YC40N04BDE是優(yōu)晶推出的N溝道MOSFET，該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在DC/DC轉(zhuǎn)換、服務(wù)器的板載電源以及同步整流線路中。

某客戶在PCR項(xiàng)目TEC控制部分需要用到4個N溝道場效應(yīng)管來控制TEC，客戶想要了解一些國產(chǎn)廠牌的MOS，因此國芯思辰給其推薦了優(yōu)晶的N溝道場效應(yīng)管YC40N04BDE。

YC40N04BDE具有以下特點(diǎn)：

1、采用溝槽型功率中壓MOSFET技術(shù)，VDS耐壓可以達(dá)到40V，ID可以達(dá)到40A，對于低壓設(shè)計(jì)留有足夠的余量。

2、采用高密度單元設(shè)計(jì)，RDS(on) 低至8mΩ(VGS=10V)，極低的導(dǎo)通電阻，可以減少開關(guān)損耗。

3、工作溫度在-55℃-150℃之間，有較強(qiáng)的環(huán)境溫度適應(yīng)性，可以適用于低溫或者高溫的環(huán)境。

4、采用DFN3*3封裝，具有較強(qiáng)的散熱能力。

封裝示意圖：

綜上，YC40N04BDE在性能上都能滿足TEC驅(qū)動的設(shè)計(jì)要求，非常適用于PCR儀的設(shè)計(jì)。

審核編輯：湯梓紅