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GE專注于航空醫(yī)療和能源等行業(yè)_富士電機擴容分立IGBT XS系列產(chǎn)品線

姚小熊27 ? 來源:GE.富士電機 ? 作者:GE.富士電機 ? 2022-03-17 09:31 ? 次閱讀
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GE專注于航空醫(yī)療和能源等行業(yè)

2021年11月9日,波士頓——GE宣布,計劃通過以下方式分別組建三家行業(yè)領先的全球上市公司,專注于航空、醫(yī)療和能源等增長型行業(yè):

計劃免稅拆分GE醫(yī)療,在 2023 年初成立一家以精準醫(yī)療為核心業(yè)務的公司,GE預計將保留19.9%的股份;

將現(xiàn)有GE發(fā)電、GE可再生能源和GE數(shù)字集團三大業(yè)務合并,計劃在2024年初免稅拆分,組建以引領能源轉(zhuǎn)型為核心業(yè)務的公司

完成這些交易后,GE將轉(zhuǎn)型成為一家以航空為核心業(yè)務的公司,聚焦打造未來航空

作為獨立運營公司,上述業(yè)務公司將憑借更有利的市場定位以及下列優(yōu)勢實現(xiàn)長期增長,為客戶、投資者和員工創(chuàng)造價值:

以更加聚焦的運營,更專注負責的態(tài)度,以及更強大的靈活度,滿足客戶需求;

基于不同行業(yè)的發(fā)展特點和戰(zhàn)略,打造量身定制的資本配置方案;

憑借更加靈活的商業(yè)和財務戰(zhàn)略,尋求增長良機;

組建具備深厚領域?qū)I(yè)知識的專職董事會;

為員工提供面向業(yè)務與行業(yè)的職業(yè)發(fā)展機會和獎勵措施;

憑借獨特鮮明且令人信服的投資組合,吸引更廣泛、更深厚的投資者群體

GE董事長兼首席執(zhí)行官拉里·卡爾普表示:“在GE,我們?yōu)樽约骸邮澜缣魬?zhàn),驅(qū)動高效未來’的GE使命而深感自豪。世界需要并值得我們盡己所能,解決航空、醫(yī)療和能源等領域所面臨的最嚴峻挑戰(zhàn)。通過組建三家引領行業(yè)趨勢的全球性上市企業(yè),每個獨立公司都將受益于更聚焦的業(yè)務領域、更定制化的資本配置和更靈活的戰(zhàn)略,從而為客戶、投資者以及員工創(chuàng)造長期增長潛力和價值。我們將繼續(xù)發(fā)揮所在領域的技術專長、領導力和全球影響力以更好地為我們的客戶服務?!?/p>

拉里·卡爾普表示:“GE在今天迎來了決定性的時刻。對此,我們已經(jīng)做好了準備。我們在改善財務狀況和強化運營方面以及收獲了顯著的成效,與此同時,我們不斷深化專注于持續(xù)改進的精益管理文化。我們將繼續(xù)前行,不斷減少負債,提高運營業(yè)績以及戰(zhàn)略性地部署資本,以推動長期營利性增長。我們還要快馬揚鞭,打造未來航空,實現(xiàn)精準醫(yī)療,引領能源轉(zhuǎn)型。我們所建立起來的發(fā)展勢頭,使我們有能力在GE的轉(zhuǎn)型中邁出這激動人心的一步,并充分發(fā)揮我們每個業(yè)務的潛能。

富士電機擴容分立IGBT XS系列產(chǎn)品線

富士電機株式會社(總部位于日本東京,總裁北澤通宏)很高興宣布在其分立IGBT*1 XS系列產(chǎn)品線中增加了額定電壓為1200 V的產(chǎn)品,可提供行業(yè)前沿的低損耗。

*隨著世界離實現(xiàn)低碳化社會越來越近,人們對在社會和工業(yè)基礎設施中進一步節(jié)能充滿期待。功率半導體器件是在例如不間斷電源(UPS)、功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)(PCS)和電動汽車(EV)充電器等電力電子設備*2中進行功率轉(zhuǎn)換和功率控制的關鍵設備。UPS對于因數(shù)字革命而不斷擴大投資的數(shù)據(jù)中心的穩(wěn)定運行必不可少,而PCS對于可再生能源發(fā)電設施必不可少,EV充電器則支持EV充電基礎設施。功率半導體器件的作用是在電路中以重復的短時間增量進行開關(打開和關閉電源),以控制電壓,并在直流和交流之間進行切換。

富士電機的分立IGBT XS系列可降低開關過程中的功率損耗(開關損耗)和電流在電路中流動時的功率損耗(穩(wěn)態(tài)損耗),有助于節(jié)省其配備產(chǎn)品的功率。除了現(xiàn)有的額定電壓為650V的產(chǎn)品外,本公司已經(jīng)開始出售一種新型的額定功率為1200V的產(chǎn)品,以適應各種容量波段的設備,包括幾十kVA的UPS。他們希望擴容的產(chǎn)品線將有助于客戶設備的設計。預計到2023年,配備這些產(chǎn)品的工業(yè)設備的市場將從目前的600億日元增長到700億日元*3,并將在全球范圍內(nèi)擴容,尤其是在需求旺盛的中國和中國臺灣。

該XS系列產(chǎn)品配備了富士電機最新的第7代IGBT,擁有該行業(yè)內(nèi)的一些較好的低損耗性能。通過優(yōu)化芯片結構和減少Si(硅)襯底厚度,改善了穩(wěn)態(tài)損耗和開關損耗之間的權衡。與公司的常規(guī)產(chǎn)品相比,穩(wěn)態(tài)損耗和開關損耗分別降低了約20%和6%。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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