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NVSRAMNVSRAMDallas Semiconductor NVSRAM(Dallas Semiconductor NVSRAM(圖 1圖 1)具有內(nèi)部鋰電源和獨立控制電路,可持續(xù)監(jiān)控 V )具有內(nèi)部鋰電源和獨立控制電路,可持續(xù)監(jiān)控 V CCCC是否超出容差條件。當(dāng)出現(xiàn)這種情況時,鋰電池會自動開啟并無條件啟用寫保護(hù)以防止數(shù)據(jù)損壞。可以執(zhí)行的寫周期數(shù)沒有限制,微處理器接口不需要額外的支持電路。Dallas NVSRAM 還可以可靠地存儲數(shù)據(jù)長達(dá) 10 年,完全依靠電池供電。V CC時數(shù)據(jù)至少可保存 100 年是否超出容差條件。當(dāng)出現(xiàn)這種情況時,鋰電池會自動開啟并無條件啟用寫保護(hù)以防止數(shù)據(jù)損壞。可以執(zhí)行的寫周期數(shù)沒有限制,微處理器接口不需要額外的支持電路。Dallas NVSRAM 還可以可靠地存儲數(shù)據(jù)長達(dá) 10 年,完全依靠電池供電。V CC時數(shù)據(jù)至少可保存 100 年通電。DIP 封裝器件可用于直接符合流行的字節(jié)寬度 28 或 32 針 DIP 標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)有靜態(tài) RAM。也可提供表面貼裝部件。通電。DIP 封裝器件可用于直接符合流行的字節(jié)寬度 28 或 32 針 DIP 標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)有靜態(tài) RAM。也可提供表面貼裝部件。圖 1. 電池供電的 NVSRAM。圖 1. 電池供電的 NVSRAM。NOVRAMNOVRAMNOVRAM(NOVRAM(圖 2圖 2
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