1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低的導(dǎo)通電阻和更高的開關(guān)頻率，能夠有效提高功率密度、減小系統(tǒng)體積提升整體效率，并有助于降低系統(tǒng)散熱與成本。

產(chǎn)品型號(hào)

P3M12040K4SG2

P3M12040K4S

P3M12040K4G2

P3M12030G7

P3M12018K4

P3M12018T7

P3M12030L8

I3M12045K4

P3M12080T7i

P3M12080L8

P3M12120K3

P3M12018PQ

P3M12040K4L

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

先進(jìn)的平面柵工藝及小元胞尺寸

低導(dǎo)通電阻與高載流能力

低開關(guān)損耗

良好的封裝與兼容性

強(qiáng)可靠性及車規(guī)級(jí)應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)

應(yīng)用領(lǐng)域

新能源發(fā)電及并網(wǎng)：光伏逆變器、風(fēng)電變流器

工業(yè)與能源存儲(chǔ)：儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)

電力傳輸與配電：低壓直流輸電(HVDC 輔助環(huán)節(jié))、直流配電網(wǎng)

數(shù)據(jù)中心 HVDC 供電系統(tǒng)：功率因數(shù)校正(PFC)電路、DC/DC 轉(zhuǎn)換模塊

電動(dòng)汽車及充電樁：高壓車載充電機(jī)(OBC)、直流快充樁

派恩杰 1200V 碳化硅 MOSFET 通過平衡性能與成本，為中高壓電力電子系統(tǒng)提供了高效、可靠的解決方案，尤其在新能源和能源轉(zhuǎn)型相關(guān)領(lǐng)域具有較強(qiáng)的應(yīng)用潛力。具體型號(hào)的參數(shù)(如導(dǎo)通電阻、電流等級(jí)等)可通過我們的官方網(wǎng)站查看 datasheet，以匹配您的具體應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

派恩杰半導(dǎo)體

成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商，國際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1，其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。