芯片濕法蝕刻工藝是一種在半導體制造中使用的關鍵技術，主要用于通過化學溶液去除硅片上不需要的材料。

基本概念

濕法蝕刻是一種將硅片浸入特定的化學溶液中以去除不需要材料的工藝，廣泛應用于半導體器件如芯片、傳感器和光電器件的制造過程中。

與干法蝕刻相比，濕法蝕刻通常具有較低的設備成本和較高的生產(chǎn)效率，適合大規(guī)模生產(chǎn)。

化學原理

基于化學反應的選擇性，不同材料在特定化學溶液中的溶解速率不同，從而實現(xiàn)對目標材料的精確去除。

常用的濕法蝕刻溶液包括氫氟酸（HF）、硝酸（HNO3）、磷酸（H3PO4）等。這些溶液的選擇和配比直接影響到蝕刻效果和工藝的穩(wěn)定性。

工藝流程

預處理：清洗硅片，去除表面的污染物和氧化層。

涂覆光刻膠：在硅片表面涂覆一層光刻膠，用于保護不需要被蝕刻的部分。

曝光顯影：通過光刻技術將所需的圖案轉移到光刻膠上。

蝕刻過程：將硅片浸入蝕刻液中，未被光刻膠保護的部分將被化學溶液蝕刻掉。

清洗烘干：蝕刻完成后，去除殘留的光刻膠和蝕刻液，然后進行清洗和烘干。

各向同性與各向異性

各向同性蝕刻在所有方向上均勻進行，產(chǎn)生圓形橫截面特征。

各向異性蝕刻在某些方向上優(yōu)先進行，從而形成由平坦且輪廓分明的表面勾勒出的溝槽或空腔。

審核編輯 黃宇