chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

1nm工藝是不是極限了 芯片1納米后還能再小嗎

h1654155282.3538 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:佚名 ? 2022-07-06 09:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

現(xiàn)在科技越來(lái)越發(fā)達(dá),芯片設(shè)計(jì)也在不斷創(chuàng)新與突破,前段時(shí)間IBM就研制出了全球首顆2nm芯片,這顆芯片能夠容納500億個(gè)晶體管,它的最小單元比DNA的單鏈還要小。2nm芯片的到來(lái),在半導(dǎo)體行業(yè)影響重大,臺(tái)積電隨之也宣布了聯(lián)合臺(tái)達(dá)和麻省理工在一納米芯片領(lǐng)域取得了關(guān)鍵性的進(jìn)展,所以很多小伙伴都想知道芯片工藝的極限在哪里?我們就來(lái)了解下1nm芯片的工藝是否已經(jīng)是到達(dá)了極限?

其實(shí)現(xiàn)在芯片的特征尺寸只是一個(gè)代號(hào),只要性能、密度能夠提升30%—50%就能出現(xiàn)新一代的工藝技術(shù),所以芯片的工藝極限是不可預(yù)估的,1nm也不是芯片工藝的極限。

總的來(lái)說(shuō),芯片工藝技術(shù)發(fā)展肯定是越來(lái)越小的,因?yàn)槿藗儗?duì)于性能的追求是永無(wú)止境的,所以芯片1nm之后肯定是還能再小的,只是時(shí)間問(wèn)題。

審核編輯;chenchen

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    462

    文章

    53580

    瀏覽量

    459482
  • 1nm
    1nm
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    16

    瀏覽量

    4073
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    國(guó)產(chǎn)芯片真的 “穩(wěn)” ?這家企業(yè)的 14nm 制程,已經(jīng)悄悄滲透到這些行業(yè)…

    最近扒扒國(guó)產(chǎn)芯片的進(jìn)展,發(fā)現(xiàn)中芯國(guó)際(官網(wǎng)鏈接:https://www.smics.com)的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實(shí)驗(yàn)室技術(shù)”
    發(fā)表于 11-25 21:03

    臺(tái)積電2納米制程試產(chǎn)成功,AI、5G、汽車芯片

    又近了一大步。 ? ? 這一歷史性節(jié)點(diǎn)不僅意味著制程技術(shù)的再度跨越,也預(yù)示著未來(lái)AI、通信與汽車等核心領(lǐng)域即將迎來(lái)一場(chǎng)深刻的“芯革命”。 1、技術(shù)突破 與現(xiàn)行的3nm工藝相比,臺(tái)積電
    的頭像 發(fā)表于 10-16 15:48 ?866次閱讀

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話

    個(gè)先例,其變化形式如圖6所示。 晶背供電技術(shù)已被證明,它可以很好地解決5nm以下芯片的電源完整性問(wèn)題,同樣也證明 它是優(yōu)化特定版圖設(shè)計(jì)任務(wù)的用力工具。 圖6 功能性晶 隨著工藝創(chuàng)新的層出不窮,相信摩爾神話
    發(fā)表于 09-06 10:37

    下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決!

    在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm,1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后,晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)?2017年,imec推出了叉片晶體管(forksheet),作為環(huán)柵(GAA)晶體管的自然延伸。不過(guò),產(chǎn)
    發(fā)表于 06-20 10:40

    手機(jī)芯片進(jìn)入2nm時(shí)代,首發(fā)不是蘋(píng)果?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中,無(wú)論是臺(tái)積電還是三星都在積極布局,或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝
    發(fā)表于 03-14 00:14 ?2339次閱讀

    1nm光譜分辨率1200條光譜通道在高光譜相機(jī)行業(yè)是什么水平?

    隨著科技的發(fā)展,高光譜成像技術(shù)因其能夠提供豐富的物質(zhì)信息而受到越來(lái)越多的關(guān)注。本文主要探討了1納米nm)光譜分辨率和1200條光譜通道配置對(duì)于高光譜相機(jī)性能的影響及其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。 高光譜
    的頭像 發(fā)表于 02-21 14:46 ?722次閱讀

    集成電路制造工藝中的偽柵去除技術(shù)介紹

    厚度成為影響晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而,柵氧厚度的減小極限受到隧穿漏電效應(yīng)的限制,當(dāng)氧化硅層薄至2nm以下時(shí),隧穿漏電現(xiàn)象變得顯著,且隨厚度減小呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),使得1nm以下的柵氧厚度變得不切實(shí)際。 為了克服這一挑戰(zhàn),英特爾
    的頭像 發(fā)表于 02-20 10:16 ?1212次閱讀
    集成電路制造<b class='flag-5'>工藝</b>中的偽柵去除技術(shù)介紹

    歐洲啟動(dòng)1nm及光芯片試驗(yàn)線

    高達(dá)14億美元,不僅將超越當(dāng)前正在研發(fā)的2nm工藝技術(shù),更將覆蓋從1nm至7A(即0.7nm)的尖端工藝領(lǐng)域。NanoIC試驗(yàn)線的啟動(dòng),標(biāo)志
    的頭像 發(fā)表于 01-21 13:50 ?978次閱讀

    ADS1292R的PGA2N輸出3.3V是不是芯片出問(wèn)題了?

    ADS1292R大家好,今天遇到個(gè)問(wèn)題,做了個(gè)ADS1292R的心電放大電路。之前可以出波形,但是工頻干擾好嚴(yán)重,今天上午測(cè),開(kāi)始還比較正常,但是后來(lái)就不正常,程序沒(méi)有改動(dòng),PGA2N輸出3.3V,PGA2P輸出0V,3.3是芯片
    發(fā)表于 01-20 09:37

    OptiFDTD應(yīng)用:用于光纖入波導(dǎo)耦合的硅納米錐仿真

    介紹 在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1] 耦合器由高折射率比材料組成,是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] 錐形耦合器實(shí)際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式
    發(fā)表于 01-08 08:51

    過(guò)期的錫膏是否還能使用?

    過(guò)期的錫膏是否還能使用,取決于多個(gè)因素,包括錫膏的儲(chǔ)存條件、過(guò)期時(shí)間以及錫膏本身的特性。以下是對(duì)過(guò)期錫膏能否使用的詳細(xì)分析:
    的頭像 發(fā)表于 12-31 09:15 ?991次閱讀

    芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試

    本文介紹芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試。 本文將介紹芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試,分述如下:
    的頭像 發(fā)表于 12-24 11:25 ?1752次閱讀

    Aigtek功率放大器如何幫助制備(1~100nm)級(jí)的納米薄膜

    材料、平面顯示器、超導(dǎo)材料、氣體催化材料、過(guò)濾器材料、光敏材料、高密度的磁性記錄材料。那么 功率放大器 可以幫助制備(1~100nm)級(jí)的納米薄膜嗎? 首先,我們來(lái)聊一聊納米薄膜材料的
    的頭像 發(fā)表于 12-20 10:42 ?884次閱讀
    Aigtek功率放大器如何幫助制備(<b class='flag-5'>1</b>~100<b class='flag-5'>nm</b>)級(jí)的<b class='flag-5'>納米</b>薄膜

    ADS1118初始化的時(shí)候是不是送寄存器A0P1就可以,不需要送A2P3?

    A0p1 或A2p3就可以讀取相應(yīng)的差分值。 2、想知道初始化的時(shí)候是不是送寄存器A0P1就可以,不需要送A2P3.
    發(fā)表于 12-19 08:09

    7納米工藝面臨的各種挑戰(zhàn)與解決方案

    本文介紹7納米工藝面臨的各種挑戰(zhàn)與解決方案。 一、什么是7納米工藝? 在談?wù)?納米
    的頭像 發(fā)表于 12-17 11:32 ?2412次閱讀