金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）是集成電路最重要的基本單元。金屬、氧化物、半導(dǎo)體在MOSFET中分別作為柵極、柵介質(zhì)、溝道及源漏，通過柵電壓的變化改變溝道區(qū)的積累、耗盡和反型，使得晶體管實(shí)現(xiàn)開關(guān)功能。最基本的MOSFET由柵（Gate，G）、源（Source,S）、漏（Drain，D）及體區(qū)（Body）組成。

根據(jù)溝道摻雜類型的不同，MOSFET分為nMOSFET和pMOSFET兩種，兩者組合在一起即為互補(bǔ)型MOS（Complementary MOS,CMOS）。平面MOSFET在集成電路器件發(fā)展中占據(jù)著主導(dǎo)地位。

因?yàn)閭鹘y(tǒng)的平面MOSFET只有一個(gè)柵極，而單柵器件對溝道的控制范圍有限，僅為溝道表面的一個(gè)薄層，因此在集成電路微縮過程中面臨著兩難問題：一方面，為了抑制因溝道長度變小所帶來的短溝道效應(yīng)，需要提高溝道的摻雜濃度；另一方面，溝道摻雜濃度過高，將引起器件隨機(jī)漲落及遷移率退化。

這兩個(gè)方面的問題是一對不可調(diào)和的矛盾，尤其是在集成電路技術(shù)發(fā)展到22nm節(jié)點(diǎn)以下時(shí)，器件漏電和性能退化的問題越來越嚴(yán)重。為了增強(qiáng)柵極對溝道的控制能力，全耗盡型SOI MOSFET 和三維多柵MOSFET逐漸成為平面單柵MOSFET的替代者。

審核編輯 ：李倩