DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

　　關(guān)鍵特性

　　在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)5年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護

　　沒有寫次數(shù)限制

　　低功耗CMOS操作

　　100ns的讀寫存取時間

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

　　可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(IND)溫度范圍

　　通過美國保險商實驗室協(xié)會(UL)認證

閱讀全文

非易(7872) 非易(7872)
DS1270W(6322) DS1270W(6322)

真正非易失性FPGA的優(yōu)勢

并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應時間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復制的。

2022-11-14 15:34:19

2378

英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應用，包括航天和工業(yè)應用。

2021-04-01 11:10:54

3054

0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的性能

0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能

2021-02-04 07:15:14

DS4520非易失性(NV)I/O擴展器中文資料

　　?在引導閃存之間選擇　　?設置ASIC配置/配置文件　　?服務器　　?網(wǎng)絡存儲　　?路由器　　?電信設備　　?PC外圍設備　　一般說明　　DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴展器，具有64

2020-07-02 16:55:41

非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？

2021-05-08 08:17:26

非易失性MRAM基礎(chǔ)知識匯總

MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。

2020-12-16 07:21:39

非易失性MRAM的基礎(chǔ)知識匯總

2020-12-10 07:20:20

非易失性內(nèi)存有寫入限制嗎？

我們正在構(gòu)建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。

2023-05-30 08:48:06

Cypress非易失性SRAM技術(shù)

非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行

2020-04-08 14:58:44

Dallas DS1230 - FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器

描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。

2022-07-14 07:51:06

TPL1401數(shù)字電位器易失性和非易失性的區(qū)別是什么？

數(shù)字電位器存儲類型標注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設當前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個位置了?！?b class="flag-6" style="color: red">非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個位置。是這個意思嗎

2024-11-21 07:15:57

雙路非易失可變電阻器DS3902相關(guān)資料下載

概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之

2021-05-17 07:29:10

如何使用Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件下載程序？

親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福

2019-08-22 10:31:44

如何去編譯超過16MB的flash的ESP32S2呢？

在數(shù)據(jù)手冊上看到ESP32S2是支持1GB 的flash和1GB的RAM的，但是在ESP-IDF的配置文件好像還是最多16MB的。那如何去編譯超過16MB的flash的ESP32S2呢？求解答！謝謝。

2024-06-20 08:20:11

NV SRAM Frequently Asked Quest

such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u

2009-04-24 09:40:39

DS1270是一款芯片

DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:18:27

DS1330是一款芯片

DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:20:44

DS1345YP-100+是一款監(jiān)測器

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出

2023-07-21 15:23:14

DS1220是一款芯片

DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC

2023-07-21 15:28:06

DS1230是一款芯片

DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:37:16

DS1245是一款芯片

DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否

2023-07-21 15:38:54

EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器

EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器

2023-10-24 15:38:16

可編程非易失(NV)存儲器的質(zhì)詢-響應安全認證IC DS28

Maxim推出帶有用戶可編程非易失(NV)存儲器的質(zhì)詢-響應安全認證IC DS28E10。采用經(jīng)過業(yè)內(nèi)認證的FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1),結(jié)合主控制器提供的可編程私鑰和隨機質(zhì)詢的命令實現(xiàn)整個認

2010-08-14 15:12:26

單片非易失性存儲器DS3070W的性能特點及應用

DS3070W是Dallas公司最新推出的單片、內(nèi)含實時時鐘的非易失性靜態(tài)存儲器。該器件內(nèi)部集成了16 Mb NV SRAM、非易失性控制器、實時時鐘和一個鋰錳（ML）可充電電池。介紹了DS3070W的性能

2010-12-06 15:31:46

DS4301非易失、32抽頭數(shù)字電位器

DS4301非易失、32抽頭數(shù)字電位器 DS4301是一款單32抽頭線性數(shù)字電位器，具有200kΩ端到端電阻。滑動端位置存儲在EEPROM中，因此DS4301上電時就處于最近

2008-10-01 23:49:53

1158

DS1804 非易失調(diào)節(jié)電位器

DS1804 非易失調(diào)節(jié)電位器 DS1804 NV微調(diào)電位器是非易失數(shù)字電位器，具有100個抽頭位置。為CPU控制或手動控制輸入的低成本電路調(diào)節(jié)應用提供了一個理

2008-10-02 00:00:57

2415

高度集成、10位可編程gamma和VCOM基準系統(tǒng)，帶有非易

高度集成、10位可編程gamma和VCOM基準系統(tǒng)，帶有非易失存儲器 SUNNYVALE，CA。2009年6月22日。Maxim Integrated Products (NASDAQ：MXIM)推出帶有非易失(NV)存儲器的低成本、16通道、gam

2009-06-27 22:28:12

756

非易失Y2K兼容時鐘RAM DS1557

　　該DS1557是一個全功能實時時鐘/日歷(RTC的同一個RTC報警，看門狗定時器，上電復位，電池監(jiān)控)，以及512K的× 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶訪問DS1557內(nèi)部所有寄存器完成了一個字節(jié)寬

2010-09-15 09:51:32

1001

非易失性SRAM DS1747

　　DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬

2010-09-28 08:58:30

1444

Y2K兼容、非易失時鐘SRAM DS1744

　　DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字

2010-09-28 09:05:42

1307

256k非易失、Y2K兼容時鐘RAM DS1554

　　DS1554是一個全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實時時鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時器/日歷(RTC)上電復位，電池監(jiān)控，和32K × 8非易失

2010-09-28 09:11:08

1867

DS1220Y 16k非易失SRAM

　　DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路

2010-10-20 09:04:42

1402

DS1350 4096k非易失(NV) SRAM

　　DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，

2010-10-21 09:01:27

1211

DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

　　DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

2010-10-21 09:03:59

1214

DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

　　DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控

2010-10-21 09:06:32

1445

DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM

　　DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等

2010-10-22 08:52:09

1601

DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘

　　DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計時功能等同于

2010-10-22 08:55:09

1169

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

　　DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，

2010-10-22 08:58:38

1165

DS1330 256k非易失(NV) SRAM

　　DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

2010-10-22 09:00:58

1904

DS1330W 256k全靜態(tài)非易失SRAM

　　DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制

2010-10-22 09:04:04

1281

DS3065WP非易失(NV)PowerCap SRAM模塊

　　MXIM推出DS3065WP，一個1米x 8非易失(NV)與一個嵌入式實時時鐘(RTC)和電池包在一個PowerCap

2010-10-28 08:46:50

900

DS1225Y 64K非易失SRAM

　　DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照

2010-11-03 09:26:23

2299

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按

2010-11-07 09:37:51

992

DS1225AB及DS1225AD全靜態(tài)非易失(NV) SR

　　DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照

2010-11-10 09:36:27

1689

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

　　DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:43:53

1078

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

　　DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路

2010-11-24 09:47:28

1161

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

　　DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:53:31

2113

DS1250 4096k、非易失SRAM

　　DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及

2010-12-07 10:18:01

1741

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

　　DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-12-07 10:21:02

1215

DS1851雙路溫度控制非易失性(NV)DAC

DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個EEPROM查詢表，和一個數(shù)字式溫度傳感器組成。兩個DAC可以編程為任意的溫度系數(shù)，這意味著無需任何外部器件，就可以修正任何系統(tǒng)的溫度影響。

2011-01-22 09:29:11

735

DS3605 非易失(NV)SRAM控制器(中文資料)

DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實時時鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應用提供篡改保護

2011-04-27 10:23:37

1201

DS3911 非易失(NV)控制器

DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)

2011-06-30 10:05:02

1915

DS1500 看門狗RTC,帶有非易失控制

DS1500為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有報警、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)控、256字節(jié)內(nèi)置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個32.768kHz頻率的輸出

2011-12-19 11:08:18

2147

DS1244,DS1244P 256k NV SRAM,帶有隱含時鐘

DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘

2011-12-19 11:15:39

2071

DS1251,DS1251P全靜態(tài)非易失RAM

具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。

2012-01-04 10:41:50

1101

DS1248,DS1248P帶有隱含時鐘非易失RAM

具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。

2012-01-04 10:49:18

1560

DS1243Y 64K非易失SRAM

DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內(nèi)置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存。

2012-01-04 10:53:26

1584

DS1243,DS1243Y 64k 非易失SRAM

The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192

2012-01-04 11:23:28

DS1323設計靈活的非易失控制器

DS1323設計靈活的非易失控制器帶有鋰電池監(jiān)測器，采用CMOS電路設計，用于解決CMOS SRAM轉(zhuǎn)換成非易失存儲器的實際應用問題。

2012-04-16 12:11:02

2664

DS1314非易失控制器,帶有鋰電池監(jiān)測器

DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應用問題。

2012-07-19 14:21:12

1865

DS1312非易失控制器

DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應用問題。

2012-07-19 14:26:37

1109

DS1218非易失控制器芯片

DS1218非易失控制器芯片供應電路要求提供標準CMOS RAM非易失性。

2012-07-19 14:28:14

1883

DS1210非易失控制器芯片

DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應用問題。

2012-07-19 14:30:07

4121

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲器由一個100級線性變化電位器、一個256級線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。

2013-02-19 16:53:30

2864

使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM

使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南

2017-01-07 21:45:57

使用非易失性計時RAM與微控制器

The nonvolatile timekeeping family of real-time clock （RTC） products provide battery-backed NV SRAM

2017-04-07 09:57:02

新型非易失存儲MVM數(shù)據(jù)管理

為適應底層存儲架構(gòu)的變化，上層數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲器件（NVM）的出現(xiàn)，勢必對數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)帶來重大

2018-01-02 19:04:40

非易失可重復編程FPGA解決方案的應用

事實上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗基礎(chǔ)上，萊迪思半導體（Lattice Semiconductor）公司還認識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場邏輯更新的全面解決方案。

2019-06-16 09:48:47

2069

關(guān)于非易失性NV-SRAM的簡介，它的用途是什么

。本文存儲芯片供應商宇芯電子先帶大家認識一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡介在現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中，存在大量內(nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時宜的隨機存取存儲器（RAM）。這個名稱意義不大，因為當今所有內(nèi)存都是隨機訪問的。當工程

2020-09-11 16:09:32

2230

非易失性NV-SRAM的應用，它的應用優(yōu)勢是什么

NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數(shù)據(jù)，而且在封裝技術(shù)方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲以及幾乎不需要現(xiàn)場維護的場合。因此將比較它需要多長時間來擦除64Kb數(shù)據(jù)及寫入新數(shù)據(jù)

2020-10-27 14:22:51

772

非易失性NVSRAM存儲器的詳細講解

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細講解.pdf》資料免費下載

2020-11-25 11:12:00

非易失性存儲器NV-SRAM的關(guān)鍵屬性是什么

NV-SRAM具有以下優(yōu)點，可以滿足理想SRAM器件的要求，該器件適用于游戲應用中的非易失性緩存實施。快速訪問：系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問速度直接相關(guān)。如果管理不當，則連接到快速控制器的慢速

2020-12-18 14:44:28

1216

賽普拉斯NV-SRAM的解決方案，它的優(yōu)勢是什么

賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍

2020-12-22 15:18:33

851

如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

一種由普通SRAM、后備電池以及相應控制電路集成的新型存儲器：非易失性SRAM（NVSRAM）。為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題，國外著名半導體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以

2021-01-11 16:44:20

2306

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲器

相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，由262，144字×16位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)制造。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的

2021-04-08 15:42:02

1621

UC-009：尋址16MB外部數(shù)據(jù)存儲器

UC-009：尋址16MB外部數(shù)據(jù)存儲器

2021-04-25 10:55:11

血液透析機專用非易失性Everspin MRAM芯片

文章介紹一些應用在血液透析機上的非易失性MRAM. 血液透析機使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因為MRAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨特的MRAM屬性提高了

2021-11-11 16:26:49

793

使用非易失性FRAM替換SRAM時的問題和解決方案

，運行速度與 SRAM 相同，TSOP封裝與SRAM兼容。MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)運行。 ? ? ? ? ?在快速頁面模式下，F(xiàn)RAM

2022-01-12 15:12:20

1308

NV-SRAM是什么，它的主要特征是什么

NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨立的非易失性存儲器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲器中，并

2022-06-10 15:23:01

1441

FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費下載

2022-07-12 10:20:41

STT-MRAM非易失存儲器特點及應用

STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。

2022-11-29 15:57:58

2187

電池備份NV SRAM和NOVRAMS之間的比較

達拉斯半導體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場上的其他一些NV存儲器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。

2023-01-10 14:25:59

2053

簡單的非易失性門控

作為使用PAL、GAL或CPLD器件實現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲門控信號（模塊或發(fā)送）。

2023-01-12 11:30:52

1731

基于SRAM的微控制器優(yōu)化了安全性

結(jié)果表明，非易失性（NV）SRAM是用于存儲安全數(shù)據(jù)的最安全的存儲器。通過使用 DES 或三重 DES 加密內(nèi)存，可以建立加密邊界，使安全信息不被黑客滲透。通過使用防篡改反應傳感器，可以進一步保護

2023-03-01 16:16:28

1570

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。

2023-05-12 16:31:39

882

使用XOD訪問ESP32非易失性存儲

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲.zip》資料免費下載

2023-06-15 14:35:41

賽普拉斯的NV-SRAM接口解決方案

賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。

2024-01-09 10:54:28

1370

DS1249AB 2048k非易失SRAM技術(shù)手冊

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否

2025-02-27 09:09:09

953

DS1265AB 8M非易失SRAM技術(shù)手冊

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍

2025-02-27 09:19:54

825

DS1244系列256k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC

2025-02-27 10:10:50

933

DS1248 1024k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:38:41

750

DS1251 4096k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:44:58

892