如今的開關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導體開關(guān)器件,如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關(guān)速度,能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同時在On或Off狀態(tài)下小號的功率非常小,實現(xiàn)了很高的轉(zhuǎn)化效率,熱損耗極低。
開關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關(guān)器件的損耗可以說是開關(guān)電源中最為重要的一個損耗點,課件開關(guān)損耗測試是至關(guān)重要的。本文僅就開關(guān)損耗測試方案中的探頭應(yīng)用進行介紹。

上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP0030A等探頭。
以上方案中通過示波器專門的開關(guān)損耗算法,配合泰克探頭,完美補償探頭延遲,減少了開關(guān)損耗運算過程中產(chǎn)生的誤差。測試結(jié)果極為可靠。
TCP0030A及THDP0200參數(shù):

探頭外觀圖

TCP0030A

THDP0200
附:常見參數(shù)介紹
1、帶寬,代表了探頭可測到的最大信號頻率
2、共模抑制比,代表了探頭抑制共模干擾的能力,越大代表抑制能力越強
3、輸入電容,代表探頭對于被測系統(tǒng)的負載影響,輸入電容越低,影響越小測試效果越好。
審核編輯:湯梓紅
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
9358瀏覽量
229304 -
示波器
+關(guān)注
關(guān)注
113文章
6964瀏覽量
194570 -
探頭
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1335瀏覽量
43543 -
開關(guān)損耗
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
71瀏覽量
13848
發(fā)布評論請先 登錄
泰克示波器MSO5系列探頭補償方法詳解
如何平衡IGBT模塊的開關(guān)損耗和導通損耗
利用普源示波器進行功率器件動態(tài)特性測試的研究
功率器件開關(guān)功耗測試詳細步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測試
芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗
示波器 1x 和 10x 探頭的區(qū)別詳解:助力精準電路測試

利用示波器探頭進行開關(guān)損耗測試
評論