高電壓防電弧

通常，當測試晶圓上的高電壓時，探針之間將存在放電（電?。@也發(fā)生在DUT（被測器件）和相鄰器件（垂直布局）或其他測試pad（橫向布局）之間。此外，在高于1000 V的電壓下，晶圓載物臺和周圍探針臺之間可能發(fā)生電弧放電。

探針與器件的低接觸電阻

實現(xiàn)精確高電流測量的另一個關(guān)鍵挑戰(zhàn)是盡可能降低探針與器件的接觸電阻。這將確?？梢栽诰A上測量到器件的完整性能，并與封裝器件性能完全一致。這使得用于終端的應用電源模塊的已知良好芯片（KGD）的成本顯著降低。

晶圓和載物臺之間的均勻接觸和熱阻

為了獲得晶片上每個器件的準確數(shù)據(jù)，重要的是在晶片背面和卡盤頂面之間具有均勻的物理接觸。首先，這可以通過確保從器件產(chǎn)生的全部熱量遠離每個器件來分散熱誤差，而不管晶片上的器件位置如何。其次，對于卡盤作為電觸點之一的垂直器件（如IGBT），這可實現(xiàn)超低接觸電阻 - 這是克服RDS（on）非開爾文測試的電阻誤差的關(guān)鍵需求。只有解決了這兩個挑戰(zhàn)，才能在測試數(shù)據(jù)中看到每個設(shè)備的最大性能。

電路設(shè)計師的精確器件模型

產(chǎn)品特性分析工程師面臨的挑戰(zhàn)是同時滿足測量高電壓/高電流的能力和精確的低漏電性能，以創(chuàng)建完整的器件模型。這將有助于電路設(shè)計人員優(yōu)化其功率IC設(shè)計，以實現(xiàn)最大的商業(yè)價值。平衡高電壓/電流切換與在不工作時（斷開狀態(tài)）器件功耗是這項工作的重點。

審核編輯：符乾江