高，這是由于MOSFET關(guān)斷瞬間的體二極管有反向恢復(fù)時間。

Is：漏源最大電流。在選型時，需要注意實際工作溫度對它的影響。

VSD：源極到漏極的正向?qū)▔航?。這個電壓越高，表示體二極管的續(xù)流損耗就越大。

trr：體二極管反向恢復(fù)時間。

Qrr：體二極管反向恢復(fù)充電電量。與充電時間成正比的，越小越好。

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