威兆半導體推出的VS2622AE是一款面向 20V 低壓大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，支持 2.5V 邏輯電平控制，采用 PDFN3x3 封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值 4.8mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時 5.6mΩ，低壓場景下傳導損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=4.5V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 88A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 55A，承載能力強；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：280A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

• 2.5V 低邏輯電平控制：適配 2.5V/4.5V/10V 多邏輯驅動，無需額外電平轉換，簡化電路設計；
• 快速開關 + 高效率：開關特性優(yōu)異，搭配低導通電阻，提升低壓電源能效；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN3x3 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 4000pcs / 卷，適配小型化高功率密度電路板；
• 典型應用：
  • 20V 級低壓大電流 DC/DC 轉換器；
  • 消費電子、工業(yè)設備的中功率負載開關；
  • 小型儲能設備的電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）