導通電阻和Qg更低，有助于實現(xiàn)更低功耗
ROHM在以業(yè)界最快的trr（反向恢復時間）著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。PrestMOS與標準的超級結(jié)MOSFET相比，trr減少約60%，從而大大降低了開關損耗，促進了白色家電和工業(yè)設備等電機驅(qū)動器和變頻器應用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進一步降低導通電阻和Qg（柵極總電荷量）并降低損耗”為目標開發(fā)而成的。一般而言，導通電阻和Qg存在權衡關系，但利用ROHM獨有的工藝技術和優(yōu)化技術優(yōu)勢，實現(xiàn)了兩者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商標。
開關損耗和傳導損耗更低
R60xxMNx系列不僅保持了ROHM獨有的PrestoMOS高速trr性能，還大大降低了導通電阻和Qg。在搭載變頻器的空調(diào)等電機驅(qū)動應用案例中，與使用IGBT的情況相比，輕負載時的功率損耗可減少約56%。這對于近年來的APF（全年能效比）來說取得了非常顯著的改善效果。是一款高速trr使開關損耗降低、導通電阻更低使傳導損耗降低、Qg更低使驅(qū)動電流降低、而且高速性能更佳的系列新品。
逆變器和電機驅(qū)動器電路無需FRD
如前所述，該系列產(chǎn)品的trr比以往的標準型超級結(jié)MOSFET減少了60%。這得益于內(nèi)部二極管trr特性的顯著改善。特別是逆變器電路和電機驅(qū)動器電路的再生電流帶來的換流損耗取決于trr。普通的MOSFET和IGBT由于內(nèi)部二極管的trr慢、損耗增加而需要外置2個FRD（快速恢復二極管）。而PrestoMOS由于trr快、損耗更低當然就不需要再外置2個FRD。
R60xxMNx系列
| 封裝 | 用途 |
產(chǎn)品 名稱 |
極性 (ch) |
VDSS (V) |
ID (A) |
PD(W) (Tc＝25°C) |
RDS(on)(Ω) |
Qg Typ. (nC) |
trr (Typ.) (ns) |
驅(qū)動 電壓 (V) |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS＝10V | |||||||||||
| Typ. | Max | VGS＝10V | |||||||||
| TO-252 | 開關 | R6010MND3 | N | 600 | 10 | 143 | 0.28 | 0.38 | 20 | 80 | 10 |
| ☆R6008MND3 | 600 | 8 | 115 | 0.45 | 0.61 | 13.5 | 65 | ||||
| R6007MND3 | 600 | 7 | 95 | 0.54 | 0.73 | 10 | 60 | ||||
| TO-220FM | R6030MNX | 600 | 30 | 90 | 0.11 | 0.15 | 45 | 90 | |||
| ☆R6020MNX | 600 | 20 | 72 | 0.19 | 0.25 | 30 | 85 | ||||
| TO-3PF | R6047MNZ | 600 | 47 | 102 | 0.06 | 0.081 | 70 | 105 | |||
| TO-247 | R6076MNZ1 | 600 | 76 | 740 | 0.04 | 0.055 | 115 | 135 | |||
| R6047MNZ1 | 600 | 47 | 440 | 0.06 | 0.081 | 70 | 105 |
☆：開發(fā)中
審核編輯：湯梓紅
工商網(wǎng)監(jiān)
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