三星率先實(shí)現(xiàn)3nm制程工藝量產(chǎn)，或?qū)②s超臺(tái)積電
三星與臺(tái)積電同為全球頂尖晶圓代工大廠，近幾年三星的各種評(píng)價(jià)卻開(kāi)始落后于臺(tái)積電，差距也被逐漸拉大，不過(guò)三星沒(méi)有放棄，還是宣稱要超越臺(tái)積電。
據(jù)媒體報(bào)道稱，三星的3nm工藝已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)了，而臺(tái)積電的3nm工藝還得等到今年下半年才能量產(chǎn)，并且三星稱之前飽受詬病的良率問(wèn)題也已得到解決。
美國(guó)總統(tǒng)近日參觀了三星的全球唯一能夠進(jìn)行3nm工藝量產(chǎn)的晶圓代工廠，三星為了在晶圓代工行業(yè)趕超臺(tái)積電，投入了大量資金進(jìn)行高端制程的研發(fā)。
據(jù)了解，本次三星量產(chǎn)的3nm工藝采用了GAA晶體管技術(shù)，能夠取代以往的FinFET晶體管技術(shù)，與未采用GAA技術(shù)的7nm制程工藝相比，3nm GAA制程工藝的性能提高了35%，功耗降低了50%，而且本次臺(tái)積電的3nm工藝不會(huì)采用GAA技術(shù)，因此在3nm制程工藝這一塊，三星很有可能超越臺(tái)積電。
綜合整理自 芯查查 快科技 王石頭科技
審核編輯 黃昊宇
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