chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

微電子QFN封裝產(chǎn)品在切割過程中的熔錫成因和控制方法

1770176343 ? 來源:半導(dǎo)體封裝工程師之家 ? 作者:半導(dǎo)體封裝工程師 ? 2022-12-05 11:12 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

熔錫是微電子封裝 QFN(Quad Flat No-leads Package,方形扁平無引腳封裝)產(chǎn)品在切割生產(chǎn)過程中的核心質(zhì)量不良,是導(dǎo)致產(chǎn)品可焊性失效的關(guān)鍵風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)。本文針對 QFN 封裝產(chǎn)品的切割生產(chǎn)過程進(jìn)行熔錫失效的原因分析和對策探討。

引言

QFN 封裝切割的工藝特點(diǎn)是通過高速旋轉(zhuǎn)的切割刀片將整條料片切割分離成單顆的產(chǎn)品。在切割生產(chǎn)過程中,刀片和產(chǎn)品本身容易受到切削高溫的影響,使產(chǎn)品引腳表面的錫層發(fā)生異常熔化,這一現(xiàn)象通常稱為切割熔錫。由于熔錫不良會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品可焊性失效,這在微電子封裝生產(chǎn)過程中屬于嚴(yán)重的質(zhì)量不良。因此,解決 QFN 產(chǎn)品的切割熔錫問題顯得非常重要,本文著重分析微電子 QFN 封裝產(chǎn)品在切割過程中的熔錫成因和探討其控制方法。

1 切割熔錫的成因

1.1 QFN 切割工藝簡述

通常,QFN 產(chǎn)品在封裝后道的工藝流程如下:

塑封→電鍍→后烘→打印→切割

其中,QFN 封裝產(chǎn)品切割工藝如圖 1 所示,整條料片通過刀片旋轉(zhuǎn)切割分離成單顆的產(chǎn)品。切割移動(dòng)過程中,刀片表面和產(chǎn)品表面錫層同時(shí)采用冷卻水進(jìn)行噴射降溫處理,以降低刀片和產(chǎn)品所產(chǎn)生的切削高溫,避免產(chǎn)品造成切割熔錫等質(zhì)量不良。

8a22fb58-73d8-11ed-8abf-dac502259ad0.png

1.2 切割熔錫失效的成因及特征

(1)當(dāng)傳遞到產(chǎn)品切割面的切削溫度高于純錫的熔點(diǎn)溫度 232℃時(shí),QFN 封裝產(chǎn)品切割面的引腳則有熔錫的風(fēng)險(xiǎn);

(2)當(dāng)傳遞到產(chǎn)品切割面的切削溫度低于純錫的熔點(diǎn)溫度 232℃時(shí),QFN 封裝產(chǎn)品切割面的引腳則沒有熔錫的風(fēng)險(xiǎn)。

根據(jù)成因分析可知,切割熔錫失效主要是由于切割刀片傳遞到產(chǎn)品引腳表面錫層的溫度超過了純錫的熔點(diǎn)。根據(jù)熔錫位置不同,QFN 封裝產(chǎn)品切割熔錫失效有兩種特征:

如圖 2,產(chǎn)品引腳錫層產(chǎn)生局部的熔錫失效:

8a459df2-73d8-11ed-8abf-dac502259ad0.png

如圖 3,產(chǎn)品引腳錫層產(chǎn)生整體的熔錫失效:

8a680054-73d8-11ed-8abf-dac502259ad0.png

1.3 熔錫失效的不良后果

在 QFN 封裝產(chǎn)品從整條料片切割成單顆產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中,當(dāng)切削所釋放出來的溫度高于產(chǎn)品錫層熔點(diǎn)時(shí),產(chǎn)品引腳表面的錫層會(huì)產(chǎn)生熔化。這樣會(huì)造成引腳錫層脫落、銅層裸露氧化的現(xiàn)象,使產(chǎn)品在 PCB 板、電路板等焊接應(yīng)用的過程中,產(chǎn)生引腳虛焊、脫焊、短路等可焊性失效的質(zhì)量異常。

綜上所述,切割熔錫失效將直接造成產(chǎn)品可焊性失效的問題,這在電子元器件生產(chǎn)應(yīng)用中是重要的質(zhì)量隱患。因此,控制切割熔錫是微電子 QFN 封裝生產(chǎn)的一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn),我們從切割工藝設(shè)計(jì)和設(shè)備應(yīng)用的角度來實(shí)驗(yàn)分析,針對影響切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)因素進(jìn)行相應(yīng)的對策探討。

2 切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)分析

如表 1 所示,通過人、機(jī)、料、法、環(huán)五個(gè)維度來分析整體料片切割成單顆產(chǎn)品的過程,識別出 QFN封裝切割過程中的熔錫風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)。

8a89db34-73d8-11ed-8abf-dac502259ad0.png

從分析可知,切割熔錫的過程風(fēng)險(xiǎn)因素中,人員方面、設(shè)備本身、生產(chǎn)工藝方法、生產(chǎn)環(huán)境所造成產(chǎn)品切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)低,基本不會(huì)產(chǎn)生切割熔錫的問題。料片、切割刀片產(chǎn)生切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)中等,在其選型方面,應(yīng)遵循料片和刀片材料在常規(guī)的切割工藝條件下,本身不會(huì)造成切割熔錫這一原則。而設(shè)備噴嘴、供給冷卻水直接作用于料片和刀片的表面,是切割熔錫的高風(fēng)險(xiǎn)因素,也是解決和控制切削高溫造成切割熔錫的關(guān)鍵點(diǎn)。我們著重對噴嘴和冷卻水這兩個(gè)因素進(jìn)行分析和探討。

3 冷卻水的影響

3.1 冷卻水的溫度過高

冷卻水溫度是影響切割熔錫失效的關(guān)鍵因素,在產(chǎn)品切割過程中,控制切割冷卻水的溫度至關(guān)重要。如圖 4 所示,為冷卻水溫度對產(chǎn)品熔錫的影響趨勢分析。由批量生產(chǎn)驗(yàn)證數(shù)據(jù)得知,隨著冷卻水溫度的升高,產(chǎn)品熔錫的風(fēng)險(xiǎn)比例越高,熔錫數(shù)量也逐步增加;而水溫越低,產(chǎn)品熔錫的風(fēng)險(xiǎn)越小,熔錫的比例越少。結(jié)合廠務(wù)動(dòng)力成本和產(chǎn)品品質(zhì)來綜合考慮,切割冷卻水的輸出溫度控制在 10±2℃,能夠有效降低切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn),且較為經(jīng)濟(jì)合理。

8aacda62-73d8-11ed-8abf-dac502259ad0.png

3.2 冷卻水的流量過小

3.2.1 冷卻水流量的區(qū)間控制

如表 2 所示,在水溫條件穩(wěn)定的情況下,采用大小不同的水流量進(jìn)行產(chǎn)品切割實(shí)驗(yàn)分析。從數(shù)據(jù)分析可以看出,異常的水流量大小,會(huì)產(chǎn)生刀片崩刀、切割偏移、切割熔錫等質(zhì)量不良。當(dāng)切割冷卻水流量過小時(shí),切割刀片所產(chǎn)生的高溫不能及時(shí)降低而傳遞到產(chǎn)品引腳的錫層面,導(dǎo)致切割熔錫的問題。理論上,切割冷卻水流量越大其冷卻效果越好,在實(shí)際應(yīng)用過程中,應(yīng)綜合考慮如水流量過大容易造成刀片崩刀、產(chǎn)品位移切偏等不良因素。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知,切割冷卻水流量控制在 1.0-2.0L/Min 這一區(qū)間相對穩(wěn)定可靠。

8acac932-73d8-11ed-8abf-dac502259ad0.png

3.2.2 冷卻水流量的穩(wěn)定性控制

如上述分析可知,噴嘴出水流量的大小會(huì)影響到切割熔錫失效的比例,因此冷卻水流量輸出的穩(wěn)定性也是非常關(guān)鍵的一個(gè)控制點(diǎn)。在實(shí)際應(yīng)用過程中,水流量穩(wěn)定性控制可從動(dòng)力供給和設(shè)備裝置兩方面來考慮。動(dòng)力供給方面,可優(yōu)先選用潔凈度等級高于普通自來水的純水,并在設(shè)備冷卻水的進(jìn)水口安裝過濾器裝置來提高冷卻水水質(zhì)的穩(wěn)定性。而設(shè)備裝置方面,可采用電子流量計(jì)控制的設(shè)計(jì)方式來輸出冷卻噴射水的水流量,通過設(shè)定輸出目標(biāo)值,自動(dòng)監(jiān)測和自動(dòng)識別補(bǔ)償實(shí)際出水供給的水流量大小。相比較傳統(tǒng)的機(jī)械流量計(jì)而言,電子流量計(jì)能夠自動(dòng)調(diào)節(jié)控制,自動(dòng)修復(fù)水流波動(dòng)、管路堵塞等供給不穩(wěn)定的因素,可提前預(yù)防水流量異常的問題,提升冷卻系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

4 噴嘴的影響

噴嘴是切割冷卻水的傳輸裝置,它將切割冷卻水均勻地噴射到刀片和產(chǎn)品的表面,使刀片和產(chǎn)品在切割過程中的有限空間實(shí)現(xiàn)快速降溫。針對噴嘴的設(shè)計(jì)應(yīng)用,應(yīng)從噴嘴冷卻的均勻性、噴射的覆蓋面積、排屑的有效性這三個(gè)方面來考慮,以避免產(chǎn)品切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)。

4.1 噴嘴的功能結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

實(shí)際應(yīng)用中,刀片兩側(cè)的刃口通常需要實(shí)現(xiàn)瞬間降溫,以滿足各種 QFN 產(chǎn)品尺寸、材料類別的加工需求。特別是在切割有特殊工藝要求、熔錫敏感的產(chǎn)品時(shí),提升刀片和產(chǎn)品的冷卻效果尤為重要。

如圖 5 所示,在 A 點(diǎn)部位設(shè)計(jì) 90°垂直于刀片表面的噴嘴裝置,可提升噴嘴傳輸冷卻水的有效性,使冷卻水有效地作用于刀片,起到良好的刀片冷卻效果。同時(shí),還可在 B 點(diǎn)部位設(shè)計(jì)帶有 60°扇形角度的產(chǎn)品噴嘴裝置,這樣能夠?qū)Ξa(chǎn)品的引腳表面及切割槽深度同步進(jìn)行噴射冷卻。這樣的設(shè)計(jì)方式提高了產(chǎn)品切割的排屑能力,且大幅度提升了設(shè)備冷卻系統(tǒng)的兼容能力,降低了切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)。

8aea9d34-73d8-11ed-8abf-dac502259ad0.png

如表 3 所示,從噴嘴功能設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)分析的結(jié)果可以看出:實(shí)驗(yàn) 4,在 A 部位的刀片區(qū)域、B 部位的產(chǎn)品切割區(qū)域采用雙路冷卻水噴嘴裝置的設(shè)計(jì),其降溫冷卻效果明顯,質(zhì)量控制最為穩(wěn)定,產(chǎn)品沒有切割熔錫不良的問題。而實(shí)驗(yàn) 1、2、3,不采用冷卻噴嘴裝置或采用單一的噴嘴功能設(shè)計(jì),產(chǎn)品的冷卻效果均存在一定的局限性,在切割特定產(chǎn)品或特殊工藝條件下,均有切割熔錫的質(zhì)量不良。

8b0af07a-73d8-11ed-8abf-dac502259ad0.png

從實(shí)驗(yàn)結(jié)果得知,設(shè)備噴嘴采用雙路冷卻的功能設(shè)計(jì),能夠提升切割不同產(chǎn)品的兼容能力,提升切,減少切割熔錫失效的風(fēng)險(xiǎn)。

4.2 噴嘴口的形狀設(shè)計(jì)

噴嘴的噴射口采用不同的形狀設(shè)計(jì),其作用效果有很大差別。如表 4 所示,切割冷卻噴嘴的噴射口采用 3 種不同的形狀設(shè)計(jì),其冷卻效果和熔錫風(fēng)險(xiǎn)明顯不同。具體如下:

1、采用聯(lián)排孔形狀的設(shè)計(jì)方式,噴射出水為圓柱形狀。該形狀設(shè)計(jì)的噴水集中作用于刀片局部的固定區(qū)域,刀片局部面積受到水壓的沖擊力較大。在實(shí)際應(yīng)用中,其崩刀風(fēng)險(xiǎn)高,且噴射覆蓋的面積小,整體的冷卻效果差,熔錫的風(fēng)險(xiǎn)高。

2、采用“一”字形狀的設(shè)計(jì),噴射出水為直線形狀。整體的冷卻效果比聯(lián)排孔設(shè)計(jì)好,噴射覆蓋面積、崩刀和熔錫風(fēng)險(xiǎn)有明顯的改善。

3、采用“I”字形狀的設(shè)計(jì),噴射出水為扇面形狀。該結(jié)構(gòu)形狀設(shè)計(jì)的噴嘴呈扇形霧狀的形態(tài)噴射,因此降低了水壓對于產(chǎn)品和刀片的沖擊力,減少了切偏和崩刀的風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí),出水呈扇面形狀噴射,其噴射覆蓋面積廣,能夠?qū)⒗鋮s水有效地噴射到刀片和產(chǎn)品所需降溫的全部區(qū)域,這樣就大幅度地提升了冷卻效果,產(chǎn)品熔錫風(fēng)險(xiǎn)則明顯降低。

8b32fb7e-73d8-11ed-8abf-dac502259ad0.png

通過實(shí)驗(yàn)對比,刀片冷卻噴嘴采用“I”字形狀的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),其實(shí)用性最好。應(yīng)用到實(shí)際生產(chǎn)中,能夠有效降低切割熔錫等質(zhì)量隱患,從而提升 QFN 封裝切割的穩(wěn)定性。

5 切割熔錫失效的管控

針對切割熔錫的控制,可以從廠務(wù)動(dòng)力供給布局、產(chǎn)品工藝流程管控、設(shè)備功能結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等方面來考慮。

1、建立廠務(wù)動(dòng)力車間,采用冷水機(jī)等制冷設(shè)備將常溫的切割水降低到切割工藝所需的水溫。盡可能縮短冷卻水輸入和輸出管道的距離,并采用隔熱保溫棉包裹,減少水溫在傳輸過程中的熱量消耗,確保冷卻水的供給溫度穩(wěn)定且可控制。

2、建立新產(chǎn)品、新材料的風(fēng)險(xiǎn)評估流程。根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)評估結(jié)果,將切割參數(shù)、工藝條件、生產(chǎn)要求等制定標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程。針對核心風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)進(jìn)行分級授權(quán)管控,避免量產(chǎn)時(shí)造成切割熔錫失效。

3、在設(shè)備設(shè)計(jì)層面,將應(yīng)用穩(wěn)定的噴嘴機(jī)構(gòu)等備件圖紙進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化。同步上傳系統(tǒng)存檔并更新到設(shè)備技術(shù)協(xié)議,為后續(xù)新購設(shè)備提供技術(shù)參考。

4、影響切割熔錫的核心備件,如刀架噴嘴、刀片等,建立安裝調(diào)試和維護(hù)技能培訓(xùn)指導(dǎo)書,培訓(xùn)工程技術(shù)人員,提高設(shè)備切割熔錫的管控能力。

5、冷卻水輸出設(shè)備、傳輸管路、過濾裝置、噴嘴裝置等硬件設(shè)施,制定預(yù)防性維護(hù)要求和管理周期。定期對影響切割熔錫的部件進(jìn)行數(shù)據(jù)跟蹤、功能檢查,定期維護(hù)保養(yǎng)及更換。

6 結(jié)束語

微電子封裝 QFN 產(chǎn)品的外形結(jié)構(gòu)緊湊,體積小、重量輕、電性能和散熱性好,因此多應(yīng)用于集成度相對較高的高端電子產(chǎn)品中。根據(jù)其方形扁平的形狀特點(diǎn),整條料片分離成單顆的電路產(chǎn)品,通常采用效率高、成本低的切割工藝。本文是基于切割工藝生產(chǎn)中的切割熔錫失效現(xiàn)狀,從實(shí)際應(yīng)用和設(shè)計(jì)的角度給予分析和對策探討,以供參考。

審核編輯:郭婷

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • pcb
    pcb
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4398

    文章

    23817

    瀏覽量

    422444
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    9204

    瀏覽量

    148272
  • 電鍍
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    476

    瀏覽量

    25579

原文標(biāo)題:微電子封裝切割熔錫失效分析及對策

文章出處:【微信號:半導(dǎo)體封裝工程師之家,微信公眾號:半導(dǎo)體封裝工程師之家】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    激光焊接技術(shù)焊接微電子模塊工藝的應(yīng)用

    激光焊接技術(shù)作為一種高精度和高效率的加工方法微電子模塊的制造過程中扮演著至關(guān)重要的角色。其憑借獨(dú)特的能量控制方式和極小的熱影響區(qū),為
    的頭像 發(fā)表于 11-26 11:31 ?174次閱讀
    激光焊接技術(shù)<b class='flag-5'>在</b>焊接<b class='flag-5'>微電子</b>模塊工藝<b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用

    博捷芯精密劃片機(jī)厚膜電阻片切割的應(yīng)用

    一、應(yīng)用背景與需求分析厚膜電阻片作為電子電路實(shí)現(xiàn)電阻功能的核心元件,廣泛應(yīng)用于通信、汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域。其生產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 11-25 17:10 ?405次閱讀
    博捷芯精密劃片機(jī)<b class='flag-5'>在</b>厚膜電阻片<b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用

    半導(dǎo)體精密劃片機(jī):QFN封裝切割工序的核心支撐

    半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)向小型化、高密度、高可靠性方向快速演進(jìn)的過程中,QFN憑借其體積小、散熱性好、電性能優(yōu)異等突出優(yōu)勢,已成為消費(fèi)電子、汽車
    的頭像 發(fā)表于 11-17 15:58 ?323次閱讀
    半導(dǎo)體精密劃片機(jī):<b class='flag-5'>QFN</b><b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>切割</b>工序的核心支撐

    氬離子的拋光與切割技術(shù)

    觀察和成分分析提供理想的樣品表面。氬離子切割技術(shù)氬離子切割技術(shù)的核心在于利用寬離子束對樣品進(jìn)行精確切割。切割過程中,一個(gè)堅(jiān)固的擋板被用于遮
    的頭像 發(fā)表于 10-29 14:41 ?240次閱讀
    氬離子的拋光與<b class='flag-5'>切割</b>技術(shù)

    切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

    TTV 均勻性提供理論依據(jù)與技術(shù)指導(dǎo)。 一、引言 晶圓切割工藝,TTV 厚度均勻性是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良率與性能。切割液作為
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:23 ?534次閱讀
    <b class='flag-5'>切割</b>液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

    晶圓切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測控制

    摘要:本文針對超薄晶圓切割過程中 TTV 均勻性控制難題,研究晶圓切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測控制方法。分析影響
    的頭像 發(fā)表于 07-23 09:54 ?473次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>切割</b>深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測<b class='flag-5'>控制</b>

    基于多傳感器融合的切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償與晶圓 TTV 協(xié)同控制

    一、引言 晶圓制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵指標(biāo)。切割過程中切割深度的精準(zhǔn)控制直接影響 TTV 。然而,受切削力波動(dòng)、刀具磨損、工件材料特性差
    的頭像 發(fā)表于 07-21 09:46 ?530次閱讀
    基于多傳感器融合的<b class='flag-5'>切割</b>深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償與晶圓 TTV 協(xié)同<b class='flag-5'>控制</b>

    晶圓切割深度補(bǔ)償 - 切削熱耦合效應(yīng)對 TTV 均勻性的影響及抑制

    ;而切削熱作為切割過程中的必然產(chǎn)物,會(huì)顯著影響晶圓材料特性與切割狀態(tài) 。深度補(bǔ)償與切削熱之間存在復(fù)雜的耦合效應(yīng),這種效應(yīng)會(huì)對 TTV 均勻性產(chǎn)生重要影響,深入研究
    的頭像 發(fā)表于 07-18 09:29 ?480次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>中</b>深度補(bǔ)償 - 切削熱耦合效應(yīng)對 TTV 均勻性的影響及抑制

    切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

    一、引言 晶圓制造過程中,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過程中,受切削力、振動(dòng)、刀具磨損等因素影響,切割深度難以精準(zhǔn)
    的頭像 發(fā)表于 07-17 09:28 ?448次閱讀
    <b class='flag-5'>切割</b>深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

    晶圓切割振動(dòng) - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對厚度均勻性的影響及抑制方法

    一、引言 半導(dǎo)體晶圓制造流程里,晶圓切割是決定芯片質(zhì)量與生產(chǎn)效率的重要工序。切割過程中,振動(dòng)與應(yīng)力的耦合效應(yīng)顯著影響晶圓質(zhì)量,尤其對厚度均勻性干擾嚴(yán)重。深入剖析振動(dòng) - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對晶圓厚度均勻
    的頭像 發(fā)表于 07-08 09:33 ?654次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>中</b>振動(dòng) - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對厚度均勻性的影響及抑制<b class='flag-5'>方法</b>

    基于多物理場耦合的晶圓切割振動(dòng)控制與厚度均勻性提升

    一、引言 半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié),其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中,熱場、力場、流場等多物理場相互耦合,引發(fā)切割振動(dòng),嚴(yán)重影響晶圓厚度均勻性。探究多物理場
    的頭像 發(fā)表于 07-07 09:43 ?632次閱讀
    基于多物理場耦合的晶圓<b class='flag-5'>切割</b>振動(dòng)<b class='flag-5'>控制</b>與厚度均勻性提升

    切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

    引言 碳化硅襯底加工過程中,切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進(jìn)行工藝優(yōu)化,對提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。 量化關(guān)系分析
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:03 ?566次閱讀
    <b class='flag-5'>切割</b>進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

    用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

    摘要:本文針對晶圓切割過程中 TTV(總厚度偏差)控制難題,提出一種用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)。詳細(xì)介紹該機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工作原理及其
    的頭像 發(fā)表于 05-21 11:00 ?430次閱讀
    用于<b class='flag-5'>切割</b>晶圓 TTV <b class='flag-5'>控制</b>的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

    波峰焊點(diǎn)拉尖現(xiàn)象的成因與解決策略

    焊料焊點(diǎn)上的堆積。最后,精確控制波峰焊預(yù)熱溫度和錫溫,避免溫度偏差過大導(dǎo)致焊料流動(dòng)性變差。 通過上述措施,可以有效減少波峰焊點(diǎn)拉尖現(xiàn)象的發(fā)生,提高焊接質(zhì)量。上海鑒龍電子工程有限公司作為電子
    發(fā)表于 03-27 13:43

    晶硅切割液潤濕劑用哪種類型?

    切割液的潤滑性與分散性,減少切割過程中的摩擦,讓硅屑均勻分散,提高切割效率與硅片質(zhì)量。 同時(shí)降低動(dòng)態(tài)表面張力和靜態(tài)表面張力 : 泡沫管理 :優(yōu)先考慮低泡型,防止泡沫
    發(fā)表于 02-07 10:06