引言

羥基硫化銦具有資源豐富、價格低廉、無毒、耐輻射、耐高溫、化學穩(wěn)定性好等特點，是一種非常重要的光電、光伏和光傳感薄膜材料。對這種材料的一些處理包括熱退火，這是一種用于內部應力釋放、結構改善和表面粗糙化以控制其光電特性的工藝。以定性的方式，退火隨溫度和時間改變表面形態(tài)、本征參數(shù)和電子遷移率。在本工作中，我們華林科納討論了退火過程中In(OH)xSy薄膜表面改性的原因。在373–573k的溫度范圍內，對退火引起的電學和光學效應進行了研究，并在氮氣中的不同退火溫度下進行了表征。使用光學測量數(shù)據和模擬數(shù)據，采用Scout軟件，結果表明，提高退火溫度會導致透射率略有下降，從而使能帶隙值在2.79–3.32 eV之間變化。結論是退火影響了薄膜的光學透射率和電阻，使得薄膜有潛力用于光伏和光傳感應用。

介紹

由于其穩(wěn)定性、寬帶隙和光電導性，硫化銦是光電、光伏和許多其他技術應用的有前途的候選材料21].據報道，硫化銦薄膜的光學帶隙值在2.0-2.4 eV范圍內，取決于物理或化學工藝沉積[2].引起光學帶隙異常加寬的一種可能性是用氧取代一些硫，以便合成同質的In2S3-3xO3x14].含有氫氧化物或氧化物和氫氧化物的緩沖層的另一種可能性是使用硫化物的CBD，因為緩沖層的組成通常取決于沉積方法和制備條件[9].根據對固態(tài)DSSC的電子工程所做的研究，界面復合的傳播在像η-太陽能電池這樣的系統(tǒng)中可能是非常重要的6并且In(OH)xSy是提出的緩沖層之一層已經通過濕CBD沉積，并且已經證明是TiO2太陽能電池的良好緩沖，其帶隙能量根據In(OH)xSy的化學計量在2.4-3.4 eV的范圍內變化14,24].獲得的暗I-V特性證實In(OH)xSy涂層是良好的，并且沒有可能導致電流短路的針孔。因此，在300 ℃退火30分鐘后，材料從非晶態(tài)變?yōu)榫B(tài)，并且還變得略微富含In2S3含量24,20].當用p型吸收體填充時，緩沖膜可以最小化電子-空穴對復合和n型半導體的能力25].通過CBD沉積的In(OH)xSy涂層的暗I- V特性證實其適用于PV電池，并且不具有會引起分流問題的多孔性。一般來說，太陽能電池在光照下開路電壓和短路電流密度的性能分別為0.27 V和11.7 mA/cm2。

結果和討論

透射率、反射率和吸收率。沉積的In(OH)xSy薄膜是淡黃色的，但是在氬氣氛中退火大約60分鐘后，它們變得有光澤和鏡面反射。在100–300°C范圍內，顏色變化的強度隨著退火溫度的變化而變化。在300°C退火的薄膜是最鏡面的。在300-1100 μm的波長范圍內(圖2a ),生長的(OH)xSy薄膜的平均測量透射率為74.5 %。進一步的分析表明，這樣高的透射率在理論上相當于η太陽能電池中緩沖層應用的最佳參數(shù)。

對退火后的膜進行比較，觀察到(圖2d)退火溫度升高至240℃導致透射率略微降低，隨后隨著退火溫度升高透射率升高。此后，透射率突然增加。這種現(xiàn)象歸因于材料的再結晶這導致不飽和缺陷隨著材料分解而減少。然后解釋了在熱退火過程中，不飽和缺陷逐漸退火，結果是它們產生大量飽和鍵.這樣大的飽和鍵實際上減少了不飽和缺陷的數(shù)量這又降低了能帶結構中的局域態(tài)密度。這最終導致光學帶隙的增加最適合光傳感和光吸收應用。

結論

采用化學氣相沉積技術，在不同的沉積條件和沉積參數(shù)下，成功地在玻璃襯底上制備了In(OH)xSy薄膜。研究了退火對In(OH)xSy光電性能的影響發(fā)現(xiàn)帶隙能量值，

沉積態(tài)Eg在2.79-2.79之間3.32 eV。透射率在大約270℃時突然增加而下降，這歸因于重結晶，因為薄膜具有大的帶隙和低的消光和吸收系數(shù)。發(fā)現(xiàn)了薄層電阻率為9.03-0.35?107ω?厘米和薄膜所獲得的特性表明該膜可以形成用于光電應用的良好材料，特別是在太陽能電池、發(fā)光二極管和光電探測器中。