chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      低壓GaN器件，為什么還未被廣泛應(yīng)用

      lPCU_elecfans ? 來源：未知 ? 2022-12-13 07:10 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）從消費(fèi)電子電源類產(chǎn)品開始，GaN拉開了巨大市場發(fā)展空間的序幕，并逐漸往數(shù)據(jù)中心、汽車OBC甚至主驅(qū)逆變器等領(lǐng)域滲透。主流應(yīng)用的650V GaN HEMT在充電頭、以及數(shù)據(jù)中心電源上已經(jīng)開始被廣泛應(yīng)用。
      而隨著數(shù)據(jù)中心單機(jī)架的功率不斷提高，數(shù)據(jù)中心的次級端，機(jī)架的配電系統(tǒng)設(shè)計電壓從12V往48V升級。與此同時，數(shù)據(jù)中心配電系統(tǒng)的DC-DC中，低壓的GaN器件，比如40V和100V規(guī)格的GaN在這些系統(tǒng)中越來越受到重視。
      今年，OPPO在智能手機(jī)端也首次將低壓GaN器件應(yīng)用到手機(jī)內(nèi)部，用于快速充電的電路中。按照OPPO的說法，一顆GaN開關(guān)管可以代替以往方案中使用的兩顆硅基MOSFET，能夠減少體積，并由于GaN器件阻抗相比硅器件更低，在熱管理上也有更好的表現(xiàn)，降低充電路徑上的熱量消耗，降低充電溫升，提升充電性能。
      所以，低壓GaN器件有沒有機(jī)會取代更多硅基器件，比如在消費(fèi)電子產(chǎn)品內(nèi)的負(fù)載點POL轉(zhuǎn)換器中替代更多低壓的硅基器件？
      如果從GaN器件的角度來看，目前市面上有多家廠商都推出了100V、40V甚至更低電壓的GaN器件。比如英諾賽科、EPC、GaNSystems等，其中EPC甚至有15V的GaN產(chǎn)品供應(yīng)。
      EPC在2016年推出了一款型號為EPC2040的GaN功率晶體管，擊穿電壓為15V，在5V驅(qū)動電壓下導(dǎo)通電阻為30mΩ，工作溫度支持-40℃~150℃，可以應(yīng)用于自動駕駛激光雷達(dá)等場景。
      今年5月國內(nèi)GaN器件龍頭英諾賽科在IEEE功率半導(dǎo)體器件國際研討會(ISPSD)上展示了其15V GaN HEMT的研究進(jìn)展，據(jù)介紹，他們這款15V GaN HEMT在5 V V in / 1.5~4 V V out的轉(zhuǎn)換比下，采用半橋配置的GaN HEMTs制作的降壓轉(zhuǎn)換器在10 MHz下的效率超過90%。當(dāng)開關(guān)頻率增加到30 MHz時，轉(zhuǎn)換器仍然保持80%以上的效率。
      然而現(xiàn)實可能沒有想象中美好，英諾賽科在會議上還提到，盡管業(yè)界在低壓GaN HEMT方面做出了巨大努力，電源開關(guān)通常已經(jīng)低于40V，努力向消費(fèi)電子產(chǎn)品的應(yīng)用推進(jìn)。但與硅器件相比，低壓GaN HEMT在消費(fèi)電子產(chǎn)品上的廣泛應(yīng)用還面臨很大挑戰(zhàn)。
      在技術(shù)層面上，隨著GaN器件的尺寸縮小，接觸電阻和寄生電容的比例會大幅上升，閾值電壓下降，導(dǎo)致導(dǎo)通錯誤的風(fēng)險提高，關(guān)斷狀態(tài)泄露電流增加，以致于靜態(tài)損耗和動態(tài)損耗不穩(wěn)定。英諾賽科認(rèn)為，這些問題都影響了GaN HEMT在小體積的消費(fèi)電子產(chǎn)品上廣泛應(yīng)用的可能。
      另一方面，有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，在100V以下的低壓領(lǐng)域，GaN相比硅有開關(guān)損耗和功率密度的優(yōu)勢，但目前低壓的硅基器件已經(jīng)做得足夠好，成本上的巨大優(yōu)勢是GaN難以逼近的。除非是一些特殊的應(yīng)用中，對開關(guān)頻率要求較高，比如前面提到OPPO在手機(jī)快充電路中用一顆GaN開關(guān)管替代以往兩顆硅基MOSFET的操作。
      無論如何，業(yè)界對低壓GaN器件的研究還在繼續(xù)，不少研究團(tuán)隊都在這個方向努力，比如德國Fraunhofer IAF研究所的科學(xué)家在PCIM2021上發(fā)表過關(guān)于緊湊型低壓GaN HEMT設(shè)計的論文?；蛟S隨著成本的持續(xù)降低，以及快充等需求的持續(xù)升級，低壓GaN器件會有取代硅的一天。

      聲明：本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng)，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交流，請?zhí)砑游⑿舉lecfans999，投稿爆料采訪需求，請發(fā)郵箱huangjingjing@elecfans.com。


      更多熱點文章閱讀

      • 狂砸900億美元！塔塔集團(tuán)半導(dǎo)體投資超美歐補(bǔ)貼，印度半導(dǎo)體制造這就成了？
      • 全球首架C919正式交付，背后是中國制造業(yè)的崛起
      • 包機(jī)出海拿下10億訂單！企業(yè)面對面溝通，或更利于電子產(chǎn)品出口！
      • 千億芯片出貨的Arm，能在PC市場稱王嗎？
      • 被裹挾的臺積電與昂貴的“美國制造”：投資400億美元補(bǔ)貼不足5%

      原文標(biāo)題：低壓GaN器件，為什么還未被廣泛應(yīng)用

      文章出處：【微信公眾號：電子發(fā)燒友網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

      原文標(biāo)題：低壓GaN器件，為什么還未被廣泛應(yīng)用

      文章出處：【微信號：elecfans，微信公眾號：電子發(fā)燒友網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關(guān)推薦
        熱點推薦

        GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

        繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場地位與廣闊應(yīng)用前景。
        的頭像 發(fā)表于 09-02 17:18 ?4042次閱讀
        <b class='flag-5'>GaN</b> HEMT<b class='flag-5'>器件</b>的結(jié)構(gòu)和工作模式

        GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實踐

        GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中，如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 相比
        的頭像 發(fā)表于 07-09 11:13 ?2758次閱讀
        <b class='flag-5'>GAN</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>在機(jī)器人上的應(yīng)用實踐

        MOSFET與IGBT的選擇對比：中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

        在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點，適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景，能
        的頭像 發(fā)表于 07-07 10:23 ?2086次閱讀
        MOSFET與IGBT的選擇對比：中<b class='flag-5'>低壓</b>功率系統(tǒng)的權(quán)衡

        新型功率器件的老化測試方法

        隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導(dǎo)致性能退化。如何在短時間內(nèi)
        的頭像 發(fā)表于 06-03 16:03 ?1040次閱讀
        新型功率<b class='flag-5'>器件</b>的老化測試方法

        基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設(shè)計

        當(dāng)今的電源設(shè)計要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?/div>
        的頭像 發(fā)表于 05-19 09:29 ?784次閱讀
        基于德州儀器TOLL封裝<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>器件</b>優(yōu)化電源設(shè)計

        GaN與SiC功率器件深度解析

        本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對市售GaN與SiC功率晶體
        的頭像 發(fā)表于 05-15 15:28 ?1180次閱讀
        <b class='flag-5'>GaN</b>與SiC功率<b class='flag-5'>器件</b>深度解析

        Nexperia擴(kuò)展E-mode GaN FET產(chǎn)品組合

        Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FE
        的頭像 發(fā)表于 03-19 17:16 ?972次閱讀

        CERNEX窄帶高功率放大器（GaN）

        高功率放大器采用堅固的帶狀線電路架構(gòu)，并精選GaN器件，確保了卓越的操作可靠性。憑借高功率、高效率、高頻率覆蓋及寬帶性能，CNP GaN系列窄帶高功率放大器已成為現(xiàn)代射頻系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，廣泛應(yīng)
        發(fā)表于 02-21 10:39

        SC1249廣泛應(yīng)用于電子測試和測量系統(tǒng)，替代ADI AD9208

        SC1249廣泛應(yīng)用于電子測試和測量系統(tǒng)，替代ADI AD9208
        的頭像 發(fā)表于 02-18 09:56 ?614次閱讀
        SC1249<b class='flag-5'>廣泛應(yīng)用</b>于電子測試和測量系統(tǒng)，替代ADI AD9208

        圓形連接器的廣泛應(yīng)用場景及其優(yōu)勢

        在現(xiàn)代工業(yè)和科技領(lǐng)域，圓形連接器因其獨特的結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于各種場景。本文將詳細(xì)介紹圓形連接器的主要應(yīng)用場景及其優(yōu)勢，幫助您更好地理解其重要性。 1. 工業(yè)自動化 在工業(yè)自動化領(lǐng)域，圓形
        的頭像 發(fā)表于 02-17 11:30 ?580次閱讀

        國產(chǎn)AFE廣泛應(yīng)用于PLC/DCS中的模擬量輸入模塊

        國產(chǎn)AFE廣泛應(yīng)用于PLC/DCS中的模擬量輸入模塊
        的頭像 發(fā)表于 02-17 10:09 ?699次閱讀
        國產(chǎn)AFE<b class='flag-5'>廣泛應(yīng)用</b>于PLC/DCS中的模擬量輸入模塊

        目前GaN正逐漸廣泛應(yīng)用的四個主要中電壓領(lǐng)域

        這篇技術(shù)文章由德州儀器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰寫，主要介紹了中電壓氮化鎵（GaN）在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢和應(yīng)用情況，強(qiáng)調(diào)其對電子設(shè)計轉(zhuǎn)型的推動
        的頭像 發(fā)表于 02-14 14:12 ?871次閱讀
        目前<b class='flag-5'>GaN</b>正逐漸<b class='flag-5'>廣泛應(yīng)用</b>的四個主要中電壓領(lǐng)域

        垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術(shù)

        。這項技術(shù)為橫向和垂直GaN(vGaN)器件的單片集成提供了一種簡單且可靠的潛在方法。垂直GaN器件橫向GaNHEMT器件已
        的頭像 發(fā)表于 01-16 10:55 ?937次閱讀
        垂直與橫向<b class='flag-5'>GaN</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>單片集成的高效隔離技術(shù)

        遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測試方案

        遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器
        的頭像 發(fā)表于 01-14 09:42 ?1643次閱讀
        遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V <b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>器件</b>的特性測試方案

        安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點

        GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點和用量遞增，也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美（onsemi）新推出的iGaN NCP5892x系列，集成eGaN與驅(qū)動電路一體化，讓電源工程師在
        的頭像 發(fā)表于 11-15 10:37 ?912次閱讀
        安森美<b class='flag-5'>GaN</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的功能和優(yōu)點