達拉斯半導(dǎo)體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場上的其他一些NV存儲器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。

NVSRAM

達拉斯半導(dǎo)體NVSRAM（圖1）具有內(nèi)部鋰電源和獨立的控制電路，可持續(xù)監(jiān)控V抄送超出公差條件。當(dāng)這種情況發(fā)生時，鋰電池會自動打開并無條件啟用寫保護以防止數(shù)據(jù)損壞?？梢詧?zhí)行的寫入周期數(shù)沒有限制，微處理器接口也不需要額外的支持電路。Dallas NVSRAM 還可以僅依靠電池供電可靠地存儲長達 10 年的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)至少存儲 100 年，當(dāng) V抄送已供電。DIP封裝器件可用于代替直接符合常用的字節(jié)寬28或32引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)有靜態(tài)RAM。也可提供表面貼裝部件。

圖1.電池備份的NVSRAM。

諾夫拉姆

NOVRAM（圖2）沒有內(nèi)部電池;相反，它們具有存儲數(shù)據(jù)的內(nèi)部EEPROM。數(shù)據(jù)使用包含存儲和檢索命令的自定義固件在EEPROM之間傳輸。這些命令可以是自動的，也可以通過硬件或軟件啟動。

圖2.諾夫拉姆。

NVSRAM和NOVRAM之間的差異

NVSRAM和NOVRAM之間存在許多差異。為簡單起見，差異分為以下幾類：寫入周期、存儲和檢索數(shù)據(jù)的時間、易用性和標(biāo)準(zhǔn)引腳排列。

寫入周期

電池備份的NVSRAM可以無限次寫入。使用 NOVRAM 時，寫入周期是有限的。EEPROM通常只能寫入1，000，000次，然后就會磨損。

存儲和檢索數(shù)據(jù)的時間

使用達拉斯NVSRAM，用戶不必擔(dān)心存儲或檢索數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)會自動存儲和調(diào)用。在達拉斯NVSRAM中存儲數(shù)據(jù)（功率損耗）的時間為1.5μs，而NOVRAM為10ms。要在EEPROM中存儲或檢索數(shù)據(jù)，用戶必須使用軟件命令或切換引腳。必須完成多個地址讀取序列才能存儲數(shù)據(jù)。NOVRAM需要20μs和幾個地址讀取序列來檢索存儲在EEPROM中的數(shù)據(jù)。在向EEPROM存儲或檢索數(shù)據(jù)時，無法讀取或?qū)懭隢OVRAM。

易用性

達拉斯NVSRAM使用起來更方便，因為它們不需要任何額外的組件。NOVRAM需要一個額外的電容器來為EEPROM供電。還建議在芯片使能或?qū)懯鼓芤_和V之間使用電阻器抄送以避免數(shù)據(jù)損壞。

除了額外的組件外，NOVRAM還需要自定義固件來存儲和調(diào)用來自EEPROM的數(shù)據(jù)。另一方面，Dallas NVSRAM不需要額外的固件來處理保存和/或檢索數(shù)據(jù)。

標(biāo)準(zhǔn)引腳排列

所有達拉斯NVSRAM都兼容JEDEC。NOVRAM具有額外的引腳，使該器件與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)SRAM和NVSRAM插座不兼容。額外的引腳用于存儲和召回操作。在某些器件上，片選引腳被存儲/召回啟用引腳取代。

結(jié)論

與NOVRAM相比，使用NVSRAM的優(yōu)勢在于NVSRAM可以快速存儲數(shù)據(jù)，無需自定義 需要固件，寫入周期不受限制，無需其他組件，引腳布局 兼容 JEDEC。

審核編輯：郭婷