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孫學(xué)良JACS:界面鍵合鹵化物實(shí)現(xiàn)快離子導(dǎo)電鹵化物框架

清新電源 ? 來(lái)源:清新電源 ? 2023-01-17 10:14 ? 次閱讀
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研究背景

由于與高壓正極的兼容性和良好的室溫離子導(dǎo)電性,三元鹵化物L(fēng)i–M–X(M=Y、In、Zr等;X=F、Cl、Br)固態(tài)電解質(zhì)(SSE)有望實(shí)現(xiàn)實(shí)用的固態(tài)電池。大多數(shù)報(bào)道的超離子鹵化物SSE具有[MC16]x?八面體的結(jié)構(gòu)模式,并生成四面體Li+擴(kuò)散路徑。如果氯化物電解質(zhì)中金屬元素離子半徑進(jìn)一步增加,結(jié)構(gòu)中的金屬鹵化物多面體將從六配位過(guò)渡到八或九配位。

圖1a顯示了一種具有九配位的稀土鹵化物MCl3(M=La–Sm),其中MCl3形成P63/M晶格,沿c軸具有一維(1D)空位通道。這些豐富的通道具有與沸石相似的孔徑,可能形成離子擴(kuò)散框架。通過(guò)引入游離的Li+,有望表現(xiàn)出良好的離子導(dǎo)電性。然而,由于MCl3中Li+和M3+的離子半徑之間失配較大,迄今為止尚未報(bào)道穩(wěn)定的Li3xM2–xCl6。

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圖 1、基于鹵化物的多孔框架結(jié)構(gòu)。(a)M的離子半徑與[MClx]多面體配位之間的關(guān)系。(b)典型沸石材料ZSM-5的晶格。(c)SmCl3晶格沿c軸的俯視圖。

成果簡(jiǎn)介

近日,西安大略大學(xué)孫學(xué)良、Tsun-Kong Sham教授聯(lián)合馬里蘭大學(xué)莫一非教授在Journal of the American Chemical Society上發(fā)表了題為“Superionic Conducting Halide Frameworks Enabled by Interface-Bonded Halides”的論文,報(bào)告了一類(lèi)新的類(lèi)沸石鹵化物骨架,如SmCl3,其中一維通道被[SmCl9]6–三棱柱包圍,以在兩個(gè)八面體之間提供2.08?的短跳躍距離,用于Li+跳躍。從頭計(jì)算分子動(dòng)力學(xué)模擬證明,Li+沿通道快速擴(kuò)散。與沸石類(lèi)似,SmCl3框架可以與鹵化物接枝,以獲得移動(dòng)離子,而不改變基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),在30°C下以LiCl作為吸附劑,實(shí)現(xiàn)了超過(guò)10–4S cm–1的離子電導(dǎo)率。此外,還證明了界面結(jié)合行為和離子擴(kuò)散在一類(lèi)框架材料中的普遍性。MCl3/鹵化物復(fù)合物(M=La–Gd)的離子電導(dǎo)率可能與接枝鹵化物的離子電導(dǎo)率、界面鍵合和骨架組成/尺寸相關(guān)。

研究亮點(diǎn)

(1)本工作通過(guò)理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn),首次研究了SmCl3框架中的Li+擴(kuò)散。從頭計(jì)算分子動(dòng)力學(xué)(AIMD)模擬證實(shí)了Li+在一維通道中的快速擴(kuò)散。

(2)球磨(BM)合成的SmCl3·0.5LiCl復(fù)合材料(BM-SmCl3·0.5 LiCl)在30°C下與共熔(CM)合成的復(fù)合材料(CM-SmCl3.0.5LiCl)和球磨LiCl(BM-LiCl)(兩者均為~10–8S/cm)相比,Li+電導(dǎo)率表現(xiàn)出顯著差異(~1×10–4S/cm)。

(3)具有接枝LiCl包覆層的SmCl3簇是電導(dǎo)率提高的原因。使用基于SmCl3框架的SSE組裝的全固態(tài)電池在室溫(RT)下表現(xiàn)出優(yōu)異的電化學(xué)性能。

圖文導(dǎo)讀

SmCl3具有UCl3型結(jié)構(gòu)(P63/m),Cl和Sm原子分別占據(jù)6h和2c Wyckoff位點(diǎn)。Sm與九個(gè)Cl配位,形成[SmCl9]6–三棱柱。共邊[SmCl9]6–多面體沿著c軸方向包圍八面體空隙組成的1D通道,具有類(lèi)沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的SmCl3晶格(圖1b,c)。

圖2a顯示,沿c軸具有1D六邊形通道,其內(nèi)徑約為4.52?,兩個(gè)相鄰陽(yáng)離子空位之間的距離約為2.08?。AIMD模擬期間Li+的概率密度顯示,一維擴(kuò)散通道中存在快速的Li+擴(kuò)散(圖2b)。圖2c 的Arrhenius圖顯示,該通道中Li+具有0.11±0.01 eV的低擴(kuò)散勢(shì)壘。

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圖 2、(a)SmCl3中的Li+擴(kuò)散路徑。(b)SmCl3的晶體結(jié)構(gòu)與Li+概率密度疊加。(d)BM-SmCl3·0.5LiCl、CM-SmCl3.0.5LiCl和BM-LiCl的Arrhenius圖。(e)不同溫度下BM-SmCl3·0.5LiCl SSE的電導(dǎo)率等溫線σ(ν)。(f)BM-SmCl3·0.5LiCl、CM-SmCl3·0.5LiCl、SmCl3和BM-SmCl3的XRD圖譜。

鑒于如此快速的離子擴(kuò)散,本工作利用CM和BM方法來(lái)合成含Li的SmCl3框架;LiCl被選擇為SmCl3框架提供Li+。圖2d顯示,在30°C時(shí),BM-SmPCl3·0.5LiCl的Li+電導(dǎo)率(1.2×10–4S/cm)顯著高于BM-LiCl(1×10–8S cm–1)和CM-SmCl3·0.5LiCl(3.1×10–8S cm–1)。

根據(jù)Jonscher冪定律(σ(ω)=σdc+aωn),BM-SmCl3·0.5LiCl中的離子輸運(yùn)由較高頻率的色散狀態(tài)(圖2e)反映,擬合n值為1,說(shuō)明離子擴(kuò)散可能是影響導(dǎo)電性能的主要因素。

圖2f的XRD圖顯示,BM-SmCl3·0.5LiCl和CM-SmCl2·0.5LiCl均以P63/m為主相,但CM-SmCl3·0.5LiCl中檢測(cè)到LiCl。因此,離子電導(dǎo)率差異的起源應(yīng)該是沿框架通道移動(dòng)的Li+的存在與否。

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圖 3、(a)基于同步加速器的XRD圖譜和精修結(jié)果:BM-SmCl3和BM-SmCl3·0.5LiCl。(b)BM-SmCl3·0.5LiCl的對(duì)分布函數(shù)和擬合結(jié)果。(c)BM-SmCl3和BM-SmCl3·0.5LiCl的差分對(duì)分布函數(shù)曲線。(d)帶k2加權(quán)的Sm L3邊EXAFS在R空間的傅里葉變換。(e)BM-SmCl3·0.5LiCl、BM-LiCl和LiCl的6Li-MAS NMR譜。(f)BM-SmCl3·0.5LiCl顆粒邊緣的HRTEM圖像。(g)結(jié)晶SmCl3區(qū)域的HR-HAADF-STEM圖像。(h)(g)中SmCl3晶粒的放大晶格條紋。

圖3a的同步XRD譜圖精修結(jié)果顯示,BM-SmCl3與BM-SmCl3·0.5LiCl的晶格參數(shù)沒(méi)有明顯差異。結(jié)合傅里葉變換(FT)和PDF分析的全散射技術(shù)能夠探測(cè)局部結(jié)構(gòu)和量化納米相。圖3b顯示了BM-SmCl3·0.5LiCl與實(shí)驗(yàn)PDF G(r)的擬合情況。使用SmCl3和LiCl組合模型,BM-SmCl3·0.5LiCl擬合良好,Rw=0.135。G(r)的精修表明,SmCl3(0.923±0.047)和LiCl(0.077±0.046)的擬合重量比與SmCl3和LiCl原料的化學(xué)計(jì)量重量比(0.924)非常一致,表明復(fù)合材料中LiCl的結(jié)晶度在機(jī)械力和SmCl3顆粒的存在下打破。

對(duì)BM-SmCl3·0.5LiCl和BM-SmCl3進(jìn)行差分對(duì)分布函數(shù)(d-PDF)分析(圖3c)。BM-SmCl3·0.5LiCl在2.85?處對(duì)應(yīng)于Sm-Cl間距的峰比BM-SmCl3的峰更強(qiáng)。這可能源于LiCl的Cl-與SmCl3納米簇之間的鍵合。圖3d中BM-SmCl3和BM-SmCl3·0.5LiCl的FT k2-加權(quán)χ(k)Sm L3邊 EXAFS光譜表明,在沒(méi)有相位校正的情況下,位于R?2.3 ?的主峰應(yīng)歸因于Cl-配位的背散射。BM-SmCl3·0.5LiCl在R空間具有比BM-SmCl3更強(qiáng)的峰。

圖3f中BM-SmCl3·0.5LiCl的高分辨率透射電鏡(HRTEM)圖像顯示,SmCl3晶粒以隨機(jī)取向分布在顆粒中,并通過(guò)非晶區(qū)域或短程微晶相互連接。在高角度環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電鏡(HAADF-STEM)圖像中,存在(010)SmCl3(圖3g,h)結(jié)晶區(qū)。

圖3e的6Li MAS光譜顯示,BM-LiCl和BM-SmCl3·0.5LiCl的光譜在?1.18ppm處顯示出一個(gè)強(qiáng)峰?;瘜W(xué)位移與固體LiCl相同,證實(shí)了LiCl在BM-SmCl3·0.5LiCl中的存在,而不會(huì)形成Li–Sm–Cl。BM LiCl樣品中-0.92 ppm處的低強(qiáng)度信號(hào)表明,機(jī)械處理形成了一些非晶材料。

圖4a的主體-吸附劑模型顯示,LiCl的長(zhǎng)程有序度和化學(xué)鍵在機(jī)械力下中斷,使得納米晶體或非晶LiCl通過(guò)BM接枝到SmCl3框架上,以提供沿著SmCl3通道跳躍的Li+。

在Cl 2p XPS光譜中(圖4b),BM-SmCl3顯示出兩組雙峰。紅色峰代表SmCl3中的體相Cl,而藍(lán)色峰可能來(lái)自表面物種。通過(guò)BM引入LiCl后,在BM-SmCl3·0.5LiCl中出現(xiàn)了一個(gè)新的雙峰(黃色峰),位于199.2和200.9eV處,這可歸因于Li–Cl鍵(或Li–Cl–Sm),表明LiCl在表面富集。在CM-SmCl3·0.5LiCl中,LiCl的表面富集減少。

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圖 4、(a)LiCl吸附在SmCl3簇上的主體-吸附劑模型示意圖。(b)BM-SmCl3、BM-SmCl3·0.5LiCl和CM-SmCl3·0.5LiCl的Cl 2p XPS譜。(c)TEY和FLY檢測(cè)模式下BM-SmCl3·0.5LiCl、BM-SmCl3和BM-LiCl的Cl k邊XANES區(qū)域。(d,e)BM-SmCl3·0.5LiCl在(d)TEY和(e)FLY中的線性組合擬合。(f)透射模式下BM-SmCl3·0.5LiCl和BM-SmCl3的Sm L3邊XANES區(qū)域。

接下來(lái),通過(guò)總電子產(chǎn)額(TEY)和熒光產(chǎn)額(FLY)模式研究了BM-SmCl3·0.5LiCl、BM-SmCl3和BM-LiCl的Cl K邊X射線吸收近邊結(jié)構(gòu)(XANES)光譜(圖4c)。前邊特征峰a′代表從Cl 1s到Cl 3p和Sm 5d混合態(tài)的轉(zhuǎn)變,而特征峰b′代表從Cl 1s至未占據(jù)Cl 4p態(tài)的轉(zhuǎn)變。由于Sm–Cl雜化,BM-SmCl3具有強(qiáng)的a′信號(hào),而B(niǎo)M-LiCl僅呈現(xiàn)b′峰。BM-SmCl3和BM-LiCl在TEY模式和FLY模式下除了由于自吸收效應(yīng)導(dǎo)致的強(qiáng)度收縮外,看起來(lái)都很相似。BM-SmCl3·0.5LiCl的b'在TEY中的強(qiáng)度要比FLY中強(qiáng)得多,表明其表面的LiCl濃度更高。

圖4d,e的定量分析顯示,從表面到體相,LiCl的貢獻(xiàn)從36%降低到20%,證實(shí)LiCl覆蓋SmCl3表面以形成核殼狀結(jié)構(gòu)。在傳輸檢測(cè)模式的Sm-L3邊XANES中,四個(gè)不同的特征峰標(biāo)記為c′、d′、e′和f′。特征峰c '和特征峰d '源于電偶極子,使得電子從Sm 2p軌道躍遷到包含Sm 5d特征的未占據(jù)態(tài)(2p64f65d0→2p54f65d1躍遷)。特征峰e(cuò)′和f′可歸屬于多重散射共振或向準(zhǔn)束縛態(tài)的躍遷。相對(duì)于BM-SmCl3,BM-SmCl3·0.5LiCl在閾值上方有一條明顯更尖銳的白線a’(圖4f)。

圖5a的差示掃描量熱法(DSC)顯示,445°C時(shí)的吸熱峰代表BM-SmCl3·0.5LiCl的熔化過(guò)程。在熔點(diǎn)之前,分別在150、300和360°C左右有一個(gè)放熱峰和兩個(gè)吸熱峰,表明存在多個(gè)亞穩(wěn)態(tài)相。圖5b顯示了BM-SmCl3·0.5LiCl在不同溫度下退火10小時(shí)后的離子電導(dǎo)率。退火溫度高于150°C時(shí),退火樣品的離子電導(dǎo)率顯著降低,對(duì)應(yīng)于第一個(gè)放熱峰。圖5c中BM-SmCl3·0.5LiCl@150°C的Sm L3邊特征峰c'的減小表明,SmCl3與LiCl之間的束縛態(tài)可能被破壞。圖5d的原位XRD顯示,隨著溫度的升高,檢測(cè)到三個(gè)亞穩(wěn)態(tài)晶相,即α-Li–Sm–Cl、β-Li–Sm–Cl和γ-Li–Sm–Cl。

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圖 5、(a)BM-SmCl3·0.5LiCl的DSC曲線。(b)BM-SmCl3·0.5LiCl在不同溫度下退火10 h的離子電導(dǎo)率。(c)透射模式下BM-SmCl3、BM-SmCl3·0.5LiCl和BM-SmCl3·0.5LiCl@150°C(150°C退火10 h)的Sm L3邊XANES區(qū)域。(d)BM-SmCl3·0.5LiCl在高溫下的原位XRD。(e)?60至200°C下,BM-SmCl3·0.5LiCl的7Li NMR光譜。(f)BM-SmCl3·0.5LiCl樣品7Li核磁共振中心躍遷線寬隨溫度的變化。(g)BM-SmCl3·0.5LiCl中擴(kuò)散誘導(dǎo)的7Li核磁共振SLR速率隨溫度的變化。

圖5e和圖5f分別定性和定量地確定了7Li靜態(tài)NMR譜線寬隨溫度的變化。在較低溫度(低于0°C)下,半峰寬(FWHM)較大。在0°C時(shí),F(xiàn)WHM突然下降。在0至140°C之間,F(xiàn)WHM隨溫度升高而逐漸降低。當(dāng)溫度高于140°C時(shí),F(xiàn)WHM隨溫度升高而增加。上述結(jié)果表明,材料在150℃以上經(jīng)歷了向亞穩(wěn)相的相變,并具有較低的Li+擴(kuò)散速率。

測(cè)量了實(shí)驗(yàn)室參考系(1/T1)中與溫度相關(guān)的7Li靜態(tài)自旋晶格弛豫(SLR)速率,以確定Li+擴(kuò)散活化能。圖5g顯示,在130°C時(shí)1/T1達(dá)到最大值,低溫狀態(tài)下ln(1/T1)與溫度(T)的關(guān)系圖滿(mǎn)足阿倫尼烏斯行為。對(duì)于BM-SmCl3·0.5LiCl樣品,低溫(EaLT)活化能低至0.063eV,對(duì)應(yīng)于短距離Li+擴(kuò)散。

此外,還用MCl3(M=La、Ce、Pr、Nd、Gd)取代了BM-SmCl3·0.5LiCl中的SmCl3,以證明離子擴(kuò)散行為在主體-吸附劑結(jié)構(gòu)中的普遍性。圖6a顯示,這些復(fù)合物都顯示出類(lèi)似的通道尺寸,并且Li+擴(kuò)散比純LiCl更快。進(jìn)一步將BM-SmCl3·0.5LiCl中的LiCl替換為L(zhǎng)iF、LiBr、LiI,甚至Li–M–Cl,如LiFeCl4、Li2ZrCl6和LiAlCl4(圖6b)。以SmCl3·0.5Li2ZrCl6為例,BM-Li2ZrCl6的衍射峰在用SmCl3進(jìn)行BM后消失(圖6c)。BM后,其離子電導(dǎo)率比BM前增加了約10倍,甚至高于純Li2ZrCl6SSE(圖6d)。

通過(guò)使用BM-SmCl3·0.5Li2ZrCl6作為SSE構(gòu)建ASSLIB,并選擇LiNi0.83Mn0.06Co0.11O2(NMC83)作為正極材料。圖6e顯示,該ASSLIB在0.5C下的充放電過(guò)程高度可逆,且電壓衰減較低。圖6f顯示,該ASSLIB能夠穩(wěn)定循環(huán)超過(guò)600次,容量保持率為85%。

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圖 6、(a) 30℃時(shí),不同骨架MCl3(M=La, Ce, Pr, Nd, Gd)在0.5 LiCl作用下的離子電導(dǎo)率。(b)在30°C下,不同鹵化物吸附劑耦合的SmCl3框架離子電導(dǎo)率。(c) SmCl3·0.5Li2ZrCl6球磨前后的XRD。(d)Li2ZrCl6和SmCl3·0.5Li2ZrCl6的Arrhenius圖(球磨前后)。使用NMC83正極和SmCl3·0.5Li2ZrCl6SSE的ASSLIB(e)不同循環(huán)的充放電曲線和(f)循環(huán)性能。

總結(jié)與展望

本工作報(bào)道了一種類(lèi)沸石鹵化物骨架,如SmCl3,其中1D通道被[SmCl9]6–三角棱鏡包圍,Li+在空位之間的跳躍距離低至2.08?。AIMD計(jì)算和原位NMR測(cè)量表明,沿通道存在快速的Li+擴(kuò)散。結(jié)合結(jié)構(gòu)和鍵合分析,提出了一種主體-吸附劑結(jié)構(gòu)模型,產(chǎn)生的離域Li+在SmCl3框架中的1D通道中移動(dòng)。在30°C下,BM-SmCl3·0.5LiCl和BM-SmCl3·0.5Li2ZrCl6SSE的離子電導(dǎo)率分別超過(guò)10–4S cm-1和10–3S cm-1。此外,這類(lèi)框架的界面鍵合行為和離子擴(kuò)散在不同鹵化物中具有普遍性。這項(xiàng)工作揭示了一類(lèi)快離子導(dǎo)體的鹵化物結(jié)構(gòu),將拓寬快離子導(dǎo)體的設(shè)計(jì)思路。

審核編輯 :李倩

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    以通過(guò)活化PDMS聚合和基片(玻璃片、硅片)的表面,改變材料表面的化學(xué)性質(zhì),提高表面能,增強(qiáng)PDMS與玻片或硅片之間的親和力,從而有利于的進(jìn)行。此外,等離子處理還能去除PDMS芯
    的頭像 發(fā)表于 01-09 15:32 ?975次閱讀

    什么是引線鍵合(WireBonding)

    生電子共享或原子的相互擴(kuò)散,從而使兩種金屬間實(shí)現(xiàn)原子量級(jí)上的。圖1在IC封裝中,芯片和引線框架(基板)的連接為電源和信號(hào)的分配提供了電路連接。有三種方式
    的頭像 發(fā)表于 01-06 12:24 ?1507次閱讀
    什么是引線<b class='flag-5'>鍵合</b>(WireBonding)

    Li3MX6全固態(tài)鋰離子電池固體電解質(zhì)材料

    ? ? 研究背景 Li3MX6族鹵化物(M = Y、In、Sc等,X =鹵素)是新興的全固態(tài)鋰離子電池固體電解質(zhì)材料。與現(xiàn)有的硫化固體電解質(zhì)相比,它們具有更高的化學(xué)穩(wěn)定性和更寬的電化學(xué)穩(wěn)定窗口
    的頭像 發(fā)表于 01-02 11:52 ?1564次閱讀
    Li3MX6全固態(tài)鋰<b class='flag-5'>離子</b>電池固體電解質(zhì)材料

    引線鍵合的基礎(chǔ)知識(shí)

    引線鍵合是一種將裸芯片的焊墊與封裝框架的引腳或基板上的金屬布線焊區(qū)通過(guò)金屬引線(如金線、銅線、鋁線等)進(jìn)行連接的工藝。 這一步驟確保了芯片與外部電路的有效電氣連接和信號(hào)傳輸。
    的頭像 發(fā)表于 01-02 10:18 ?2158次閱讀
    引線<b class='flag-5'>鍵合</b>的基礎(chǔ)知識(shí)

    微流控芯片技術(shù)

    和陽(yáng)極技術(shù)實(shí)現(xiàn)密封。這些方法雖然有效,但可能需要較高的溫度和處理時(shí)間,可能增加能耗和生產(chǎn)成本。 聚合材料(如PDMS和PMMA):這些材料因其便捷性和實(shí)用性,成為玻璃和聚合
    的頭像 發(fā)表于 12-30 13:56 ?890次閱讀

    帶你一文了解什么是引線鍵合(WireBonding)技術(shù)?

    ,這種是通過(guò)電子共享或原子擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)的。引線鍵合與封裝技術(shù)在集成電路(IC)封裝中,引線鍵合
    的頭像 發(fā)表于 12-24 11:32 ?2409次閱讀
    帶你一文了解什么是引線<b class='flag-5'>鍵合</b>(WireBonding)技術(shù)?

    有什么方法可以去除晶圓邊緣缺陷?

    去除晶圓邊緣缺陷的方法主要包括以下幾種: 一、化學(xué)氣相淀積與平坦化工藝 方法概述: 提供待的晶圓。 利用化學(xué)氣相淀積的方法,在晶圓的
    的頭像 發(fā)表于 12-04 11:30 ?584次閱讀
    有什么方法可以去除晶圓<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>邊緣缺陷?

    晶圓膠的與解方式

    晶圓是十分重要的一步工藝,本文對(duì)其詳細(xì)介紹。???????????????????????????? ? 什么是晶圓膠? 晶圓
    的頭像 發(fā)表于 11-14 17:04 ?3085次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>膠的<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>與解<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>方式

    鋁帶點(diǎn)根部損傷研究

    根部損傷的制程因素:不同型號(hào)鋁帶劈刀端面設(shè)計(jì)對(duì)點(diǎn)根部損傷的影響;鋁帶劈刀端面沾污積鋁會(huì)導(dǎo)致點(diǎn)根部損傷加??;導(dǎo)線管高度過(guò)高會(huì)導(dǎo)致第一焊點(diǎn)
    的頭像 發(fā)表于 11-01 11:08 ?2794次閱讀
    鋁帶<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>點(diǎn)根部損傷研究

    預(yù)鍍框架銅線的腐蝕失效分析與可靠性

    集成電路預(yù)鍍框架銅線封裝在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)第二點(diǎn)失效,通過(guò)激光開(kāi)封和橫截面分析,
    的頭像 發(fā)表于 11-01 11:08 ?2953次閱讀
    預(yù)鍍<b class='flag-5'>框架</b>銅線<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>的腐蝕失效分析與可靠性