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TI創(chuàng)新性封裝如何提高功率密度

微云疏影 ? 來(lái)源:中電網(wǎng) ? 作者:中電網(wǎng) ? 2022-03-31 09:51 ? 次閱讀
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智能手機(jī)到汽車(chē),消費(fèi)者希望將更多功能集成到更小的產(chǎn)品中。為順應(yīng)這一趨勢(shì),TI已針對(duì)封裝技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,包括用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序的負(fù)載開(kāi)關(guān)。封裝技術(shù)的創(chuàng)新可以提高功率密度,即在每個(gè)印刷電路板上設(shè)置更多的器件和功能。

晶圓芯片級(jí)封裝(WCSP)

現(xiàn)如今尺寸最小的負(fù)載開(kāi)關(guān)都使用晶圓芯片級(jí)封裝(WCSP)。圖1為具四引腳的WCSP封裝器件。

WCSP封裝技術(shù)通過(guò)將焊球連接于硅片底部來(lái)盡可能地減小占用空間,這使得該技術(shù)在載流和封裝面積方面更具競(jìng)爭(zhēng)力。由于WCSP技術(shù)最小化了物理尺寸,連接輸入和輸出引腳的焊球數(shù)量有限,也就限制了負(fù)載開(kāi)關(guān)可以支持的最大電流。

采用絲焊技術(shù)的塑料封裝

高電流或制造工藝要求嚴(yán)苛的應(yīng)用(如工業(yè)PC)中需要使用塑料封裝。圖2為采用絲焊技術(shù)的塑料封裝。

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圖2. 標(biāo)準(zhǔn)絲焊方形扁平無(wú)引腳封裝

QFN或SON(小外形無(wú)引腳)封裝技術(shù)通過(guò)絲焊技術(shù)將硅片與引腳進(jìn)行連接,這使得更高的電流能夠從輸入端流向輸出端,同時(shí)為器件提供良好的散熱性。絲焊塑料封裝需要為接合線本身提供很大的空間,甚至比硅片本身占有的封裝空間還要大。接合線還會(huì)增加電源路徑的電阻,從而增加負(fù)載開(kāi)關(guān)的總導(dǎo)通電阻。因此需要在更大尺寸和更高的功率支持之間進(jìn)行權(quán)衡。

塑料HotRod封裝

雖然WCSP封裝和接合線封裝都有各自的優(yōu)缺點(diǎn),但TI的HotRod QFN負(fù)載開(kāi)關(guān)卻兼具兩種封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。圖3為HotRod封裝的結(jié)構(gòu)示意圖。

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圖3. TI HotRod QFN封裝結(jié)構(gòu)及其與硅片的連接

這些無(wú)引線塑料封裝使用銅柱將硅片與封裝進(jìn)行連接,由于比接合線占用的面積更少,因此可以最大限度地減小封裝尺寸。這些銅柱可以支持大電流,引入電源路徑的電阻較小,且允許高達(dá) 6 A 的電流通過(guò)單個(gè)引腳。

表1為T(mén)PS22964C WCSP,TPS22975 SON和TPS22992 HotRod三種封裝優(yōu)勢(shì)的對(duì)比。

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表1. 各負(fù)載開(kāi)關(guān)解決方案的對(duì)比

雖然TPS22975 SON封裝器件支持6A的電流,但需要引入支持該電流水平的輸入和輸出引腳,這也就限制了功率良好和可調(diào)上升時(shí)間等方面的性能。接合線還會(huì)增加導(dǎo)通電阻,限制最大電流。

采用WCSP封裝的負(fù)載開(kāi)關(guān)是三種解決方案中尺寸最小的,但有限的引腳數(shù)量限制了其更多功能的實(shí)現(xiàn)和可支持的最大電流。

總結(jié)

TPS22992負(fù)載開(kāi)關(guān)結(jié)合了WSCP和SON的優(yōu)勢(shì),兼具小尺寸和高電流等特點(diǎn)。TI的TPS22992 和TPS22998負(fù)載開(kāi)關(guān)通過(guò)HotRod封裝來(lái)解決小型化的問(wèn)題,同時(shí)支持高電流、低導(dǎo)通電阻等特性。

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