電子發(fā)燒友網報道（文、李誠）氮化鎵和碳化硅一樣，不斷地挑戰(zhàn)著硅基材料的物理極限，多用于電力電子、微波射頻領域，在電力電子的應用中，氮化鎵的禁帶寬度是硅基材料的3倍，同時反向擊穿電壓是硅基材料的10倍，與同等電壓等級的硅基材料相比，氮化硅的導通電阻更低，電源開關損耗也更低，電能的轉換效率也有所提升。在微波射頻領域，由于氮化鎵在電場下具有較高的電子速度，因此電流密度較高，加之氮化鎵又具有耐高壓的特性。因此，在微波射頻領域中使用氮化鎵對RF功率的輸出有著巨大的優(yōu)勢。

氮化鎵在消費類電子領域的優(yōu)勢尤為突出，憑借著氮化鎵耐高壓、轉換率高、導通損耗小的特點迅速占領了消費類電子的快充市場。今年10月，氮化鎵快充市場迎來了一位重磅玩家，蘋果發(fā)布了首款氮化鎵PD 140W的電源適配器，可見氮化鎵對快充的重要性。10月26日，據TrendForce預計，至2025年GaN 在整體快充領域的市場滲透率將達到 52%。

納微半導體

納微是一家專注于氮化鎵功率芯片開發(fā)的企業(yè)，僅憑單一的品類迅速在氮化鎵功率器件領域迅速立足，打響了產品的知名度。納微用了7年時間，迅速將一個初創(chuàng)公司打造成了市值10億美元的上市企業(yè)。憑借其高性能的芯片，以及嚴格的產品生產質量把控，截至今年11月，納微氮化鎵功率芯片出貨量已達3500萬顆以上，產品失效率和不良率均為0，同時還占領了全球氮化鎵芯片市場30%以上的出貨量。

近日，納微發(fā)布了一款采用了GaNSense技術的氮化鎵功率芯片。本次發(fā)布的新品是將電路感知技術加入到氮化鎵功率芯片中，是業(yè)界內首款集成了智能感知技術的氮化鎵功率芯片。通過傳感器與芯片的融合，讓電路的保護功能也朝著智能化發(fā)展，保證了系統(tǒng)的安全與穩(wěn)定。

納微的GaNSense技術類似于汽車的BMS系統(tǒng)，就是對系統(tǒng)電流、溫度等數(shù)據精準、快速的實時監(jiān)控，當芯片通過數(shù)據監(jiān)測，發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)有潛在風險時，芯片會快速進入關斷狀態(tài)，保護了芯片的同時還保護了外圍電路，避免對系統(tǒng)造成不可逆轉的損害，進而降低了電路調試的成本，也保證了成品設備的使用安全性。值得一提的是通過納微的GaNSense技術，可以做到實時無損的電流感知，該技術目前正處于專利申請階段。

使用了GaNSense技術的氮化鎵芯片在功耗方面，系統(tǒng)能耗與早期產品相比，節(jié)能效果提升了10%。通過智能感應技術，芯片能夠根據實際情況，自由切換工作模式與空閑模式，并降低空閑模式的待機功耗。

在系統(tǒng)保護方面，通過GaNSense技術，對電流、電壓檢測的速度提升了50%，且降低了50%的尖峰電流。同時，可實現(xiàn)30ns內完成系統(tǒng)檢測和系統(tǒng)保護的操作，與傳統(tǒng)氮化鎵的保護響應速度相比提升了6倍。

在產品方面，納微推出了多個基于新一代GaNSense技術不同型號的氮化鎵功率芯片，這些芯片內部都集成了氮化鎵的驅動器，簡化了PCB的布局。產品的電壓等級主要集中在650V和800V，芯片的開關導通電阻在120mΩ至450mΩ之間，較低的開關導通電阻，降低了系統(tǒng)的開關損耗。納微新一代氮化鎵芯片提供了HFQR、ACF、PFC三種電路拓撲方式，可滿足不同輸出功率應用的需求，提升產品的覆蓋率。

鎵未來科技

鎵未來，是一家成立僅有一年的氮化鎵器件開發(fā)企業(yè)，致力于為終端廠商提供30W至10kW氮化鎵解決方案。該公司的氮化鎵器件的特色，是在于將傳統(tǒng)硅基器件的易用性和氮化鎵高頻、高效、低損耗的特點結合起來，從而提高產品的功率密度。

在消費類電子方面，如今，PD3.1協(xié)議和Type-C標準已經發(fā)布，消費類電子的電源適配器輸出功率已經提升至240W，作為新勢力的鎵未來也緊跟市場發(fā)展的動向，發(fā)布并量產可應用于輸出功率為240W電源適配器的氮化鎵功率器件G1N65R150xx系列，可實現(xiàn)最高95.9%轉換效率。

鎵未來G1N65R150xx系列功率器件，最大的亮點在于僅有150mΩ的開關導通電阻，開關導通電阻的阻值對于開關電源來說意義重大，開關導通阻值越大，系統(tǒng)損耗也越大，系統(tǒng)效率自然會有所降低。鎵未來150mΩ的氮化鎵功率器件，領先了業(yè)內很多產品，大幅的降低了系統(tǒng)的導通損耗，從而提高電源的輸出功率。

為降低系統(tǒng)導通損耗，鎵未來通過獨有的工藝技術，為G1N65R150xx系列產品的動態(tài)電阻進行了優(yōu)化，產品在25℃至150℃的溫升實驗中，產品的動態(tài)導通電阻變化僅提升了50%。避免了因長時間處于運行狀態(tài)，導通電阻過高，系統(tǒng)導通損耗過大，系統(tǒng)效率降低的問題。

由于該器件內部并未集成驅動器，所以，鎵未來在進行產品設計時就已經考慮到了驅動芯片電壓兼容的問題。目前，氮化鎵驅動芯片的驅動電壓覆蓋范圍較寬，有幾伏至十多伏不等。鎵未來為提升產品與其他驅動芯片的適配性，將柵極耐壓值調至20V，從而降低了驅動芯片的使用的局限性。

結語

氮化鎵功率器件憑借高頻、高效等特性，在開關電源行業(yè)備受追捧，也成為了消費類電子電源行業(yè)主要的發(fā)展方向。如今，很多氮化鎵晶圓廠商也在不斷提高晶圓的制造良率，增設產線，在不久的未來，氮化鎵的價格很有可能會大幅下降，從而讓氮化鎵快充的價格更容易的被百姓所接受。