威兆半導(dǎo)體推出的VST012N20HS-G是一款面向 200V 中高壓超大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封裝，適配中高壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：200V，適配中高壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值10mΩ，中高壓場景下傳導(dǎo)損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 硅片約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：150A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為106A；
    • 環(huán)境溫約束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：18A；\(T_a=70^\circ\text{C}\)時降額為8A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：450A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足瞬時超大電流需求。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術(shù)：實現(xiàn)快速開關(guān)與高能量轉(zhuǎn)換效率，兼顧中高壓場景的功率密度與能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試與 100% Rg 測試，單脈沖雪崩能量達(dá) 1296mJ，抗沖擊能力極強；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：TO-220AB 直插封裝，包裝規(guī)格為 50pcs/Tube，適配大電流散熱需求的電路設(shè)計；
• 典型應(yīng)用：
  • 200V 級中高壓超大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器主開關(guān)管；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)的功率開關(guān)；
  • 工業(yè)設(shè)備、儲能系統(tǒng)的中高壓超大電流負(fù)載通斷控制。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）