隨著PC、服務器等應用終端不斷升級迭代，其在數(shù)據(jù)存儲上對低延遲、低功耗、高速度、大帶寬等提出了越來越高的要求，導入擁有更高性能、更穩(wěn)定可靠的DDR5內(nèi)存模組或?qū)⒊蔀楦玫拇鎯鉀Q方案。近期，佰維新推出高品質(zhì)DDR5 UDIMM、SODIMM內(nèi)存模組，以更好應對市場挑戰(zhàn)。

佰維DDR5內(nèi)存產(chǎn)品特點

數(shù)據(jù)傳輸速率大幅提升，輕松實現(xiàn)多任務處理

佰維DDR5 UDIMM和SODIMM內(nèi)存模組數(shù)據(jù)傳輸速率達4800Mbps，突發(fā)長度和預取長度擴展到16位，使得存儲器單一讀寫指令可存取的數(shù)據(jù)量是DDR4的兩倍；此外，DDR5每個模塊均擁有兩個獨立的32位I/O子通道，雙通道設計在保證大帶寬的同時，可提高存儲器存取效率，大幅縮短存取延遲，提高信號完整性，保障PC等終端輕松實現(xiàn)多任務處理。

更低電壓與嶄新電源架構(gòu)，有效降低功耗

佰維DDR5模組工作電壓從DDR4的1.2V降低至1.1V，將電源管理系統(tǒng)從主板拆分，集成IC至模組本身（PMIC），可更高效控制系統(tǒng)電源負載，調(diào)節(jié)電源紋波、電壓和上下電時序，提升信號完整性與兼容性，并有效降低功耗。

芯片單元容量翻倍，提供更多容量選擇

佰維DDR5采用八個Bank Group組成的32 Banks，相較于DDR4的16 Banks增加一倍，提升了單片芯片存儲密度，單條容量相應提升，為內(nèi)存模組容量提供8GB~32GB的多種選擇。

On-Die ECC糾錯+智能溫感控制，高穩(wěn)定、高可靠

佰維DDR5模組采用高品質(zhì)晶圓顆粒，支持片內(nèi)糾錯（On-Die ECC）機制，每128位元數(shù)據(jù)就附帶8位元糾錯碼；產(chǎn)品使用一組差分信號（DQS_t和DQS_c）來捕獲數(shù)據(jù)，一組差分時鐘（CK_t和CK_c）來捕獲命令、地址和控制信號，差分時鐘和數(shù)據(jù)選通確保了這些信號的特殊抗噪性，并提供精確的觸發(fā)沿來捕獲輸入信號，大大提高了模組的數(shù)據(jù)傳輸可靠性；此外，佰維DDR5模組支持智能溫感控制，可有效避免存儲器因過度發(fā)熱、溫度過高造成數(shù)據(jù)丟失。

未來展望

當下，除傳統(tǒng)應用終端（如手機、PC、服務器等）迅速更新迭代外，5G、AI等新興技術(shù)亦不斷發(fā)展，隨之而生的各種應用終端迅速占領(lǐng)市場，對高效能運算提出要求。DDR5在性能上的巨大飛躍使其能廣泛應用于上述領(lǐng)域（PC、服務器、AIoT、5G應用），并為AR/VR設備、邊緣計算、工控等各種高性能、高可靠需求領(lǐng)域終端賦能。

佰維積極布局DDR5內(nèi)存模組，構(gòu)建全棧產(chǎn)品線，公司的全棧測試能力也為DDR5產(chǎn)品提供量產(chǎn)品質(zhì)保證。未來，佰維將繼續(xù)充分發(fā)揮研發(fā)封測一體化優(yōu)勢，在已量產(chǎn)的DDR5 UDIMM、SODIMM產(chǎn)品基礎(chǔ)上，開發(fā)生產(chǎn)DDR5 RDIMM產(chǎn)品，全力推動DDR5時代的到來。