NP2300BHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
描述
NP2300BHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi)
超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制
應(yīng)用程序。
一般特征
? VDS =20V，ID =5A
RDS(上)(Typ) = 26 m?@VGS = 4.5 v
RDS(上)(Typ) = 36 m?@VGS = 2.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
? Lead 免費(fèi) 產(chǎn)品
? Surface 安裝 包
應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
? Load 開(kāi)關(guān)
封裝
? ESOT-23-3L
原理圖
標(biāo)記和引腳分配
訂購(gòu)信息
審核編輯 黃昊宇
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