據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準備量產(chǎn);三星公司已確認 Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動 SoC
發(fā)表于 09-04 17:52
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(2330)長期規(guī)劃美國新廠后續(xù)將導入2nm與更先進制程,三星加入戰(zhàn)局加上英特爾獲得奧援,2nm以下制程競爭在美國更加白熱化。 ? 韓國媒體報導,市場傳出
發(fā)表于 09-02 11:26
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Performance Body-bias)方案的驗證。Exynos 2600是全球首款2nm手機芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測試進展順利,
發(fā)表于 07-31 19:47
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在全球半導體代工領(lǐng)域的激烈競爭中,三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進方面做出重大調(diào)整,原本計劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝,將推遲至2
發(fā)表于 07-03 15:56
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當?shù)貢r間17日報道稱,自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的
發(fā)表于 04-18 10:52
次公開了?SF1.4(1.4nm?級別)工藝,原預計?2027?年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當時的說法,SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個增加到?4?個,有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表
發(fā)表于 03-23 11:17
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次公開了 SF1.4(1.4nm 級別)工藝,原預計 2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當時的說法,SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個增加到 4 個,有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表
發(fā)表于 03-22 00:02
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據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都
發(fā)表于 03-12 16:07
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據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關(guān)其將重新設(shè)計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對
發(fā)表于 01-23 15:05
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據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星
發(fā)表于 01-23 10:04
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據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底
發(fā)表于 01-22 15:54
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(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良
發(fā)表于 01-22 14:27
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近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b
發(fā)表于 01-22 14:04
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和20nm的研發(fā)工作。預計21nm的DRAM產(chǎn)品將于今年年底推出,而20nm的產(chǎn)品則有望在明年中前后上市。此外,公司還表示將持續(xù)進行更新工藝
發(fā)表于 11-12 14:27
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