芯片最新消息三星
由于全球芯片的短缺，英特爾、臺(tái)積電以及三星都受到了不小的影響。三星內(nèi)部多位高管的職位出現(xiàn)變動(dòng)，并且任命了新的CEO，還合并了移動(dòng)和消費(fèi)電子部門，將以后的重點(diǎn)業(yè)務(wù)放在邏輯芯片上面。
據(jù)媒體的最新報(bào)道稱，受到疫情和芯片短缺的影響，三星已經(jīng)無法生產(chǎn)出更多的智能手機(jī)，為了應(yīng)對(duì)即將到來的2022年，三星已經(jīng)開始大量囤積芯片，防止出現(xiàn)缺貨危機(jī)。
除了以上變動(dòng)以外，三星計(jì)劃在在德克薩斯州泰勒投資一家超過170億美元的半導(dǎo)體制造工廠，計(jì)劃在2030年前成為全球最大的芯片代工制造商。
審核編輯：陳翠
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
53866瀏覽量
463159 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15894瀏覽量
182968
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold
2025年12月2日，三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold，進(jìn)一步鞏固了三星在移動(dòng)AI時(shí)代中針對(duì)形態(tài)創(chuàng)新的行業(yè)優(yōu)勢(shì)。
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
三星手機(jī)無線充電器搭載美芯晟無線充電發(fā)射端芯片MT5820
三星手機(jī)無線充電器搭載美芯晟無線充電發(fā)射端芯片MT5820
三星最新消息：三星將在美國(guó)工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 三星和海力士不會(huì)被征收100%關(guān)稅
給大家?guī)?b class='flag-5'>三星的最新消息： 三星將在美國(guó)工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子公司將在美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
我們來看看三星的最新消息： 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱，三星Exynos 2600
看點(diǎn)：三星電子Q2利潤(rùn)預(yù)計(jì)重挫39% 星動(dòng)紀(jì)元宣布完成近5億元A輪融資
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星電子Q2利潤(rùn)預(yù)計(jì)重挫39% 由于三星向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片延遲，三星預(yù)計(jì)將公布4-6月營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.3萬億韓元（約46.2億美元；
外媒稱三星與英飛凌/恩智浦達(dá)成合作，共同研發(fā)下一代汽車芯片
據(jù)外媒 SAMMobile 報(bào)道，三星已與英飛凌（Infineon）和恩智浦（NXP）達(dá)成合作，共同研發(fā)下一代汽車芯片解決方案。 據(jù)悉， 此次合作將基于三星的 5 納米工藝 ，重點(diǎn)是“優(yōu)化內(nèi)存
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
詳細(xì)解讀三星的先進(jìn)封裝技術(shù)
集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試三大領(lǐng)域。其中，芯片制造是集成電路產(chǎn)業(yè)門檻最高的行業(yè)，目前在高端芯片的制造上也只剩下臺(tái)積電
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
三星辟謠晶圓廠暫停中國(guó)業(yè)務(wù)
對(duì)于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國(guó)業(yè)務(wù)，三星下場(chǎng)辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號(hào)發(fā)文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國(guó)部分公司新項(xiàng)目合作”的說法屬誤傳，
三星貼片電容封裝與體積大小對(duì)照詳解
在現(xiàn)代電子制造業(yè)中，貼片電容作為電子元件的重要組成部分，其封裝形式與體積大小對(duì)于電路板的布局、性能及生產(chǎn)效率具有重要影響。三星作為全球知名的電子元器件供應(yīng)商，其貼片電容產(chǎn)品系列豐富，封裝多樣，滿足了
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4
三星電容的耐壓與容量，如何滿足不同電路需求？
三星電容的耐壓與容量是滿足不同電路需求的關(guān)鍵因素。以下是對(duì)三星電容耐壓與容量的詳細(xì)分析，以及如何根據(jù)電路需求進(jìn)行選擇的方法： 一、三星電容的耐壓值識(shí)別與選擇 1、耐壓值的概念 ：電容長(zhǎng)期可靠地工作
三星推出抗量子芯片 正在準(zhǔn)備發(fā)貨
三星半導(dǎo)體部門宣布已成功開發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片，目前正積極準(zhǔn)備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門設(shè)計(jì)用以保護(hù)移動(dòng)設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，用以抵御量子計(jì)算可能帶來的安全威脅。 據(jù)悉，三星
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論