引言

半導體制造過程中，在每個過程前后實施的清洗過程約占整個過程的30%，是重要的過程之一。特別是以RCA清潔為基礎的濕式清潔工藝，除了化學液的過度使用、設備的巨大化、廢水造成的環(huán)境污染等問題外，重要的是有效地沖洗，防止清潔化學液在道工序后在晶片表面殘留，以及防止水斑點等污染物再次污染。因此，最近在濕清洗過程中，正在努力減少化學液和超純水的量，回收利用，開發(fā)新的清洗過程，在干燥過程中，使用超純水和IPA分離層的marangoni干燥方法正在引入。本研究考察了不同于傳統(tǒng)的marangoni方法，利用超純水和IPA的混合溶液表面進行干燥和去除污染顆粒的效果。

實驗方法

自制了超純水和IPA混合溶液安裝在室內(nèi)，為了制造一定濃度的混合溶液，我們先在單獨的容器中混合，并保持混合溶液在bath內(nèi)以3 LPM的流量恒定地投入。此外，為了方便晶片的干燥，還采取了其他措施。

實驗結(jié)果

根據(jù)IPA的濃度變化，觀察晶片表面污染顆粒的增減情況，在IPA添加量為低濃度和高濃度的情況下，可以觀察到良好的結(jié)果。而且，將晶片從bath內(nèi)取出到大氣中時的解除速度對晶片表面的污染粒子數(shù)沒有太大影響，但對晶片底部的water droplet形成有很大影響，結(jié)論表明與GAN有密切關系。另外，繼續(xù)反復使用超純水和IPA混合溶液進行工藝，表明晶片表面存在的粒子數(shù)量沒有增加，而是保持在一定水平。干燥過程中吹的hot N2的溫度變化，晶片表面溫度在各部分觀察不一樣，但沒有特別的影響。