本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化。 硅晶圓減薄與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術(shù)
發(fā)表于 08-12 10:35
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晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個關(guān)鍵工藝步驟,分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及
發(fā)表于 07-15 15:00
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在半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過程中,精確調(diào)控材料的電阻率是實(shí)現(xiàn)器件功能的關(guān)鍵,而原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入正是達(dá)成這一目標(biāo)的核心技術(shù)手段。下面將從專業(yè)視角詳細(xì)解析這三種技術(shù)的
發(fā)表于 07-02 10:17
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在半導(dǎo)體制造向納米級精度持續(xù)突破的進(jìn)程中,精密傳感器已成為設(shè)備性能的“神經(jīng)末梢”。作為工業(yè)傳感領(lǐng)域的代表品牌,明治的傳感器憑借在極端工況下的穩(wěn)定性與測量精度,深度嵌入半導(dǎo)體三大核心設(shè)備——晶圓
發(fā)表于 06-17 07:33
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“減薄”,也叫 Back Grinding(BG),是將晶圓(Wafer)背面研磨至目標(biāo)厚度的工藝步驟。這個過程通常發(fā)生在芯片完成前端電路制造、被切割前(即晶圓仍然整體時),是連接芯片制造和封裝之間的橋梁。
發(fā)表于 05-30 10:38
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前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中,晶圓需要具備足夠的厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍,但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行,直至芯片前制程
發(fā)表于 05-16 16:58
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半導(dǎo)體的典型封裝工藝流程包括芯片減薄、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去飛邊毛刺、切筋成型、上焊錫、打碼、外觀檢查、成品測試和包裝出庫,涵蓋了前段(FOL)、中段(EOL)、電
發(fā)表于 05-08 15:15
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半導(dǎo)體清洗SC1是一種基于氨水(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和去離子水(H?O)的化學(xué)清洗工藝,主要用于去除硅片表面的有機(jī)物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比
發(fā)表于 04-28 17:22
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。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章
發(fā)表于 04-15 13:52
華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中,通過化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材
發(fā)表于 03-12 17:02
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特性,使其在特殊工業(yè)場景中表現(xiàn)出色。以下是華林科納半導(dǎo)體對其的詳細(xì)解析: 一、PTFE隔膜泵的結(jié)構(gòu)與工作原理 結(jié)構(gòu) :主要由PTFE隔膜、驅(qū)動機(jī)構(gòu)(氣動、電動或液壓)、泵腔、進(jìn)出口閥門
發(fā)表于 03-06 17:24
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。 ? 2,grinding :將硅片背面研磨,減薄到適宜厚度,采用機(jī)械拋光的方法 ? 3,Si etch:在背面減薄之后,
發(fā)表于 02-12 09:33
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碳化硅(SiC)作為一種高性能半導(dǎo)體材料,因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率,在電力電子、微電子、光電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在SiC器件的制造過程中,碳化硅片的減薄是一個重要環(huán)
發(fā)表于 01-06 14:51
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芯片濕法蝕刻工藝是一種在半導(dǎo)體制造中使用的關(guān)鍵技術(shù),主要用于通過化學(xué)溶液去除硅片上不需要的材料。 基本概念 濕法蝕刻是一種將
發(fā)表于 12-27 11:12
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什么是刻蝕?刻蝕是指通過物理或化學(xué)方法對材料進(jìn)行選擇性的去除,從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻是半導(dǎo)體制造及微納加工工藝中相當(dāng)重要的步
發(fā)表于 12-20 16:03
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