(文/程文智)PCIM Asia自2002年進(jìn)入中國市場后,到今年已經(jīng)有20年了,以前該展會(huì)都是在上海舉辦,今年首次來到了深圳。一直以來,這個(gè)展會(huì)的規(guī)模都不算大,但是比較聚焦,電力電子行業(yè)的頭部企業(yè)基本都在,比如英飛凌、羅姆、三菱電機(jī)、塞米控、富士電機(jī)、東芝、日立、中國中車等。
既然來到了深圳,<電子發(fā)燒友>豈能錯(cuò)過。今天我們就來聊一聊逛展的一些感受。
SiC產(chǎn)品成焦點(diǎn),但普及之路還比較遠(yuǎn)
在展會(huì)上,不少企業(yè)都帶來了SiC相關(guān)的產(chǎn)品和技術(shù),比如英飛凌、三菱電機(jī)、羅姆、東芝、中國中車、比亞迪半導(dǎo)體、PI、派恩杰半導(dǎo)體等廠商都展示了其最新的SiC產(chǎn)品。
其中碳化硅SBD產(chǎn)品大部分廠商都已經(jīng)量產(chǎn),而且不少廠商推出了大功率器件SiC混合模塊,將SiC SBD芯片與IGBT芯片集成在了一起,這樣可以利用SiC SBD芯片的快速反向恢復(fù)和低損耗的特性,增強(qiáng)IGBT的性能,同時(shí)降低模塊的大小。
<電子發(fā)燒友>在展會(huì)上看到東芝和英飛凌都推出SiC混合模塊產(chǎn)品,據(jù)展臺(tái)人員介紹,該類產(chǎn)品已經(jīng)在電力機(jī)車方面有使用。不過業(yè)內(nèi)人士也透露,此類產(chǎn)品在國內(nèi)的推廣效果并不理想,因?yàn)閲鴥?nèi)廠商對(duì)這種折衷方案并不是太認(rèn)可,國內(nèi)廠商更希望要么是最新進(jìn)的方案,要么是成本更低的方案,因此,SiC混合模塊只能作為是一個(gè)過渡型產(chǎn)品來推廣,未來應(yīng)該會(huì)過渡到SiC MOSFET上去。

圖:東芝展示的不同額定電壓的SiC MOSFET產(chǎn)品(來源:程文智拍攝)
展會(huì)上,我們看到了不少展商展出的全SiC MOSFET產(chǎn)品,比如東芝的3300V,800A雙管碳化硅MOSFET模塊,后續(xù)還會(huì)開發(fā)1700V和1200V的相關(guān)產(chǎn)品。

圖:三菱電機(jī)展示的全SiC高壓MOSFET產(chǎn)品
三菱電機(jī)也展示了其3300V的SiC MOSFET產(chǎn)品和解決方案,據(jù)介紹他們的3300V全SiC高壓MOSFET已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn),6500V的產(chǎn)品也正在開發(fā)當(dāng)中。

圖:英飛凌展示的SiC相關(guān)產(chǎn)品
英飛凌則展示了IM828-XCC SiC IPM特性的8千瓦電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)板、1200V CoolSiC碳化硅MOSFET雙脈沖評(píng)估平臺(tái)、1700V SiC MOSFET 62W輔助電源評(píng)估板、650V/1200V CoolSiC MOSFET以及 IM828XCCXKMA1智能功率模塊SiC IPM等多種SiC相關(guān)產(chǎn)品和解決方案。
雖然SiC產(chǎn)品推出的不少,但其實(shí)目前市場的響應(yīng)還不太熱烈。SiC SBD產(chǎn)品目前的市場接受度勉強(qiáng)還行,因?yàn)橛捎谑褂玫娜嗽絹碓蕉?,成本能夠做到普通MOSFET產(chǎn)品的3倍左右。而對(duì)于全SiC MOSFET而言,目前真正使用得還不多,因?yàn)槌杀敬_實(shí)太高。
有業(yè)內(nèi)人士向<電子發(fā)燒友>透露,SiC MOSFET產(chǎn)品的真正使用其實(shí)是在特斯拉Model 3使用之后,現(xiàn)在隨著用量的增加,成本有所降低,但離市場的預(yù)期還有一定的距離。市場對(duì)全SiC MOSFET的價(jià)格接受度在IGBT或MOSFET模塊價(jià)格的5倍左右,而現(xiàn)在全SiC MOSFET的價(jià)格是后者的10倍以上。
成本偏高的原因,一是SiC本身的特性,它本身的硬度比較大,切割不容易,目前一塊4英寸的晶圓大概只能切割出50片左右的SiC MOSET。現(xiàn)在SiC的產(chǎn)線普遍在4寸和6寸,8寸的產(chǎn)線現(xiàn)在還不多。
二是SiC MOSFET產(chǎn)品的良率目前普遍不高,良率不高成本自然就難降下來。
歐美廠商人氣旺,國內(nèi)企業(yè)參展數(shù)增多
本次展會(huì)上人氣最旺的展商莫過于英飛凌,他們展示的產(chǎn)品和解決方案也多,其次是日本的歐姆,三菱電機(jī)等,他們是電力電子行業(yè)的老玩家,擁有的產(chǎn)品線也足夠豐富,客戶也多。很多人都愿意去看他們的新產(chǎn)品和新技術(shù)。
但今年跟往年不同的是國內(nèi)的參展企業(yè)變得更多了。據(jù)一些參展商介紹,他們參展多年,以前除了中國中車這類國有不差錢的企業(yè),很少見到國內(nèi)電力電子企業(yè)參展,但這幾年國內(nèi)的參展企業(yè)明顯增多了。

比如比亞迪半導(dǎo)體就展示了其IGBT和SiC產(chǎn)品,他們家的SiC產(chǎn)品目前只供自身車輛,計(jì)劃明年可向其他企業(yè)供貨。
還有宏微科技、賽晶科技、麗晶美能、愛微、青銅劍技術(shù)、蘇州華太、派恩杰等國內(nèi)企業(yè)也展示了其IGBT和SiC相關(guān)產(chǎn)品。
電力電子發(fā)展趨勢
從各家展示的產(chǎn)品和解決方案可以看出,電力電子技術(shù)在往高頻化、高效率、智能化和低成本方向發(fā)展。其中高頻化不僅可以讓電力電子器件本身的體積更小,還可以減少磁性元件,讓磁性元件的體積更小,從而使整體系統(tǒng)的體積變小;高效率就是要提升能源的利用效率,減少排放,同時(shí)更有利于設(shè)備的散熱優(yōu)化;智能化方面,是因?yàn)橐院笏械奈锲范伎赡軙?huì)連接在一起,組成龐大的物聯(lián)網(wǎng)絡(luò),那么能源的數(shù)字化定然是未來趨勢;除了這些,低成本也是很重要的,只有降低系統(tǒng)的成本,才能增加企業(yè)的競爭力。
既然來到了深圳,<電子發(fā)燒友>豈能錯(cuò)過。今天我們就來聊一聊逛展的一些感受。
SiC產(chǎn)品成焦點(diǎn),但普及之路還比較遠(yuǎn)
在展會(huì)上,不少企業(yè)都帶來了SiC相關(guān)的產(chǎn)品和技術(shù),比如英飛凌、三菱電機(jī)、羅姆、東芝、中國中車、比亞迪半導(dǎo)體、PI、派恩杰半導(dǎo)體等廠商都展示了其最新的SiC產(chǎn)品。
其中碳化硅SBD產(chǎn)品大部分廠商都已經(jīng)量產(chǎn),而且不少廠商推出了大功率器件SiC混合模塊,將SiC SBD芯片與IGBT芯片集成在了一起,這樣可以利用SiC SBD芯片的快速反向恢復(fù)和低損耗的特性,增強(qiáng)IGBT的性能,同時(shí)降低模塊的大小。
<電子發(fā)燒友>在展會(huì)上看到東芝和英飛凌都推出SiC混合模塊產(chǎn)品,據(jù)展臺(tái)人員介紹,該類產(chǎn)品已經(jīng)在電力機(jī)車方面有使用。不過業(yè)內(nèi)人士也透露,此類產(chǎn)品在國內(nèi)的推廣效果并不理想,因?yàn)閲鴥?nèi)廠商對(duì)這種折衷方案并不是太認(rèn)可,國內(nèi)廠商更希望要么是最新進(jìn)的方案,要么是成本更低的方案,因此,SiC混合模塊只能作為是一個(gè)過渡型產(chǎn)品來推廣,未來應(yīng)該會(huì)過渡到SiC MOSFET上去。

圖:東芝展示的不同額定電壓的SiC MOSFET產(chǎn)品(來源:程文智拍攝)
展會(huì)上,我們看到了不少展商展出的全SiC MOSFET產(chǎn)品,比如東芝的3300V,800A雙管碳化硅MOSFET模塊,后續(xù)還會(huì)開發(fā)1700V和1200V的相關(guān)產(chǎn)品。

圖:三菱電機(jī)展示的全SiC高壓MOSFET產(chǎn)品
三菱電機(jī)也展示了其3300V的SiC MOSFET產(chǎn)品和解決方案,據(jù)介紹他們的3300V全SiC高壓MOSFET已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn),6500V的產(chǎn)品也正在開發(fā)當(dāng)中。

圖:英飛凌展示的SiC相關(guān)產(chǎn)品
英飛凌則展示了IM828-XCC SiC IPM特性的8千瓦電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)板、1200V CoolSiC碳化硅MOSFET雙脈沖評(píng)估平臺(tái)、1700V SiC MOSFET 62W輔助電源評(píng)估板、650V/1200V CoolSiC MOSFET以及 IM828XCCXKMA1智能功率模塊SiC IPM等多種SiC相關(guān)產(chǎn)品和解決方案。
雖然SiC產(chǎn)品推出的不少,但其實(shí)目前市場的響應(yīng)還不太熱烈。SiC SBD產(chǎn)品目前的市場接受度勉強(qiáng)還行,因?yàn)橛捎谑褂玫娜嗽絹碓蕉?,成本能夠做到普通MOSFET產(chǎn)品的3倍左右。而對(duì)于全SiC MOSFET而言,目前真正使用得還不多,因?yàn)槌杀敬_實(shí)太高。
有業(yè)內(nèi)人士向<電子發(fā)燒友>透露,SiC MOSFET產(chǎn)品的真正使用其實(shí)是在特斯拉Model 3使用之后,現(xiàn)在隨著用量的增加,成本有所降低,但離市場的預(yù)期還有一定的距離。市場對(duì)全SiC MOSFET的價(jià)格接受度在IGBT或MOSFET模塊價(jià)格的5倍左右,而現(xiàn)在全SiC MOSFET的價(jià)格是后者的10倍以上。
成本偏高的原因,一是SiC本身的特性,它本身的硬度比較大,切割不容易,目前一塊4英寸的晶圓大概只能切割出50片左右的SiC MOSET。現(xiàn)在SiC的產(chǎn)線普遍在4寸和6寸,8寸的產(chǎn)線現(xiàn)在還不多。
二是SiC MOSFET產(chǎn)品的良率目前普遍不高,良率不高成本自然就難降下來。
歐美廠商人氣旺,國內(nèi)企業(yè)參展數(shù)增多
本次展會(huì)上人氣最旺的展商莫過于英飛凌,他們展示的產(chǎn)品和解決方案也多,其次是日本的歐姆,三菱電機(jī)等,他們是電力電子行業(yè)的老玩家,擁有的產(chǎn)品線也足夠豐富,客戶也多。很多人都愿意去看他們的新產(chǎn)品和新技術(shù)。
但今年跟往年不同的是國內(nèi)的參展企業(yè)變得更多了。據(jù)一些參展商介紹,他們參展多年,以前除了中國中車這類國有不差錢的企業(yè),很少見到國內(nèi)電力電子企業(yè)參展,但這幾年國內(nèi)的參展企業(yè)明顯增多了。

比如比亞迪半導(dǎo)體就展示了其IGBT和SiC產(chǎn)品,他們家的SiC產(chǎn)品目前只供自身車輛,計(jì)劃明年可向其他企業(yè)供貨。
還有宏微科技、賽晶科技、麗晶美能、愛微、青銅劍技術(shù)、蘇州華太、派恩杰等國內(nèi)企業(yè)也展示了其IGBT和SiC相關(guān)產(chǎn)品。
電力電子發(fā)展趨勢
從各家展示的產(chǎn)品和解決方案可以看出,電力電子技術(shù)在往高頻化、高效率、智能化和低成本方向發(fā)展。其中高頻化不僅可以讓電力電子器件本身的體積更小,還可以減少磁性元件,讓磁性元件的體積更小,從而使整體系統(tǒng)的體積變小;高效率就是要提升能源的利用效率,減少排放,同時(shí)更有利于設(shè)備的散熱優(yōu)化;智能化方面,是因?yàn)橐院笏械奈锲范伎赡軙?huì)連接在一起,組成龐大的物聯(lián)網(wǎng)絡(luò),那么能源的數(shù)字化定然是未來趨勢;除了這些,低成本也是很重要的,只有降低系統(tǒng)的成本,才能增加企業(yè)的競爭力。
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