chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

從碳化硅模塊看特斯拉核心芯片選型策略

h1654155149.6853 ? 來源:電子工程世界 ? 作者:電子工程世界 ? 2022-04-13 15:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

特斯拉Model 3/Y所采用的是TPAK碳化硅MOSFET模塊,該模塊的優(yōu)秀設(shè)計(jì)使其成為一款不錯(cuò)的通用高壓大功率封裝。本文就從這款碳化硅模塊展開來談?wù)劰P者觀察到的特斯拉核心功率芯片選型策略。

TPAK

TPAK不包括引腳的塑封部分尺寸為20mm x 28mm x 4mm,其中不僅可以裝入碳化硅MOSFET裸芯片,還可以選擇IGBT或者氮化鎵HEMT作為其核心芯片。這意味著TPAK不僅可以作為一款高性能的碳化硅驅(qū)動(dòng)模塊,還可以成為一款高性價(jià)比的IGBT功率模塊,甚至在車規(guī)大功率氮化鎵技術(shù)成熟后,無縫接入氮化鎵裸芯片成為高頻功率開關(guān)器件。

同時(shí),結(jié)合浸淫多年的多管并聯(lián)技術(shù),特斯拉可以在其電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,按照不同的功率等級(jí)選擇不同數(shù)量的TPAK并聯(lián),并根據(jù)不同的效率和成本要求選擇碳化硅MOSFET或者IGBT作為TPAK核心芯片。與此同時(shí),因?yàn)槎际峭环N封裝,特斯拉僅需在外部電路、機(jī)械結(jié)構(gòu)和散熱設(shè)計(jì)僅需小幅改動(dòng)的情況下,即可滿足各種各樣的電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)需求,這大大增加了設(shè)計(jì)彈性。

例如,在理想情況下,雙電機(jī)版本的特斯拉電動(dòng)車可以選用多個(gè)碳化硅TPAK并聯(lián)驅(qū)動(dòng)主電機(jī),滿足大部分工況下的性能和效率要求。而另一電機(jī)則可選用較少數(shù)量并聯(lián)的碳化硅版本或者IGBT版本TPAK,以實(shí)現(xiàn)在一定成本控制下的四驅(qū)或加速要求。亦或在未來采用氮化鎵+碳化硅或者氮化鎵+IGBT的方案。

不僅如此,TPAK中的每種裸片還可以從不同的芯片供應(yīng)商處采購(gòu),建立二供乃至多供體系。除了官宣的意法半導(dǎo)體外,特斯拉還和業(yè)內(nèi)幾乎所有耳熟能詳?shù)墓β拾雽?dǎo)體頭部供應(yīng)商進(jìn)行深度合作——特斯拉提供技術(shù)規(guī)格以及應(yīng)用場(chǎng)景下的各類工況要求,芯片廠商拿出最好的功率半導(dǎo)體技術(shù),為TPAK定制功率開關(guān)芯片。這樣做的好處是可以在多家供應(yīng)商中優(yōu)中選優(yōu),為特斯拉車型找到性能最好或者性價(jià)比最高的芯片。

與此同時(shí),特斯拉在其車型銷量增加時(shí),可以通過多家供應(yīng)商快速增加TPAK模塊的產(chǎn)能,而不用受限于單一供應(yīng)商,這在Model 3/Y車型銷量較上一代Model S/X有了迅猛增長(zhǎng)的情況下變得尤為重要。未來當(dāng)特斯拉推出更為廉價(jià)銷量預(yù)期更高的Model 2,以及預(yù)定量超過百萬臺(tái)的Cybertruck時(shí),能夠在短時(shí)間內(nèi)從多家半導(dǎo)體供應(yīng)商處,獲得海量TPAK模塊供應(yīng)將成為特斯拉供應(yīng)鏈管理的重要一環(huán)。

誠(chéng)然,如果整車廠采用HybiPACK 1或者Trac Direct (DC)等這類管腳兼容模塊時(shí),也可以得到類似的多供應(yīng)商體系保證供應(yīng),但是這種模塊為先有模塊,后有逆變器系統(tǒng),因此在某些規(guī)格上不同廠家不能做到100%兼容。另外,該模塊為全橋設(shè)計(jì)(包含3個(gè)半橋),封裝成本固定,因此在改進(jìn)為小電流版本模塊時(shí),模塊總成本并不隨電流規(guī)格同步降低,因此設(shè)計(jì)彈性不如TPAK。最后,作為一款公版設(shè)計(jì)的模塊,逆變器設(shè)計(jì)廠商并不能在模塊性能方面與采用同種模塊的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手區(qū)隔開來。

綜上所述,在逆變器核心功率器件的選型上,特斯拉除了規(guī)定外形尺寸以及一些重要的封裝設(shè)計(jì)要求外(例如必須采用銀燒結(jié)技術(shù)),還深度參與了內(nèi)部芯片的定義、設(shè)計(jì)以及測(cè)試。由此得到的TPAK模塊在滿足性能和系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了跨(芯片)廠商,跨(IGBT/SiC MOSFET/GaN HEMT)平臺(tái)。

T2PAK

無獨(dú)有偶,除了TPAK外,特斯拉還在動(dòng)力總成的另一核心部件PCS中也采用了相同的選型策略。

Model 3/Y的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(PCS,Power Conversion System)包含車載充電機(jī)OBC和高壓-12V DC/DC兩個(gè)部分,用于從電網(wǎng)給主電池包充電,以及主電池包與12V電池之間的能量交換。PCS中有40片以上的T2PAK(2nd Tesla Package),用于OBC中的PFC和DC/DC主次級(jí)側(cè),以及高壓-12V DC/DC的高壓側(cè)。

c2e06372-ba5b-11ec-aa7f-dac502259ad0.png

特斯拉Model 3/Y電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)與Model S/X第三代車載充電機(jī)??梢钥闯龊诵墓β势骷姆庋b從TO-247換成了T2PAK(來源:Phil Sadow/Ingineerix,Anner J. Bonilla)

作為一種高壓?jiǎn)喂鼙碣N封裝,T2PAK取代了前幾代Model S/X OBC中用到的TO-247封裝,包括TO-247-3,用于超結(jié)MOSFET,SiC MOSFET的三腳封裝,和TO-247-2,用于硅或碳化硅二極管的兩腳封裝。因此,T2PAK在PCS主電路板上安裝更為簡(jiǎn)單,可生產(chǎn)性好。所有T2PAK都通過導(dǎo)熱膏貼于水冷散熱板上,較之前的散熱設(shè)計(jì)大大簡(jiǎn)化。

根據(jù)目前能找到的拆機(jī)視頻,T2PAK至少有碳化硅二極管,以及超結(jié)MOSFET或碳化硅MOSFET幾種版本。同樣的,T2PAK用一種封裝實(shí)現(xiàn)了PCS中核心功率器件的跨平臺(tái)和跨廠商選型,簡(jiǎn)化了供應(yīng)鏈。

當(dāng)然,TPAK和T2PAK也非完美無缺,兩種器件的封裝都還有不少的改進(jìn)空間。例如,TPAK可以采用類似丹佛斯DBB和賀利氏電子DTS的技術(shù)在模塊內(nèi)部實(shí)現(xiàn)雙面燒結(jié),達(dá)到更好的散熱性能和可靠性。

一些爭(zhēng)議

一些讀者就特斯拉和比亞迪誰在動(dòng)力總成硬件技術(shù)方面更強(qiáng)展開了熱烈的討論。筆者與這兩家公司都長(zhǎng)期合作過,可以說他們?cè)陔妱?dòng)汽車領(lǐng)域都是業(yè)內(nèi)最優(yōu)秀的公司之一。但是考慮到比亞迪和特斯拉所處的環(huán)境和國(guó)情不同,兩者的創(chuàng)業(yè)基因也有很大差異,單純比較兩者優(yōu)劣就如果比較不同生態(tài)圈中的獅子和老虎一樣,很難判斷誰才是百獸之王。

特斯拉身處硅谷核心的Palo Alto,自Model S推出后就成為眾多半導(dǎo)體公司最為重要客戶之一,可以不受限制的采購(gòu)到任何一家功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)的尖端產(chǎn)品,因此特斯拉只需專注于主業(yè),集中資源投入整車層面和部分核心子系統(tǒng)的研發(fā)。

而比亞迪在開始做電動(dòng)車時(shí),國(guó)內(nèi)車規(guī)功率半導(dǎo)體還未起步,在國(guó)外供應(yīng)商眼中比亞迪也非最為重要的客戶,因此比亞迪不得不自己研發(fā)IGBT以及碳化硅MOSFET作為國(guó)外產(chǎn)品的補(bǔ)充和替代。這使得比亞迪在功率半導(dǎo)體的采購(gòu)上獲得了一定的議價(jià)權(quán),并且在外部供應(yīng)短缺時(shí)有了備用方案,這在當(dāng)今汽車電子缺芯的背景下優(yōu)勢(shì)明顯。但是當(dāng)比亞迪在汽車,半導(dǎo)體,鋰電池等多個(gè)賽道都需要巨額投入,以此在技術(shù)和產(chǎn)能方面與對(duì)手競(jìng)爭(zhēng)的時(shí)候(例如鋰電池領(lǐng)域的寧德時(shí)代),就會(huì)出現(xiàn)資源捉襟見肘的情況。預(yù)期比亞迪半導(dǎo)體這幾天的上會(huì)直至之后的上市將給比亞迪的碳化硅和IGBT研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)充注入一針強(qiáng)心針。

總而言之,在核心功率器件的選型策略上沒有一條放之四海而皆準(zhǔn)的方法,企業(yè)需要根據(jù)公司具體情況和市場(chǎng)動(dòng)態(tài),決定采用完全自產(chǎn),完全外購(gòu),還是類似特斯拉這樣的定制方案。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    53867

    瀏覽量

    463216
  • 特斯拉
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    6411

    瀏覽量

    131203
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3400

    瀏覽量

    51984

原文標(biāo)題:從碳化硅模塊看特斯拉核心芯片選型策略

文章出處:【微信號(hào):電子工程世界,微信公眾號(hào):電子工程世界】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    商用車電驅(qū)動(dòng)SiC模塊選型返璞歸真:DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場(chǎng)報(bào)告

    商用車電驅(qū)動(dòng)SiC模塊選型返璞歸真:DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場(chǎng)報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專
    的頭像 發(fā)表于 01-03 17:30 ?429次閱讀

    打線門極電阻,助力SiC碳化硅模塊性能提升

    近年來,在國(guó)家相關(guān)政策支持下,應(yīng)用于新能源領(lǐng)域的功率模塊迎來了增長(zhǎng)新契機(jī)。而SiC碳化硅模塊以其卓越性能,成為新能源核心賽道的“佼佼者”。碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-31 14:16 ?119次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級(jí)供應(yīng)商以及
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?672次閱讀

    傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述

    傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
    的頭像 發(fā)表于 10-18 21:22 ?475次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):<b class='flag-5'>核心</b>原理與未來趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上,通過創(chuàng)新的
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?1052次閱讀
    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半橋<b class='flag-5'>模塊</b>Pcore 2系列介紹

    【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量的特殊采樣策略

    摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量需求,分析常規(guī)采樣策略的局限性,從不均勻性特征分析、采樣點(diǎn)布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略,旨在提升測(cè)量效率與準(zhǔn)確性,為碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-28 14:03 ?591次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量的特殊采樣<b class='flag-5'>策略</b>

    碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量的特殊采樣策略

    摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量需求,分析常規(guī)采樣策略的局限性,從不均勻性特征分析、采樣點(diǎn)布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略,旨在提升測(cè)量效率與準(zhǔn)確性,為碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-27 14:28 ?1073次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量的特殊采樣<b class='flag-5'>策略</b>

    激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略

    摘要 本文針對(duì)激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的精度問題,深入分析影響測(cè)量精度的因素,設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個(gè)維度提出精度提升策略,旨在為提高碳化硅襯底 TT
    的頭像 發(fā)表于 08-12 13:20 ?829次閱讀
    激光干涉法在<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度測(cè)量中的精度提升<b class='flag-5'>策略</b>

    碳化硅陶瓷光模塊散熱基板

    碳化硅(SiC)陶瓷作為光模塊散熱基板的核心材料,其在高周次循環(huán)載荷下表現(xiàn)出的優(yōu)異抗疲勞磨損性能,源于其獨(dú)特的物理化學(xué)特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 18:00 ?1124次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>陶瓷光<b class='flag-5'>模塊</b>散熱基板

    基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:26 ?547次閱讀

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

    碳化硅MOSFET模塊碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?1410次閱讀
    國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>全面取代進(jìn)口IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的必然性

    碳化硅器件選型需要考慮哪些因素

    隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視,碳化硅(SiC)器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能,使其在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等應(yīng)用中成為優(yōu)選方案。本文將探討碳化硅器件的主要性能優(yōu)勢(shì),并提供在實(shí)際應(yīng)用中的設(shè)計(jì)
    的頭像 發(fā)表于 03-19 16:59 ?1086次閱讀

    高頻電鍍電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 02-09 20:17 ?1204次閱讀
    高頻電鍍電源國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>替代富士IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>損耗對(duì)比

    碳化硅(SiC)MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場(chǎng)的核心邏輯

    碳化硅(SiC)MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場(chǎng)的核心邏輯:低價(jià)SiC器件的“致命性”在于性價(jià)比的絕對(duì)碾壓
    的頭像 發(fā)表于 02-05 14:43 ?1415次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET以低價(jià)<b class='flag-5'>策略</b>顛覆市場(chǎng)的<b class='flag-5'>核心</b>邏輯

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?2036次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹