在全球先進(jìn)半導(dǎo)體工藝中，臺(tái)積電、三星都有2nm工藝計(jì)劃，美國也能靠Intel實(shí)現(xiàn)2nm及以下的工藝，日本作為曾經(jīng)的半導(dǎo)體第一已經(jīng)沒有了先進(jìn)工藝生產(chǎn)能力，這也是他們要努力補(bǔ)上的，現(xiàn)在要聯(lián)手美國實(shí)現(xiàn)目標(biāo)。

今年上半年就有日本要聯(lián)合美國研發(fā)2nm工藝的消息，現(xiàn)在終于確定下來了，日本政府將撥款3500億日元（約合171億人民幣）與美國合作建設(shè)先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)中心。

按照計(jì)劃，這個(gè)先進(jìn)研發(fā)中心最快今年底成立，日美雙方會(huì)成立合資公司，目標(biāo)是在2025年到2030年之間實(shí)現(xiàn)2nm芯片量產(chǎn)。

由于日本本身并沒有2nm工藝這樣的研發(fā)能力，因此技術(shù)上還要靠美國公司，最可能的合作對(duì)象之一是IBM。

IBM雖然在幾年前退出了先進(jìn)工藝制造，但技術(shù)研發(fā)實(shí)力很強(qiáng)，之前就全球首發(fā)展示了2nm工藝以及1nm碳納米管工藝等黑科技。

這是日本針對(duì)半導(dǎo)體復(fù)興的投資計(jì)劃的一部分，除了先進(jìn)工藝之外，還會(huì)投資4500億日元建設(shè)先進(jìn)工藝生產(chǎn)中心，3700億日元用于半導(dǎo)體材料供應(yīng)。

而半導(dǎo)體也只是日本針對(duì)下一代科技布局的一部分，全部的計(jì)劃高達(dá)3萬億日元投資，其他內(nèi)容還涉及機(jī)器人、電池等等關(guān)鍵領(lǐng)域。