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詳解:“史密斯圓圖”是怎么“掰彎”的?

電子工程技術(shù) ? 來源:電子工程技術(shù) ? 2023-01-16 15:37 ? 次閱讀
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不管多么經(jīng)典的射頻教程,為什么都做成黑白的呢?讓想理解史密斯原圖的同學(xué)一臉懵逼。

8e0228dc-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg
這是什么東東?

今天解答三個(gè)問題:

1、是什么?

2、為什么?

3、干什么?

1、是什么?

該圖表是由菲利普·史密斯(Phillip Smith)于1939年發(fā)明的,當(dāng)時(shí)他在美國(guó)的RCA公司工作。史密斯曾說過,“在我能夠使用計(jì)算尺的時(shí)候,我對(duì)以圖表方式來表達(dá)數(shù)學(xué)上的關(guān)聯(lián)很有興趣”。

史密斯圖表的基本在于以下的算式。

8e6a1032-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

當(dāng)中的Γ代表其線路的反射系數(shù)(reflection coefficient)

即S參數(shù)(S-parameter)里的S11,ZL是歸一負(fù)載值,即ZL / Z0。當(dāng)中,ZL是線路本身的負(fù)載值,Z0是傳輸線的特征阻抗(本征阻抗)值,通常會(huì)使用50Ω。

簡(jiǎn)單的說:就是類似于數(shù)學(xué)用表一樣,通過查找,知道反射系數(shù)的數(shù)值。

2、為什么?

我們現(xiàn)在也不知道,史密斯先生是怎么想到“史密斯圓圖”表示方法的靈感,是怎么來的。

很多同學(xué)看史密斯原圖,屎記硬背,不得要領(lǐng),其實(shí)沒有揣摩,史密斯老先生的創(chuàng)作意圖。

我個(gè)人揣測(cè):是不是受到黎曼幾何的啟發(fā),把一個(gè)平面的坐標(biāo)系,給“掰彎”了。

我在表述這個(gè)“掰彎”的過程,你就理解,這個(gè)圖的含義了。(坐標(biāo)系可以掰彎、人盡量不要“彎”;如果已經(jīng)彎了,本人表示祝福)


現(xiàn)在,我就掰彎給你看。

世界地圖,其實(shí)是一個(gè)用平面表示球體的過程,這個(gè)過程是一個(gè)“掰直”。

史密斯原圖,巧妙之處,在于用一個(gè)圓形表示一個(gè)無窮大的平面。

2.1、首先,我們先理解“無窮大”的平面。

首先的首先,我們復(fù)習(xí)一下理想的電阻、電容、電感的阻抗。

在具有電阻、電感和電容的電路里,對(duì)電路中的電流所起的阻礙作用叫做阻抗。阻抗常用Z表示,是一個(gè)復(fù)數(shù),實(shí)際稱為電阻,虛稱為電抗,其中電容在電路中對(duì)交流電所起的阻礙作用稱為容抗 ,電感在電路中對(duì)交流電所起的阻礙作用稱為感抗,電容和電感在電路中對(duì)交流電引起的阻礙作用總稱為電抗。阻抗的單位是歐姆。

R,電阻:在同一電路中,通過某一導(dǎo)體的電流跟這段導(dǎo)體兩端的電壓成正比,跟這段導(dǎo)體的電阻成反比,這就是歐姆定律。

標(biāo)準(zhǔn)式:8e7b523e-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.png。(理想的電阻就是 實(shí)數(shù),不涉及復(fù)數(shù)的概念)。

如果引入數(shù)學(xué)中復(fù)數(shù)的概念,就可以將電阻、電感、電容用相同的形式復(fù)阻抗來表示。既:電阻仍然是實(shí)數(shù)R(復(fù)阻抗的實(shí)部),電容、電感用虛數(shù)表示,分別為:

Z= R+i( ωL–1/(ωC))

說明:負(fù)載是電阻、電感的感抗、電容的容抗三種類型的復(fù)物,復(fù)合后統(tǒng)稱“阻抗”,寫成數(shù)學(xué)公式即是:阻抗Z= R+i(ωL–1/(ωC))。其中R為電阻,ωL為感抗,1/(ωC)為容抗。

(1)如果(ωL–1/ωC) > 0,稱為“感性負(fù)載”;

(2)反之,如果(ωL–1/ωC) < 0稱為“容性負(fù)載”。

我們仔細(xì)看阻抗公式,它不再是一個(gè)實(shí)數(shù)。它因?yàn)殡娙荨㈦姼械拇嬖?,它變成了一個(gè)復(fù)數(shù)。

電路中如果只有電阻,只影響幅度變化。

我們通過上圖,我們知道,正弦波的幅度發(fā)生了變化,同時(shí),相位也發(fā)生了變化,同時(shí)頻率特性也會(huì)變化。所以我們?cè)谟?jì)算的過程中,即需要考慮實(shí)部,也需要考慮虛部。

我們可以在一個(gè)復(fù)平面里面,以實(shí)部為x軸、以虛部為y軸,表示任意一個(gè)復(fù)數(shù)。我們的阻抗,不管多少電阻、電容、電感串聯(lián)、并聯(lián),之后,都可以表示在一個(gè)復(fù)平面里面。

在 RLC 串聯(lián)電路中,交流電源電壓 U = 220 V,頻率 f = 50 Hz,R = 30 Ω,L =445 mH,C =32 mF。



在上圖中,我們看到通過幾個(gè)矢量的疊加,最終阻抗在復(fù)平面中,落在了藍(lán)色的圓點(diǎn)位置。

所以,任意一個(gè)阻抗的計(jì)算結(jié)果,我們都可以放在這個(gè)復(fù)平面的對(duì)應(yīng)位置。

各種阻抗的情況,組成了這個(gè)無窮大的平面。

2.2、反射公式

信號(hào)沿傳輸線向前傳播時(shí),每時(shí)每刻都會(huì)感受到一個(gè)瞬態(tài)阻抗,這個(gè)阻抗可能是傳輸線本身的,也可能是中途或末端其他元件的。對(duì)于信號(hào)來說,它不會(huì)區(qū)分到底是什么,信號(hào)所感受到的只有阻抗。如果信號(hào)感受到的阻抗是恒定的,那么他就會(huì)正常向前傳播,只要感受到的阻抗發(fā)生變化,不論是什么引起的(可能是中途遇到的電阻,電容,電感,過孔,PCB轉(zhuǎn)角,接插件),信號(hào)都會(huì)發(fā)生反射。

錢塘江大潮,就是河道的寬度變化引起了反射,這跟電路中阻抗不連續(xù),導(dǎo)致信號(hào)反射,可以類比。反射聚集的能量疊加在一起,引起的過沖。也許這個(gè)比喻不恰當(dāng),但是挺形象。

那么有多少被反射回傳輸線的起點(diǎn)?衡量信號(hào)反射量的重要指標(biāo)是反射系數(shù),表示反射電壓和原傳輸信號(hào)電壓的比值。

反射系數(shù)定義為:

其中:Z0為變化前的阻抗,ZIN為變化后的阻抗。假設(shè)PCB線條的特性阻抗為50歐姆,傳輸過程中遇到一個(gè)100歐姆的貼片電阻,暫時(shí)不考慮寄生電容電感的影響,把電阻看成理想的純電阻,那么反射系數(shù)為:


信號(hào)有1/3被反射回源端。

如果傳輸信號(hào)的電壓是3.3V電壓,反射電壓就是1.1V。純電阻性負(fù)載的反射是研究反射現(xiàn)象的基礎(chǔ),阻性負(fù)載的變化無非是以下四種情況:阻抗增加有限值、減小有限值、開路(阻抗變?yōu)闊o窮大)、短路(阻抗突然變?yōu)?)。

初始電壓,是源電壓Vs(2V)經(jīng)過Zs(25歐姆)和傳輸線阻抗(50歐姆)分壓。

Vinitial=1.33V

后續(xù)的反射率按照反射系數(shù)公式進(jìn)行計(jì)算

源端的反射率,是根據(jù)源端阻抗(25歐姆)和傳輸線阻抗(50歐姆)根據(jù)反射系數(shù)公式計(jì)算為-0.33;

終端的反射率,是根據(jù)終端阻抗(無窮大)和傳輸線阻抗(50歐姆)根據(jù)反射系數(shù)公式計(jì)算為1;

我們按照每次反射的幅度和延時(shí),在最初的脈沖波形上進(jìn)行疊加就得到了這個(gè)波形,這也就是為什么,阻抗不匹配造成信號(hào)完整性不好的原因。

那么我們做一個(gè)重要的假設(shè)!

為了減少未知參數(shù)的數(shù)量,可以固化一個(gè)經(jīng)常出現(xiàn)并且在應(yīng)用中經(jīng)常使用的參數(shù)。這里Z0(特性阻抗)通常為常數(shù)并且是實(shí)數(shù),是常用的歸一化標(biāo)準(zhǔn)值,如50Ω、75Ω、100Ω和600Ω。

假設(shè)Z0一定,為50歐姆。(為什么是50歐姆,此處暫時(shí)不表;當(dāng)然也可以做其他假設(shè),便于理解,我們先定死為50Ω)。

那么,根據(jù)反射公式,我們得到一個(gè)重要的結(jié)論:


每一個(gè)Zin對(duì)應(yīng)唯一的 “?!保瓷湎禂?shù)。

我們把對(duì)應(yīng)關(guān)系描繪到剛剛我們說的“復(fù)平面”。

于是我們可以定義歸一化的負(fù)載阻抗:

8e92c7c0-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg
據(jù)此,將反射系數(shù)的公式重新寫為:

8ea50d2c-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

8eb94526-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

好了,我們?cè)趶?fù)平面里面,忘記Zin,只記得z(小寫)和反射系數(shù)“?!?。

準(zhǔn)備工作都做好了,下面我們準(zhǔn)備“彎了”

2.3 掰彎

8eee2e44-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg
在復(fù)平面中,有三個(gè)點(diǎn),反射系數(shù)都為1,就是橫坐標(biāo)的無窮大,縱坐標(biāo)的正負(fù)無窮大。歷史上的某天,史密斯老先生,如有神助,把黑色線掰彎了,把上圖中,三個(gè)紅色圈標(biāo)注的點(diǎn),捏到一起。

彎了,彎了

8f0e7bae-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg
圓了,圓了。

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完美的圓:

8f3e2ebc-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg
雖然,無窮大的平面變成了一個(gè)圓,但是,紅線還是紅線,黑線還是黑線。

同時(shí)我們?cè)?,原來的?fù)平面中增加三根線,它們也隨著平面閉合而彎曲。

8f518d86-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg
黑色的線上的阻抗,有個(gè)特點(diǎn):實(shí)部為0;(電阻為0)

紅色的線上的阻抗,有個(gè)特點(diǎn):虛部為0;(電感、電容為0)

綠色的線上的阻抗,有個(gè)特點(diǎn):實(shí)部為1;(電阻為50歐姆)

紫色的線上的阻抗,有個(gè)特點(diǎn):虛部為-1;

藍(lán)色的線上的阻抗,有個(gè)特點(diǎn):虛部為1;

8f779fda-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg
線上的阻抗特性,我們是從復(fù)平面,平移到史密斯原圖的,所以特性跟著顏色走,特性不變。

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下半圓與上班圓是一樣的劃分。

8ff9cce4-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg
因?yàn)槭访芩箞A圖是一種基于圖形的解法,所得結(jié)果的精確度直接依賴于圖形的精度。下面是一個(gè)用史密斯圓圖表示的RF應(yīng)用實(shí)例:

例:已知特性阻抗為50Ω,負(fù)載阻抗如下:

Z1= 100 + j50Ω

Z2= 75 - j100Ω

Z3= j200Ω

Z4= 150Ω

Z5= ∞ (an open circuit)

Z6= 0 (a short circuit)

Z7= 50Ω

Z8= 184 - j900Ω


對(duì)上面的值進(jìn)行歸一化并標(biāo)示在圓圖中(見圖5):

z1= 2 + j

z2= 1.5 - j2

z3= j4

z4= 3

z5= 8

z6= 0

z7= 1

z8= 3.68 - j18

我們看不清上圖。

如果是“串聯(lián)”,我們可以在清晰的史密斯原圖上,先確定實(shí)部(紅線上查找,原來復(fù)平面的橫坐標(biāo)),再根據(jù)虛部的正負(fù),順著圓弧滑動(dòng),找到我們對(duì)應(yīng)的阻抗。(先忽略下圖中的綠色線)

90177e10-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg
現(xiàn)在可以通過圓圖直接解出反射系數(shù)Γ。

我們既可以通過直角坐標(biāo),去直接讀取反射系數(shù)的值,也可以通過極坐標(biāo),讀取反射系數(shù)的值。

直角坐標(biāo)

畫出阻抗點(diǎn)(等阻抗圓和等電抗圓的交點(diǎn)),只要讀出它們?cè)谥苯亲鴺?biāo)水平軸和垂直軸上的投影,就得到了反射系數(shù)的實(shí)部Γr和虛部Γi (見圖6)。

該范例中可能存在八種情況,在圖6所示史密斯圓圖上可以直接得到對(duì)應(yīng)的反射系數(shù)Γ:

Γ1= 0.4 + 0.2j

Γ2= 0.51 - 0.4j

Γ3= 0.875 + 0.48j

Γ4= 0.5

Γ5= 1

Γ6= -1

Γ7= 0

Γ8= 0.96 - 0.1j



從X-Y軸直接讀出反射系數(shù)Γ的實(shí)部和虛部

極坐標(biāo)


極坐標(biāo)表示,有什么用?非常有用,這其實(shí)也是史密斯原圖的目的。

2.4 紅色陣營(yíng)VS綠色陣營(yíng)

剛剛我們已經(jīng)注意到,史密斯原圖,除了有紅色的曲線,是從阻抗復(fù)平面掰彎,過來的紅色世界。同時(shí),在圖中,還有綠色的曲線,他們是從導(dǎo)納復(fù)平面,掰彎產(chǎn)生的。過程跟剛剛的過程是一樣的。

那么這個(gè)導(dǎo)納的綠色,有什么用呢?

并聯(lián)電路,用導(dǎo)納計(jì)算,我們會(huì)很便利。同時(shí)在史密斯原圖中,我們用導(dǎo)納的綠色曲線進(jìn)行查詢,也會(huì)很方便。

9039bf5c-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg
90580728-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg
如圖,這樣并聯(lián)一個(gè)電容,通過綠色的曲線很快就可以查詢到對(duì)應(yīng)的歸一化阻抗和反射系數(shù)。

3、干什么?

解釋和介紹了史密斯圓圖這么長(zhǎng)的段落,別忘了,我們想干什么。我們實(shí)際是希望,我們?cè)O(shè)計(jì)的電路反射系數(shù)越接近0越好。

但是,什么樣的電路是合格的電路呢?反射系數(shù)不可能理想的為0,那么我們對(duì)反射系數(shù),有什么樣的要求呢?

我們希望反射系數(shù)的絕對(duì)值小于1/3,即反射系數(shù)落入史密斯圓圖的藍(lán)色區(qū)域中(如下圖)。

9070afbc-94be-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg
這個(gè)藍(lán)色的球,有什么特色呢?其實(shí)我們通過史密斯原圖的數(shù)值已經(jīng)清楚的發(fā)現(xiàn)。在中軸線,也就是之前說的紅線上,分別是25歐姆,和100歐姆兩個(gè)位置。即:Zin在1/2 Zo和2倍Zo之間的區(qū)域。

也就是,我們打靶打在藍(lán)色區(qū)域,即認(rèn)為反射系數(shù)是可以接受的。

關(guān)于史密斯圓圖還有很多有趣和有用的現(xiàn)象。歡迎大家留言探討

審核編輯 :李倩


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原文標(biāo)題:詳解:“史密斯圓圖”是怎么“掰彎”的??

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    制造中的退火工藝詳解

    退火工藝是晶制造中的關(guān)鍵步驟,通過控制加熱和冷卻過程,退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子,并改善材料的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。這些改進(jìn)對(duì)于確保晶在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶制造過程中扮演著至
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:35 ?2482次閱讀
    晶<b class='flag-5'>圓</b>制造中的退火工藝<b class='flag-5'>詳解</b>

    村田貼片電容的阻抗匹配問題如何解決?

    ,并結(jié)合史密斯圓圖等工具進(jìn)行精準(zhǔn)匹配設(shè)計(jì) 。以下為具體分析: 一、利用村田貼片電容的高頻特性優(yōu)化阻抗匹配 低ESL設(shè)計(jì) :村田通過優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu),將ESL(等效串聯(lián)電感)控制在極低水平。例如,07系列貼片電容的ESL≤0.3nH,0402封裝電容的ES
    的頭像 發(fā)表于 07-25 15:23 ?588次閱讀

    技術(shù)干貨 天線性能不達(dá)標(biāo)?VNA三招精準(zhǔn)診斷回波損耗、駐波比與阻抗!

    天線是無線系統(tǒng)的“咽喉”,但阻抗失配、反射功率激增、效率低下等問題如何快速定位?德思特?Bird BNA100矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)?通過三大核心測(cè)試——回波損耗、駐波比(VSWR)、史密斯圓圖阻抗分析,一鍵解鎖天線真實(shí)性能!
    的頭像 發(fā)表于 05-16 16:19 ?1026次閱讀
    技術(shù)干貨 天線性能不達(dá)標(biāo)?VNA三招精準(zhǔn)診斷回波損耗、駐波比與阻抗!

    PCB問這個(gè)問題好怕你們笑我:為啥我的損耗曲線是“”的?。?/a>

    ,小麗仿真出來的這個(gè)傳輸線的損耗曲線有點(diǎn)“”,怎么個(gè)法呢?就像下圖的這樣。 她記得看到公司SI的同事仿真的損耗曲線都是比較直和比較線性的啊,就像下圖一樣的直?。に贾y道又是仿真新手的犯錯(cuò)時(shí)間
    發(fā)表于 04-21 16:48

    詳解級(jí)可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)

    隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過直接在未封裝晶上施加加速應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)快速、低成本的可靠性評(píng)估,成為工藝開發(fā)的關(guān)鍵工具。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 09:50 ?1867次閱讀
    <b class='flag-5'>詳解</b>晶<b class='flag-5'>圓</b>級(jí)可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)

    一文詳解清洗技術(shù)

    本文介紹了晶清洗的污染源來源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。
    的頭像 發(fā)表于 03-18 16:43 ?1938次閱讀
    一文<b class='flag-5'>詳解</b>晶<b class='flag-5'>圓</b>清洗技術(shù)