據(jù)Digitimes報(bào)道，據(jù)晶圓廠工具制造商的消息人士透露，臺(tái)積電已將產(chǎn)能擴(kuò)張的重點(diǎn)放在3nm工藝制造和該代工廠在美國(guó)的先進(jìn)晶圓廠。

消息人士稱，臺(tái)積電在下調(diào)今年的資本支出前景后，將放緩產(chǎn)能擴(kuò)張步伐，以及代工廠的先進(jìn)封裝產(chǎn)能擴(kuò)張。盡管如此，消息人士表示，計(jì)劃擴(kuò)大其在中國(guó)臺(tái)灣南部的工廠場(chǎng)地以進(jìn)行3nm工藝制造，以及其在美國(guó)亞利桑那州的新晶圓廠項(xiàng)目仍在按計(jì)劃進(jìn)行。

臺(tái)積電正在Fab 18建造新設(shè)施，用于3nm工藝制造。消息人士指出，F(xiàn)ab 18位于中國(guó)臺(tái)灣南部科學(xué)園(STSP)，據(jù)信是臺(tái)積電(TSMC)主要3nm晶圓廠的所在地。

消息人士指出，英特爾報(bào)道延遲將3nm晶圓從臺(tái)積電開(kāi)始投產(chǎn)可能會(huì)擾亂代工廠增加3nm芯片產(chǎn)量的計(jì)劃，這將主要來(lái)自臺(tái)積電在寶山地區(qū)（中國(guó)臺(tái)灣北部新竹）的新工廠。據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電決定將其位于寶山地區(qū)的新gigafab的P8和P9設(shè)施轉(zhuǎn)換為專門為英特爾服務(wù)的3nm工藝制造。

至于臺(tái)積電在亞利桑那州的新晶圓廠，已于2021年開(kāi)工建設(shè)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，該代工廠計(jì)劃在12月舉行晶圓廠儀式，該晶圓廠將直接進(jìn)入5nm芯片生產(chǎn)，標(biāo)志著首批晶圓廠設(shè)備的安裝。臺(tái)積電有望在2024年使其美國(guó)晶圓廠投產(chǎn)。

不斷升級(jí)的貿(mào)易沖突和地緣政治緊張局勢(shì)給芯片制造市場(chǎng)增添了阻力，促使臺(tái)積電和中國(guó)臺(tái)灣晶圓代工企業(yè)下調(diào)了2022年的資本支出目標(biāo)，并對(duì)明年的支出持謹(jǐn)慎態(tài)度。聯(lián)電、VIS、力積電以及包括南亞科技等在內(nèi)的內(nèi)存代工廠，以及日月光封測(cè)廠等都下調(diào)了今年的資本支出預(yù)期。