DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

　　DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫(xiě)保護(hù)將無(wú)條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。此外，DS1345W器件具有監(jiān)視VCC狀態(tài)和內(nèi)部鋰電池狀態(tài)的專用電路。PowerCap模塊封裝的DS1345W器件可以直接表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個(gè)完整的非易失SRAM模塊。可用來(lái)替代128k x 8 SRAM、EEPROM或閃存器件。

　　關(guān)鍵特性

　　在沒(méi)有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)

　　當(dāng)VCC電壓跌落時(shí)，電源監(jiān)視器能夠復(fù)位處理器、并在VCC上升期間持續(xù)保持處理器的復(fù)位狀態(tài)

　　電池監(jiān)視器核查剩余電量

　　100ns的讀寫(xiě)存取時(shí)間

　　沒(méi)有寫(xiě)次數(shù)限制

　　典型待機(jī)電流50μA

　　可升級(jí)128k x 8 SRAM、EEPROM或閃存

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開(kāi)、維持保鮮狀態(tài)

　　可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)溫度范圍，指定為IND

　　PowerCap模塊(PCM)封裝

　　表面貼裝模塊

　　可更換的即時(shí)安裝PowerCap提供備份鋰電池

　　所有非易失SRAM器件提供標(biāo)準(zhǔn)引腳

　　分離的PowerCap用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸

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SR(23936) SR(23936)
DS1345W(6737) DS1345W(6737)

評(píng)論

2W 88-269VAC 輸入、+3.3V 和 -3.3V 雙輸出參考設(shè)計(jì)

`描述This reference design generates an isolated 2W dual output (+3.3V & -3.3V) from AC

2015-03-12 10:29:05

3.3V單片機(jī)控制3.3V大功率LED失敗

單片機(jī)是STC15L104W,MOS管是HUF75307D,用3.6V的3節(jié)充電電池接上后MOS管一直導(dǎo)通,不受單片機(jī)控制,燈珠是3.3V 3W的大功率燈珠

2019-09-18 03:45:09

DS1243, DS1243Y資料介紹_64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘

DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock

2012-01-04 12:11:06

SN65HVD23D DS電源電壓寫(xiě)5V, 請(qǐng)問(wèn)是否可以用3.3V？

1 ISO3082我查DS寫(xiě)VCC1=3.3v, VCC2=5V,請(qǐng)問(wèn)兩個(gè)電壓是否可以都接3.3V？ 2 SN65HVD23D我查DS電源電壓寫(xiě)5V, 請(qǐng)問(wèn)是否可以用3.3V 3請(qǐng)問(wèn)還有沒(méi)有其它轉(zhuǎn)RS485的訊號(hào)IC是3.3v？

2025-01-08 07:04:56

STC15W4K48S4使用DS1302時(shí)鐘模塊

STC15W4K48S4使用ds1302 讀取的時(shí)候顯示85.請(qǐng)問(wèn)是要加上拉電阻么。應(yīng)該加多大的。（我的電源是3.3v）

2018-05-15 20:46:32

單個(gè)LTC1149在17W時(shí)提供3.3V和5V電壓

DN72- 單個(gè)LTC1149在17W時(shí)提供3.3V和5V電壓

2019-07-02 06:29:25

可以為L(zhǎng)SM6DS33提供3.3V的電源電壓?jiǎn)?/a>

嗨， LSM6DS33的典型電源電壓為1.8V，最大限制為3.6V。如果連續(xù)為設(shè)備提供3.3V的電源電壓，這樣可以嗎？問(wèn)候，Prachi＃lsm6ds33以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 Hi

2018-09-14 09:54:59

用于音頻的3.3V DC至DC單輸出電源的評(píng)估板NV890100PDR2GEVB

NV890100PDR2GEVB，用于音頻的3.3V DC至DC單輸出電源的評(píng)估板。 NCV890100是一款固定頻率，單芯片，降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，適用于汽車，電池連接應(yīng)用，必須在高達(dá)36V的輸入電源下工作

2019-04-08 10:56:57

用于音頻的3.3V DC至DC單輸出電源的評(píng)估板NV890130PDR2GEVB

NV890130PDR2GEVB，用于音頻的3.3V DC至DC單輸出電源的評(píng)估板。 NCV890130是一款固定頻率，單芯片，降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，適用于汽車電池連接應(yīng)用，必須采用高達(dá)32 V的輸入電源供電

2019-04-08 07:33:53

NV SRAM Frequently Asked Quest

such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u

2009-04-24 09:40:39

DS90LV019,pdf datasheet (3.3V

interconnect applications.The device operates from a single 3.3V or 5.0Vpower supply and includes one differential line driver

2009-10-13 09:27:44

DS90LV019,pdf datasheet (3.3V

interconnect applications.The device operates from a single 3.3V or 5.0Vpower supply and includes one differential line driver

2009-10-13 09:30:17

DS90C3202,pdf datasheet (3.3V

The DS90C3202 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colorreceiver is designed to be used in Liquid

2009-10-14 10:12:17

DS90C3201,pdf datasheet (3.3V

The DS90C3201 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colortransmitter is designed to be used

2009-10-14 10:26:47

3.3V DSP for Digital Motor Con

5V to 3.3V to offer higher performance at lower cost. Replacing traditional 5V digital controlcircuitry by 3.3V designs introduce no addi

2009-11-12 14:28:05

DS1345YP-100+是一款監(jiān)測(cè)器

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出

2023-07-21 15:23:14

DS1245是一款芯片

DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否

2023-07-21 15:38:54

DS1248是一款芯片

具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦

2023-07-24 09:29:49

新一代NV SRAM技術(shù)

新一代NV SRAM技術(shù) 第一代NV SRAM模塊問(wèn)世近20年來(lái)，NV SRAM技術(shù)不斷更新，以保持與各種應(yīng)用同步發(fā)展，同時(shí)滿足新的封裝技術(shù)不斷增長(zhǎng)的需求。發(fā)展與現(xiàn)狀

2008-11-26 08:24:53

1237

3.3V, HD Video Filter Amplifie

3.3V, HD Video Filter Amplifiers Save Power in Set-Top Boxes and Portable Equipment

2008-12-10 11:50:46

1691

DS3650 NV SRAM控制器、RTC及監(jiān)控電路，帶有篡

DS3650 NV SRAM控制器、RTC及監(jiān)控電路，帶有篡改檢測(cè) DS3650是一款4線兼容控制器，滿足支付卡行業(yè)(PCI)以及其他數(shù)據(jù)保護(hù)和安全性能很關(guān)鍵的設(shè)備的溫度和電

2009-03-02 14:53:11

974

Y2K兼容、非易失時(shí)鐘SRAM DS1744

　　DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過(guò)如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字

2010-09-28 09:05:42

1307

DS1220Y 16k非易失SRAM

　　DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路

2010-10-20 09:04:42

1402

DS1350 4096k非易失(NV) SRAM

　　DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，

2010-10-21 09:01:27

1211

DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

　　DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

2010-10-21 09:03:59

1214

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

　　DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，

2010-10-22 08:58:38

1165

DS1330 256k非易失(NV) SRAM

　　DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

2010-10-22 09:00:58

1904

DS1330W 256k全靜態(tài)非易失SRAM

　　DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制

2010-10-22 09:04:04

1281

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按

2010-11-07 09:37:51

992

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-10 09:31:52

1000

DS1225AB及DS1225AD全靜態(tài)非易失(NV) SR

　　DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照

2010-11-10 09:36:27

1689

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

　　DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:43:53

1078

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

　　DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路

2010-11-24 09:47:28

1161

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

　　DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:53:31

2113

DS1250 4096k、非易失SRAM

　　DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及

2010-12-07 10:18:01

1741

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

　　DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-12-07 10:21:02

1215

AS7C256 pdf(5V/3.3V 32K X 8 CMOS SRAM)

Features AS7C256 (5V version) AS7C3256 (3.3V version) Industrial and commercial temperature

2011-04-02 10:38:51

DS3605 非易失(NV)SRAM控制器(中文資料)

DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)

2011-04-27 10:23:37

1201

DS1244,DS1244P 256k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘

DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘

2011-12-19 11:15:39

2071

DS1244,DS1244P數(shù)據(jù)資料

DESCRIPTION The DS1244 256K NV SRAM with a Phantom clock is a fully static nonvolatile RAM (NV SRAM

2011-12-19 11:33:09

DS1248,DS1248P帶有隱含時(shí)鐘非易失RAM

具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。

2012-01-04 10:49:18

1560

DS1243,DS1243Y 64k 非易失SRAM

The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192

2012-01-04 11:23:28

DS1248,DS1248P 1024k NV SRAM

The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K

2012-01-04 11:29:19

DS1251,DS1251P 4096k NV SRAM

The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K

2012-01-04 11:30:52

DS1086L 3.3V擴(kuò)頻EconOscillator

DS1086L EconOscillator?是一種3.3V、可編程時(shí)鐘發(fā)生器，可產(chǎn)生頻率在130kHz至66.6MHz、經(jīng)過(guò)頻譜擴(kuò)展(抖動(dòng))的方波輸出。

2012-03-22 15:45:06

2716

仙童3.3V高速的光耦器

仙童3.3V高速的光耦器

2012-08-31 15:11:38

8030

3.3V—5V連接技巧與訣竅

3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅

2015-12-14 14:11:20

cy62158ev30 mobl? 8兆位（1024 K×8）靜態(tài)RAM

The CY62158EV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 1024K words by 8 bits.

2017-09-14 15:09:58

as7c316098b REV 1.0 1024K×16位高速CMOS SRAM

The AS7C316098B is a 16M-bit high speed CMOS static random access memory organized as 1024K words

2017-09-19 17:32:52

3.3v 32K×8的CMOS SRAM（常見(jiàn)的I/O）AS7C3256A

The AS7C3256A is a 3.3V high-performance CMOS 262，144-bit Static Random-Access Memory （SRAM） device

2017-09-20 09:32:58

1m×16高速異步CMOS靜態(tài)RAM與3.3V電源IS61WV102416BLL

TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLL are high-speed， 16M-bit static RAMs organized as 1024K

2017-09-20 10:13:33

SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM帶實(shí)時(shí)時(shí)鐘

SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM帶實(shí)時(shí)時(shí)鐘

2017-10-10 08:56:32

[TI設(shè)計(jì)參考]3.3V電源調(diào)節(jié)器

[TI設(shè)計(jì)參考]3.3V電源調(diào)節(jié)器。

2018-05-30 10:05:18

電源中的+12V/+5V/+3.3V都給哪些硬件供電?

不過(guò)現(xiàn)在的機(jī)械硬盤(pán)的主控電路并不一定需要+3.3V的供電，因?yàn)樗鼈兇蠖甲詭в?5V轉(zhuǎn)+3.3V的電壓轉(zhuǎn)換電路，因此即便只有+12V和+5V供電也可以正常工作，必須用到+3.3V的機(jī)會(huì)其實(shí)已經(jīng)大大減少。

2018-09-28 14:56:33

41864

5V如何轉(zhuǎn)3.3V的N種方法

5V轉(zhuǎn)3.3V的N種方法

2020-02-04 15:16:54

25947

18V降壓3.3V和15V 降壓 3.3V的芯片和LDO芯片和方案說(shuō)明

LDO芯片，PW6206， DC-DC降壓IC：PW2312PW2330PW2250.18V降壓3.3V，15V降壓3.3V的降壓IC和LDO芯片方案

2020-11-24 08:00:00

18V降壓3.3V，15V降壓3.3V的降壓IC和LDO芯片方案

18V降壓3.3V，15V降壓3.3V的降壓IC和LDO芯片方案

2020-11-25 17:56:09

18V轉(zhuǎn)3.3V，15V轉(zhuǎn)3.3V的電源芯片和40V的LDO

18V轉(zhuǎn)3.3V，15V轉(zhuǎn)3.3V的電源芯片和40V的LDO

2020-11-25 17:50:58

15V和18V降壓到3.3V的芯片和LOD的方案免費(fèi)下載

15V 降壓 3.3V，18V 降壓 3.3v 電源芯片，降壓芯片，穩(wěn)壓芯片，的幾款大電流 DC-DC 降壓和 LDO，芯片選型和電路圖，恒壓輸出的好幾款芯片，低功耗大電流降壓 IC 15V 降壓

2020-11-30 08:00:00

3.7V和5V降壓到3.3V的降壓芯片和LDO方案免費(fèi)下載

3.7V 降壓 3.3V，5V 降壓 3.3V 降壓 IC，3A 降壓芯片，降壓芯片和 LDO，高效率穩(wěn)壓芯片，低功耗 LDO 和 DC 芯片，穩(wěn)壓固定 3.3V 芯片，升降壓 3.3V 芯片，芯片

2020-11-30 08:00:00

3.3V和3V降壓到1.8V的芯片和LDO方案說(shuō)明

3.3V 降壓 1.8V，3V 降壓 1.8V 穩(wěn)壓芯片，降壓芯片，電源芯片和 LDO，輸出 3A 芯片，外圍簡(jiǎn)單降壓芯片，固定穩(wěn)壓 1.8V 的 IC，效率 95%降壓芯片，三極管穩(wěn)壓 IC

2020-11-30 08:00:00

18V和15V降壓到3.3V的芯片選型方案詳細(xì)說(shuō)明

5V 降壓 3.3V，18V 降壓 3.3v 電源芯片，降壓芯片，穩(wěn)壓芯片，的幾款大電流 DC-DC 降壓和 LDO，芯片選型和電路圖，恒壓輸出的好幾款芯片，低功耗大電流降壓 IC 15V 降壓

2020-12-08 08:00:00

9V和12V降壓到3.3V的芯片選型方案免費(fèi)下載

9V 降壓 3.3V，12V 降壓 3.3V 的 DC-DC 降壓芯片，外圍極簡(jiǎn) 3A 的 LDO，持續(xù)穩(wěn)定輸出芯片方案，穩(wěn)壓芯片，開(kāi)關(guān)芯片，低紋波低功耗電源 IC，給 MCU 供電和 3A 降壓

2020-12-08 08:00:00

1.2V升壓到3V和3.3V的升壓芯片下載

1.2V升壓到3V和3.3V的升壓芯片

2020-12-24 09:25:39

1V轉(zhuǎn)3.3V芯片的方案和電路圖詳細(xì)說(shuō)明

1V 轉(zhuǎn) 3.3V 供電是簡(jiǎn)單的，僅需要一個(gè)芯片和三個(gè)外圍元件即可組成這樣的一個(gè) 1V 轉(zhuǎn) 3.3V 的電路圖和升壓電路了。可以持續(xù)穩(wěn)定地供電 3.3V 給模塊或者 MCU 燈電路。讓后端工作穩(wěn)定

2020-12-24 08:00:00

LT8618-3.3 Demo Circuit - High Efficiency 3.3V Step-Down Converter (5.5-65V to 3.3V @ 100mA)

LT8618-3.3 Demo Circuit - High Efficiency 3.3V Step-Down Converter (5.5-65V to 3.3V @ 100mA)

2021-01-30 11:43:15

LT3066 Demo Circuit - 3.3V Supply with 497mA Precision Current Limit (3.6-45V to 3.3V @ 450mA)

LT3066 Demo Circuit - 3.3V Supply with 497mA Precision Current Limit (3.6-45V to 3.3V @ 450mA)

2021-03-11 11:02:19

DN33-為3.3V數(shù)字系統(tǒng)供電

DN33-為3.3V數(shù)字系統(tǒng)供電

2021-04-19 13:59:33

LT1585-3.3演示電路-3.3V、4.6A穩(wěn)壓器(4.75-7V至3.3V@4.6A)

LT1585-3.3演示電路-3.3V、4.6A穩(wěn)壓器(4.75-7V至3.3V@4.6A)

2021-06-07 08:13:44

LT3007演示電路-3.3V，20 mA電源，帶關(guān)機(jī)(3.8-45V至3.3V，20 mA時(shí))

LT3007演示電路-3.3V，20 mA電源，帶關(guān)機(jī)(3.8-45V至3.3V，20 mA時(shí))

2021-06-07 14:04:04

LTC3525-3.3演示電路-單堿性或NiMH至3.3V轉(zhuǎn)換器(1-1.6V至3.3V@60 mA)

LTC3525-3.3演示電路-單堿性或NiMH至3.3V轉(zhuǎn)換器(1-1.6V至3.3V@60 mA)

2021-06-10 14:36:58

電源+3.3V有什么用，如何解決電源3.3v的輸出異常

DDR內(nèi)存是3.3V，DDR1內(nèi)存是2.5V參考電壓是1.25V，DDR2內(nèi)存是1.8V電壓參考電壓是0.9V。 CPU供電是雙12V的，3.3V主要是供給開(kāi)機(jī)，復(fù)位5VSB(待機(jī)電壓)內(nèi)存電壓偏低

2021-06-23 16:28:35

5864

NV-SRAM與BBSRAM之間的比較

隨著無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。

2022-01-25 19:50:51

信號(hào)被上拉，但電平不是3.3V的原因

根據(jù)分壓原理，35K的下拉電阻和10K的上拉電阻，中間的分壓點(diǎn)電壓計(jì)算就是3.3V*35/(35+10)=2.567V。理論分析對(duì)得上實(shí)際測(cè)試結(jié)果。

2022-07-23 14:26:15

8103

3.3V USBasp修改開(kāi)源分享

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《3.3V USBasp修改開(kāi)源分享.zip》資料免費(fèi)下載

2023-01-03 10:21:59

電池備份NV SRAM和NOVRAMS之間的比較

達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場(chǎng)上的其他一些NV存儲(chǔ)器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。

2023-01-10 14:25:59

2053

如何用等效密度NV SRAM模塊替換DS1213智能插座

DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命，可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品，客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。

2023-01-12 16:11:59

1871

3.3V穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)

本電路采用電壓調(diào)整器TL431A，首先生成2.495V的基準(zhǔn)電壓，再經(jīng)過(guò)同相放大生成3.3V電壓，為保證3.3V電源的帶載能力，后增加一功率三極管，這樣3.3V電源電流是從5V處取得，從而提高了3.3V電源的輸出能力，整個(gè)電路的功耗也很小。

2023-03-27 11:50:32

9614

鋰電池升壓3V,3.3V,3.7V升壓5V,9V,12V大小電流方案合集，3W-300W方案

鋰電池升壓3V,3.3V,3.7V升壓5V,9V,12V大小電流方案合集，功率3W-300W可選型

2022-09-20 10:54:58

9051

SMAJ3.3(C)A 瞬態(tài)二極管 SMA封裝 3.3V

低電壓TVS瞬變抑制二極管在實(shí)際應(yīng)用中，很常用，比如3.3V、5V、6V、6.5V、7V、7.5V、8V、8.5V、9V等等。關(guān)于3.3V的TVS二極管，之前TVS廠家東沃電子（DOWOSEMI）向

2022-09-29 17:40:50

5642

為什么是3.3V與1.8V？3.3V與1.8V是哪里來(lái)的？

3.3V是因?yàn)楫?dāng)年演進(jìn)到.35um工藝的時(shí)候柵極氧化層厚度減到了7nm左右，能承受的最大源漏電壓大概是4V。減去10%安全裕量是3.6V。又因?yàn)榘寮?jí)電路的供電網(wǎng)絡(luò)一般是保證+-10%的裕量，所以標(biāo)準(zhǔn)

2025-11-21 15:37:54

8256

DS1345YP-70+ - (Maxim Integrated) - 存儲(chǔ)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1345YP-70+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1345YP-70+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1345YP-70+真值表，DS1345YP-70+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2023-07-31 18:48:32

SD NAND關(guān)于3.3V和1.8V之間的轉(zhuǎn)換

SD NAND默認(rèn)是3.3V的，有些MCU只支持1.8V，為了適配1.8V，SD NAND需要內(nèi)部用命令把3.3V轉(zhuǎn)換成1.8V，下圖是SD協(xié)議規(guī)范

2023-09-21 14:19:03

4818

5V轉(zhuǎn)3.3V的N種方法

開(kāi)關(guān)電源輸出的5V轉(zhuǎn)化為專門(mén)用于芯片供電的3.3V電壓

2023-11-02 14:59:05

電源中+3.3V有什么用？如果3.3 V電源的異常輸出，如何解決呢？

電源中+3.3V有什么用？如果3.3 V電源的異常輸出，如何解決呢？ +3.3V電源在電子設(shè)備中具有重要的作用。它是一種低壓電源，廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路、模擬電路以及微控制器、傳感器等各種集成電路的供電

2023-11-16 14:16:00

5112

3.3v串口與5v串口通信問(wèn)題

在嵌入式系統(tǒng)和通信領(lǐng)域，串口（Serial Port）是一種常見(jiàn)的接口類型，用于進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。然而，不同的設(shè)備可能使用不同的電壓標(biāo)準(zhǔn)，例如3.3V和5V。當(dāng)需要在這兩種電壓設(shè)備之間進(jìn)行通信時(shí)，可能會(huì)

2023-12-19 13:51:30

12486

3.3V土10%輸入，1.5KV隔離3.3V/1W單路輸出解決方案VP8504B001數(shù)據(jù)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《3.3V土10%輸入，1.5KV隔離3.3V/1W單路輸出解決方案VP8504B001數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載

2024-05-15 14:56:41

DS90CR285/DS90CR286 +3.3V上升沿?cái)?shù)據(jù)選通LVDS 28位通道鏈路數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DS90CR285/DS90CR286 +3.3V上升沿?cái)?shù)據(jù)選通LVDS 28位通道鏈路數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載

2024-06-22 10:11:09

DS90CR215/DS90CR216 +3.3V上升沿?cái)?shù)據(jù)選通LVDS21位通道鏈路數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DS90CR215/DS90CR216 +3.3V上升沿?cái)?shù)據(jù)選通LVDS21位通道鏈路數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載

2024-06-22 10:12:28

DS90LV019 3.3V或5V LVDS驅(qū)動(dòng)器/接收器數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DS90LV019 3.3V或5V LVDS驅(qū)動(dòng)器/接收器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載

2024-07-11 10:05:50

DS1249AB 2048k非易失SRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否

2025-02-27 09:09:09

953

DS1244系列256k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC

2025-02-27 10:10:50

933

DS1248 1024k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)，寫(xiě)保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:38:41

750

DS1251 4096k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)，寫(xiě)保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:44:58

892

DS1243 64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

帶幻象時(shí)鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM（結(jié)構(gòu)為8192個(gè)字x 8位）。DS1243Y具有獨(dú)立的鋰能源和控制電路，可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容

2025-02-28 10:31:43

996