三星將中斷12nm DRAM芯片開發(fā)，直接跨入11nm
近日，據(jù)韓媒報道稱，三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令，要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片，也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。
在此之前，三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大廠商都專心研究28nm DRAM芯片時，三星同樣跨過了28nm，直接開始研發(fā)25nm工藝，最終取得了成功。
這次三星同樣想靠彎道超車來與其他廠商拉開差距，占據(jù)行業(yè)領(lǐng)先地位。三星計劃在6月完成11nm DRAM芯片的開發(fā)工作。
綜合整理自 比特網(wǎng) 萬仟網(wǎng) 中文科技資訊
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM芯片
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
88瀏覽量
18606 -
12nm
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
33瀏覽量
8304 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1718瀏覽量
33496
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn) 三星Exynos 2600
據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn)；三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動 SoC
今日看點丨三星美國廠2nm產(chǎn)線運作；《人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識辦法》正式生效
（2330）長期規(guī)劃美國新廠后續(xù)將導(dǎo)入2nm與更先進(jìn)制程，三星加入戰(zhàn)局加上英特爾獲得奧援，2nm以下制程競爭在美國更加白熱化。 ? 韓國媒體報導(dǎo)，市場傳出
發(fā)表于 09-02 11:26
?1264次閱讀
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
Performance Body-bias）方案的驗證。Exynos 2600是全球首款2nm手機芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測試進(jìn)展順利，
三星代工大變革：2nm全力沖刺，1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年
在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中，三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整，原本計劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝，將推遲至2
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r間17日報道稱，自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的
發(fā)表于 04-18 10:52
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
次公開了?SF1.4（1.4nm?級別）工藝，原預(yù)計?2027?年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時的說法，SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個增加到?4?個，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
次公開了 SF1.4（1.4nm 級別）工藝，原預(yù)計 2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時的說法，SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個增加到 4 個，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都
三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計報道
據(jù)報道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對
三星否認(rèn)重新設(shè)計1b DRAM
據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報道稱，三星
三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲
據(jù)韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底
三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期
(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本，三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b
北京君正預(yù)計年底推出21nm DRAM產(chǎn)品
和20nm的研發(fā)工作。預(yù)計21nm的DRAM產(chǎn)品將于今年年底推出，而20nm的產(chǎn)品則有望在明年中前后上市。此外，公司還表示將持續(xù)進(jìn)行更新工藝
工商網(wǎng)監(jiān)
評論