相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升

針對本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率，本文將會(huì)給出使用實(shí)際電源電路進(jìn)行評估的結(jié)果。具體而言，本文對Q1～Q4的MOSFET使用導(dǎo)通電阻約0.2Ω的五種快速恢復(fù)型SJ MOSFET時(shí)的結(jié)果進(jìn)行了比較。測試條件為輸入電壓_in=390V、輸出電壓V_out=12V、輸出電流I_out=10A～50A、開關(guān)頻率f_sw=100kHz。

如圖所示，結(jié)果顯示R6020JNX（紅色實(shí)線）在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)效率最高。R6020JNX是最新一代的PrestoMOS?，具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的高速t_rr和優(yōu)化的寄生電容。

此外，與比較對象R6020FNX（相當(dāng)于上一代產(chǎn)品）和其他MOSFET相比，柵極閾值電壓V_GS(th)更高，這會(huì)使誤導(dǎo)通導(dǎo)致的直通電流難以流過。通常，當(dāng)V_GS(th)高時(shí)，導(dǎo)通損耗會(huì)增加，但在PSFB電路中，可以在輕負(fù)載時(shí)調(diào)整Dead Time，在重負(fù)載時(shí)利用ZVS技術(shù)，來減少各自的導(dǎo)通損耗，因此，弱化了高V_GS(th)帶來的劣勢。

從這些方面來看，可以說要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB電路的效率，選擇t_rr盡可能小、開關(guān)特性優(yōu)異的SJ MOSFET很重要。