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半導(dǎo)體集成電路引線鍵合的技術(shù)有哪些?

科準(zhǔn)測控 ? 來源:科準(zhǔn)測控 ? 作者:科準(zhǔn)測控 ? 2023-02-02 16:25 ? 次閱讀
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引線鍵合(WireBonding)是一種使用細(xì)金屬線,利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊合,實(shí)現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下,引線和基板間會發(fā)生電子共享或原子的相互擴(kuò)散,從而使兩種金屬間實(shí)現(xiàn)原子量級上的鍵合。下面__科準(zhǔn)測控__小編就半導(dǎo)體集成電路引線鍵合主要材料、鍵合方式以及特點(diǎn)來為大家介紹一下!

在IC封裝中,芯片和引線框架(基板)的連接為電源信號的分配提供了電路連接。有三種方式實(shí)現(xiàn)內(nèi)部連接∶倒裝焊(Flip Chip Bonding)、載帶自動(dòng)焊(TAB 一Tape Automated Bonding)和引線鍵合(Wire Bonding)。雖然倒裝焊的應(yīng)用增長很快,但是目前90%以上的連接方式仍是引線鍵合。這個(gè)主要是基于成本的考慮。雖然倒裝焊能大幅度提升封裝的性能,但是過于昂貴的成本使得倒裝焊僅僅用于一些高端的產(chǎn)品上。事實(shí)上對于一般產(chǎn)品的性能要求,用引線鍵合已經(jīng)能夠達(dá)到。

焊線的目的是將晶粒上的接點(diǎn)以極細(xì)的金線(18~50μm)連接到引線架上的內(nèi)引腳。

從而將集成電路晶粒的電路信號傳輸?shù)酵饨纭.?dāng)引線架從彈匣內(nèi)傳送至定位后,應(yīng)用電子影 像處理技術(shù)來確定晶粒上各個(gè)接點(diǎn)以及每一接點(diǎn)所對應(yīng)的內(nèi)引腳上接點(diǎn)的位置,然后完成焊線的動(dòng)作,焊線示意圖如圖 2-7 所示。焊線時(shí),以晶粒上的接點(diǎn)為第一焊點(diǎn),內(nèi)引腳上的接點(diǎn)為第二焊點(diǎn),焊線焊點(diǎn)如圖 2-7a所示。首“先將金線的端點(diǎn)燒結(jié)成小球,而后將小球壓焊在第一焊點(diǎn)上(此稱為第一焊,F(xiàn)irst Bond), 如圖 2-7b 所示。接著依照設(shè)計(jì)好的路徑拉 金線,最后將金線壓焊在第二焊點(diǎn)上(此稱為第二焊,Second Bond),如圖2-7c所示。同時(shí)拉斷第二焊點(diǎn)與鋼嘴間的金線,完成一條金線線的焊線動(dòng)作。接著便又結(jié)成小球開始下一條金線的焊線動(dòng)作。

引線鍵合工程是引線架上的芯片與引線架之間用金線連接的工程。為了使芯片能與外界傳送及接收信號,就必須在芯片的接觸電極與引線架的引腳之間,一個(gè)一個(gè)對應(yīng)地用鍵合線連接起來,這個(gè)過程稱為引線鍵合。

1、引線鍵合的主要材料

鍵合用的引線對焊接的質(zhì)量有很大的影響,尤其對器件的可靠性和穩(wěn)定性影響更大。理想引線材料具有以下特點(diǎn):

  1. 能與半導(dǎo)體材料形成低電阻歐姆接觸。

(2)化學(xué)性能穩(wěn)定,不會形成有害的金屬間化合物。

(3)與半導(dǎo)體材料接合力強(qiáng)。

(4)可塑性好,容易實(shí)現(xiàn)鍵合。

(5)彈性小,在鍵合過程中能保持一定的幾何形狀。

金線和鋁線是使用最普遍的焊線材料。金性能穩(wěn)定,做出來的產(chǎn)品良率高鋁雖然便宜,但不穩(wěn)定,良率低。幾種主要的焊線對比如下:

(1)金線:使用最廣泛,傳導(dǎo)效率最好,但是價(jià)格也最貴,近年來已有被銅線取代的趨勢。

(2)鋁線:多用在功率型組件的封裝。

(3)銅線:由于金價(jià)飛漲,近年來大多數(shù)封裝廠積極開發(fā)銅線制程以降低成本。銅線對目前國內(nèi)的部分封裝廠來說,在中低端產(chǎn)品上還是比較經(jīng)濟(jì)的,但是需加保護(hù)氣體,剛性強(qiáng)。

(4)銀線:特殊組件所使用,在封裝工藝中不使用純銀線,常采用銀的合金線,其性能較銅線好,價(jià)格比金線要低,也需要用保護(hù)氣體,對于中高端封裝來說不失為一個(gè)好選擇。

銀線的優(yōu)勢∶一是銀對可見光的反射率高達(dá)90%,居金屬之冠,在LED應(yīng)用中有增光效果。二是銀對熱的反射或排除也居金屬之冠,可降低芯片溫度,延長LED壽命。三是銀線的耐電流性大于金和銅四是銀線比金線好管理(無形損耗降低),銀變現(xiàn)不易五是銀線比銅線好儲放(銅線需密封,且儲存期短,銀線不需密封,儲存期可達(dá)6~12個(gè)月)。

在目前的集成電路封裝中,金線鍵合仍然占大部分,鋁線鍵合也只是占了較少一部分,鋁線鍵合封裝只占總封裝的 5%,而銅線鍵合大概也只有 1%。另外,引線架提供封裝組件電、熱傳導(dǎo)的途徑,也是所有封裝材料中需求量最大的。引線架材料有鎳鐵合金、復(fù)合或披覆金屬、銅合金三大類。

焊接時(shí)還要用到一種很重要的結(jié)構(gòu),叫作微管,即毛細(xì)管,如圖 2-8 所示,是引線鍵合機(jī)上金屬線最后穿過的位置。金屬線通過微管與芯片或焊盤上相應(yīng)的位置進(jìn)行接觸,并完成鍵合作用。微管的尖端表面的性質(zhì)對于引線鍵合很重要,其表面主要分為 GM 和P型兩種。

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GM型:表面粗糙,在焊接時(shí),可以更好地傳遞超聲波能量,提高焊接的效果,但是容易附著空氣中的污染物,又影響焊接,降低使用壽命。

P型:表面光滑,不易附著灰塵和異物,對于超聲波的傳遞效果不是很好。

2、引線鍵合的方式與特點(diǎn)

引線鍵合的方式有熱壓焊、超聲焊、熱聲焊幾種。

  1. 熱壓焊(Thermocompression Bonding,T/C)的工藝過程是在一定溫度下,施加-定壓力,劈刀帶著引線與焊區(qū)接觸并達(dá)到原子間距,從而產(chǎn)生原子間作用力,達(dá)到鍵合的目的。

溫度:高于200C。

壓力.0.5~1.5N/點(diǎn)。

強(qiáng)度(拽扯脫點(diǎn)的拉力大小):0.05~009N。

(2)超聲焊(Ultrasonic Bonding)的工藝過程是刀在超聲波的作用下,在振動(dòng)的同時(shí)去除了焊區(qū)表面的氧化層,并與煤區(qū)達(dá)到原子間距,產(chǎn)生原子間作用。從而達(dá)到鍵合目的。

溫度:室溫。

壓力:小于0.5N/點(diǎn)。

強(qiáng)度:0.07N。

  1. 熱聲焊是超聲波熱壓焊接方式 (Thermosonic & Ultrasonic Bonding,U/S&T/S),熱聲焊原理如圖2-9所示,即在一定壓力、超聲波和溫度共同作用一定時(shí)間后,將金球壓接在芯片的鋁盤焊接表面《金絲球焊)。

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3、熱聲焊的意義如下:

①借助超聲波的能量,可以使芯片和劈刀的加熱溫度降低。金絲熱壓焊芯片溫度為330350℃,劈刀溫度為165℃。熱聲焊:芯片溫度為125300℃,劈刀溫度為125~165℃。

②由于溫度降低,可以減少金、鋁間金屬化合物的產(chǎn)生,從而提高鍵合強(qiáng)度,降低接觸電阻。

③可鍵合不能耐300℃以上高溫的器件。

④鍵合壓力、超聲功率可以降低一些。

⑤有殘余鈍化層或有輕微氧化的鋁壓點(diǎn)也能鍵合。

工藝過程:劈刀在加熱與超聲波的共同作用下,去除焊區(qū)表面的氧化層,達(dá)到鍵合的目的。

溫度:小于200℃。

壓力:0.5N/點(diǎn)。日報(bào)

強(qiáng)度∶0.09~0.1N。

注意:如溫度過高,芯片會變形,易形成氧化層;超聲焊和熱聲焊的焊接強(qiáng)度比熱壓焊強(qiáng)一些。

以上就是小編給大家分享的半導(dǎo)體集成電路引線鍵合主要材料、鍵合特點(diǎn)以及方法介紹了,希望對大家能有所幫助!如果您對半導(dǎo)體芯片、集成電路、推拉力測試機(jī)有任何不清楚的問題,歡迎給我們私信或留言,科準(zhǔn)測控的技術(shù)團(tuán)隊(duì)都會為大家解答!還想了解更多有關(guān)半導(dǎo)體集成電路的知識,敬請關(guān)注!

審核編輯 黃宇

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