Q1

對于MSL3預(yù)處理之后復(fù)測fail的產(chǎn)品，如果開帽看到有燒點，一般情況下，下一步應(yīng)該分析什么？

A

如果這個樣品在MSL之前是Pass的樣品，不應(yīng)該是Assembly引起的問題。再者decap后就看到有die表面的burn mark，這個很有可能是MSL后FT造成的EOS，如果無損分析都沒有發(fā)現(xiàn)異常，產(chǎn)品可靠性應(yīng)該沒有問題，是測試環(huán)境的問題。

Q2

正常開封芯片，之前未做任何實驗。聲掃結(jié)果如上，中間大面積上色部分是有空洞么？

A

開封導(dǎo)致的塑封料厚度不均。

Q3

這個socket蓋子，最高耐溫是多少？

A

測試溫度范圍為-55到150℃。

Q4

做DFN工藝需要有個BD圖，那么CSP工藝有類似的圖嗎？

A

CSP需要GDS及shot map，封測廠會根據(jù)以上圖紙出POD及mask layout，差不多類似于BE圖。

Q5

芯片三點彎折應(yīng)變的計算公式是什么

A

參考如下：

參考文獻：gbt232-2010彎曲實驗方法（1）

Q6

GaAs、Si晶圓、框架的有效期有多久？如果過期，還想用的話需要進行哪些驗證。驗證后還能延期多久

A

Si晶圓有效期沒有限制，只要保存條件合適，5年都可以。

Q7

這種空洞會是ESD問題導(dǎo)致的嗎？這顆芯片測試經(jīng)常由于漏電或者short出現(xiàn)燒傷。

A

工藝缺陷，Dep不能附著在金屬壁；偶發(fā)問題，可以忽略，對良率不會有影響，WAT 數(shù)據(jù)很難抓不到。參考SLB標準，沒有每一條試驗（環(huán)境、應(yīng)力）都有嚴絲合縫對應(yīng)的標準，都要做落地的調(diào)整，根本上還是要參考美軍標、JESD、 IEC。

Q8

在晶圓階段做的可靠性試驗有哪些？有沒有哪個文件有這樣的規(guī)定呢？

A

JESD JEP001

Q9

國產(chǎn)固晶機做的比較好的有哪些？

A

X-ray檢測：DA801/DA1201

Q10

請教遇到過PCBA板卡級高低溫循環(huán)試驗的嗎？想問下這個實驗的目的和參考標準？

A

PTC測試中遇到了PCBA板卡級高低溫循環(huán)試驗，測試的是芯片，測試的方法是用PCBA板子。這個實驗的目的是測試芯片在溫度變化的情況下芯片工作狀態(tài)是否穩(wěn)定，因此，芯片是需要帶電工作在一定功率下的。實驗的難點是：

1.如何配置芯片，讓芯片工作在一一定功率范圍內(nèi)。這個項目是用StrongBoard-40 推送JTAG Pattern到DUT芯片實現(xiàn)的。

2. 如何監(jiān)控DUT芯片是否穩(wěn)定的在工作，這個項目使用StrongBoard-40檢測JTAG的TDO腳是否正常輸出，用MonitorMaster監(jiān)控每一路電壓電流是否在正常范圍內(nèi)。

3. 如何準確的設(shè)置上下電順序、階梯上下電，這個項目使用全自動電源控制軟件PowerMaster來配置電源。

Q11

元素上的L和K都代表啥意思， 然后在SEM中可以看的到二維電子氣嗎？

A

關(guān)于K，L，M， N 只是元素的原子核外的電子軌道，從原子核外外依次是K， L， M， N.。。。。。軌道，每個軌道的電子數(shù)目是2n*n。https://baike.baidu.com/item/edx/16780962？fr=aladdin

掃描電子顯微鏡能看到二維電子氣，結(jié)構(gòu)概念圖如下：

Q12

聲掃掃到的這種貌似很多雜質(zhì)的圖片，是設(shè)備哪項參數(shù)沒調(diào)好，還樣品有問題？

A

解析度的問題，或者是噪音引起的。聲音很容易受周圍感染，看圖片用的是sonoscan機臺，應(yīng)調(diào)節(jié)trigger再掃。

編輯：jq