新一代碳化硅模塊采用增強型CoolSiC? MOSFET（M1H），首發(fā)型號為EasyPACK?和EasyDUAL?封裝。

CoolSiC技術(shù)取得的最新進展，M1H芯片的柵極驅(qū)動電壓窗口明顯增大，推薦的VGS（on）為15-18V，VGS（off）為0-5V，最大柵極電壓擴展至+23V和-10V。從而降低了既定芯片面積下的導(dǎo)通電阻。與此同時，隨著柵極運行窗口的擴大，柵極能很好地耐受與驅(qū)動器和布局相關(guān)的電壓峰值，即使在更高開關(guān)頻率下亦不受任何限制。VGS（th）穩(wěn)定性的提高，大大減少了動態(tài)因素引起的漂移。

此外，允許該器件在175°C以下運行，以滿足各種應(yīng)用的過載條件。器件的基本理念沒有改變，芯片的布局和尺寸沒有改變。

第一批推出的型號包括Sixpack三相橋，三電平NPC2和半橋拓撲產(chǎn)品，封裝分別采用Easy 1B， 2B和3B。有了這第一個全碳化硅的CooSiC? EasyDUAL? 3B功率模塊，英飛凌的工業(yè)級碳化硅產(chǎn)品系列是市場上最廣的。

產(chǎn)品特點

Easy1B、2B和3B模塊封裝

1200V CoolSiC? MOSFET，具有增強型溝槽柵技術(shù)

擴大了推薦的柵極驅(qū)動電壓窗口，+15.。.+18V和0.。。-5V

擴展的最大柵極-源極電壓為+23V和-10V

過載條件下的最高工作結(jié)溫Tvjop高達175°C

Sixpack三相橋、電平或半橋拓撲

PressFIT引腳

預(yù)涂熱界面材料（Easy 3B）

應(yīng)用價值

市場上最廣工業(yè)碳化硅模塊產(chǎn)品系列

與標準CoolSiC? M1芯片相比，RDson降低了12%

減少了動態(tài)因素引起的漂移

應(yīng)用領(lǐng)域

伺服驅(qū)動器

不間斷電源

電動汽車充電器

太陽能逆變器