臺(tái)積電3nm工藝功耗降低30% iPhone14趕不上首發(fā)
作為臺(tái)積電最大的客戶，蘋(píng)果的新款iPhone產(chǎn)品近年來(lái)都首發(fā)臺(tái)積電的新一代技術(shù)，但今年的iPhone 14無(wú)法趕上臺(tái)積電的3納米技術(shù)，還是使用4納米技術(shù)，高通驍龍 8 Gen2也是一樣。
有消息稱，臺(tái)積電的3納米工藝將推遲大規(guī)模生產(chǎn)。蘋(píng)果的下一代處理器不能使用3納米（N3）工藝，這已經(jīng)得到臺(tái)積電的正式確認(rèn)。臺(tái)積電官員表示，其N3工藝的量產(chǎn)將推遲3至4個(gè)月。因此，由于時(shí)間節(jié)點(diǎn)的原因，蘋(píng)果無(wú)法成為臺(tái)積電3納米工藝的第一個(gè)客戶。
據(jù)了解，臺(tái)積電的3納米工藝將在今年下半年大規(guī)模生產(chǎn)，并在明年上半年為收入作出貢獻(xiàn)。3 nm節(jié)點(diǎn)上至少有五代衍生工藝，即N3、N3P、N3S、N3X和N3E，將在未來(lái)兩三年內(nèi)大規(guī)模生產(chǎn)，其中N3工藝是最早的。與N5工藝相比，N3功耗可降低25-30%左右，性能可提高10-15%，晶體管密度可提高70%左右。
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審核編輯：郭婷
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