臺(tái)積電在開發(fā)2納米芯片的量產(chǎn)技術(shù)方面處于領(lǐng)先地位，最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)92%來自中國臺(tái)灣臺(tái)積電。2019年，臺(tái)積電便宣布啟動(dòng)2nm工藝的研發(fā)，使其成為第一家宣布開始研發(fā)2nm工藝的公司。

臺(tái)積電的第一家2nm工廠位于臺(tái)灣北部新竹縣寶山附近的工廠。就在今年6月 5日臺(tái)積電宣布將投資1兆元擴(kuò)大2nm工藝芯片的產(chǎn)量。配合臺(tái)積電2納米建廠計(jì)劃，中科臺(tái)中園區(qū)擴(kuò)建二期開發(fā)計(jì)劃如火如荼展開。臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電在中科除了規(guī)劃2納米廠，后續(xù)的1納米廠也可能落腳此處。

關(guān)于2nm的技術(shù)進(jìn)展，據(jù)外媒eetimes報(bào)道，臺(tái)積電早前與少數(shù)幾家媒體分享了其工藝路線圖，正在評(píng)估CFET等工藝技術(shù)，以將其當(dāng)作納米片的“接班人”。按照他們所說，臺(tái)積電將在2025年推出使用納米片晶體管的2nm工藝。據(jù)臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁 Kevin Zhang介紹，CFET是一個(gè)選擇，且目前還處于研發(fā)階段，所以他也不能提供其任何時(shí)間表。Kevin Zhang同時(shí)指出，3 nm 將是一個(gè)長節(jié)點(diǎn)。在該節(jié)點(diǎn)上將有大量需求。而那些對(duì)計(jì)算能效有更高要求的客戶可以率先轉(zhuǎn)向2nm。

目前，臺(tái)積電的2nm開發(fā)已經(jīng)走上正軌，魏哲家表示，臺(tái)積電2納米技術(shù)去年已經(jīng)進(jìn)入技術(shù)開發(fā)階段，著重于測(cè)試載具的設(shè)計(jì)與實(shí)作、光罩制作、以及硅試產(chǎn)?？偟膩碚f，臺(tái)積電采用新工藝技術(shù)的速度越來越慢。傳統(tǒng)上，臺(tái)積電每兩年使用一個(gè)全新節(jié)點(diǎn)開始生產(chǎn)。臺(tái)積電的 N7于 2018 年 4 月開始爬坡，N5 于 2020 年 4 月進(jìn)入 HVM，但 N3 僅在 2022 年下半年用于商業(yè)生產(chǎn)。對(duì)于N2，我們顯然看到了更長的節(jié)奏，這也說明了工藝節(jié)點(diǎn)越來越難研發(fā)和攻克。

毫無疑問，從現(xiàn)在開始展望未來五年，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將會(huì)很艱難，因?yàn)殡S著摩爾定律的推進(jìn)，縮小晶體管尺寸將變得越來越困難，并且預(yù)期的晶體管成本比例下降趨于平緩。

本文整合自：摩爾芯聞、半導(dǎo)體行業(yè)觀察

責(zé)任編輯：符乾江