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PDMS和硅片鍵合微流控芯片的方法

蘇州汶顥 ? 來源:jf_73561133 ? 作者:jf_73561133 ? 2025-01-09 15:32 ? 次閱讀
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鍵合PDMS和硅片的過程涉及幾個關(guān)鍵步驟和注意事項,以確保鍵合質(zhì)量和穩(wěn)定性。以下是基于提供的搜索結(jié)果的詳細(xì)解釋。
等離子處理工藝的作用
等離子處理工藝在PDMS和硅片鍵合中起著至關(guān)重要的作用。它可以通過活化PDMS聚合物和基片(玻璃片、硅片)的表面,改變材料表面的化學(xué)性質(zhì),提高表面能,增強(qiáng)PDMS與玻片或硅片之間的親和力,從而有利于鍵合的進(jìn)行。此外,等離子處理還能去除PDMS芯片、玻片和硅片表面的雜質(zhì),如灰塵、有機(jī)物殘留等,這些雜質(zhì)的存在會阻礙鍵合過程,降低鍵合質(zhì)量。
等離子處理工藝的具體步驟
準(zhǔn)備工作:確保PDMS芯片和玻片/硅片表面清潔。若表面有灰塵等雜質(zhì),可使用如3M透明膠帶來移除表面的顆粒或更為有效的把芯片放置在異丙醇溶液(IPA)內(nèi)并且使用超聲波來分離表面和PDMS孔洞內(nèi)部的不需要的顆粒。
暴露處理:將PDMS芯片和底片(通常是玻璃片或硅片)放入等離子處理設(shè)備中,選擇合適的反應(yīng)氣體(如氧氣),然后通過等離子體(如氧等離子體)處理來改變表面化學(xué)性質(zhì)。
鍵合操作:在等離子處理后,應(yīng)立即將PDMS芯片與玻片或硅片進(jìn)行貼合,因為經(jīng)過等離子處理后的PDMS表面活性持續(xù)時間較短(一般為1-10min),否則PDMS表面將很快恢復(fù)疏水性,從而導(dǎo)致鍵合失效。
等離子處理工藝的關(guān)鍵參數(shù)
射頻功率:射頻功率是影響等離子處理效果的重要參數(shù)。一般來說,射頻功率越大,潤濕性改善效果越好。但過高的射頻功率可能會過度改變PDMS表面的性能,影響后續(xù)的鍵合及其他性能。
處理時間:等離子體處理時間太短不會使整個表面發(fā)生功能化,導(dǎo)致鍵合效果不佳;而等離子體處理時間太長會強(qiáng)烈的改變PDMS表面的性能,使表面越粗糙且還會影響到粘接性能。
氧氣流量(反應(yīng)氣體流量):不同的射頻功率有其相應(yīng)的氧氣流量和處理時間以實現(xiàn)最佳的PDMS基板結(jié)合效果。氧氣流量的大小會影響等離子體的濃度和活性,進(jìn)而影響對PDMS和玻片/硅片表面的改性效果,對鍵合效果產(chǎn)生影響。
腔室內(nèi)氣體組成與污染:等離子清洗機(jī)腔室內(nèi)的氣體污染會影響鍵合效果。
注意事項
避免污染:所有污染都將高度影響表面處理的最終結(jié)果3。
等離子體時間:時間是表面處理和鍵合成功的關(guān)鍵因素。太短的等離子體處理時間不能使整個表面發(fā)生功能化;太長則會強(qiáng)烈改變PDMS表面性能,等離子體被激活時間越長,PDMS表面越粗糙且影響粘接性能。對于最強(qiáng)牢固粘接,最佳時間通常在20到60秒之間。
等離子體處理后的時間:等離子體處理后,表面化學(xué)鍵開始重組,幾分鐘后表面功能化活性下降,導(dǎo)致硅 - PDMS等離子體鍵合強(qiáng)度下降。所以必須在等離子體處理后立即做鍵合,不要在等離子體清洗機(jī)放氣之后還讓樣品留在腔室內(nèi),應(yīng)快速將硅片和PDMS放在一起。
通過遵循上述步驟和注意事項,可以有效地實現(xiàn)PDMS和硅片的鍵合,確保鍵合質(zhì)量和穩(wěn)定性。
免責(zé)聲明:文章來源汶顥www.whchip.com以傳播知識、有益學(xué)習(xí)和研究為宗旨。轉(zhuǎn)載僅供參考學(xué)習(xí)及傳遞有用信息,版權(quán)歸原作者所有,如侵犯權(quán)益,請聯(lián)系刪除。

審核編輯 黃宇

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