當今世界，人們需要隨時訪問數(shù)據(jù)及服務。隨著用戶對數(shù)據(jù)中心基礎設施的需求不斷增長，數(shù)據(jù)中心客戶始終在追求更高的性能及可靠性。

盡管全球領先的處理器及服務器供應商不斷推出性能更高的新一代平臺，但僅靠處理器的升級仍難以滿足客戶對性能及可靠性的需求，因為 DDR4 內存無法為不斷增長的處理器內核提供足夠高的帶寬。為此，半導體行業(yè)引入了 DDR5 內存，突破內存帶寬限制，助力擁有更多內核的服務器訪問可擴展的高性能內存，解鎖全部性能與能效。然而該技術需要平臺支持，因此并非所有的數(shù)據(jù)中心客戶都能采用突破性的 DDR5 內存。

如今，這一問題迎刃而解！2023 年 1 月 10 日，英特爾推出全新第四代英特爾至強可擴展處理器家族，提供了一系列新功能，包括首款支持 DDR5 內存的服務器處理器。這些新平臺能夠為關鍵任務、存內存儲和網絡工作負載提供更高的數(shù)據(jù)吞吐量。目前，多家服務器供應商正積極準備，希望借助英特爾平臺為數(shù)據(jù)中心客戶帶來全新的高性能系統(tǒng)。

DDR5 即將普及

美光致力于幫助客戶解決性能難題，領先的 DDR5 內存能夠助力客戶提升數(shù)據(jù)中心工作負載的性能及能效。美光與英特爾強強聯(lián)手，為客戶端和數(shù)據(jù)中心用戶提供一流的使用體驗，確保美光 DDR5 內存在英特爾至強可擴展處理器系列中按時完成大規(guī)模驗證。英特爾、美光和多家領先的服務器制造商現(xiàn)已在第四代英特爾至強可擴展處理器系列中完成了 16GB、32GB 和 64GB 的 DDR5 RDIMM 驗證，這些新系統(tǒng)將為客戶帶來超凡的性能及可擴展性。

在美光和其他半導體廠商的不懈努力下， JEDEC 為內存制定了可靠的標準和規(guī)范，使 DRAM 內存制造很大程度上實現(xiàn)了標準化。盡管如此，構建可靠的高性能服務器解決方案，仍需要整個生態(tài)系統(tǒng)密切合作。內存技術的發(fā)展對數(shù)據(jù)中心解決方案的演變至關重要，美光 DDR5 內存與第四代英特爾至強平臺打造的解決方案也經歷了一段漫長的旅程。

賦能至關重要

美光始終認為可靠的早期組件和平臺支持對系統(tǒng)供應商順利推出產品至關重要。為此，美光在 2020 年推出了面向 DDR5 的技術賦能計劃（TEP）。在該計劃中，美光開放了技術規(guī)格、熱力數(shù)據(jù)和其他關鍵信息的早期訪問權限，支持公司的合作伙伴在數(shù)據(jù)中心、客戶端、智能邊緣和云計算等方面，設計、開發(fā)并推出基于 DDR5 的計算平臺。截至目前，美光生態(tài)系統(tǒng)中已有 160 多家各具特色的公司在該平臺構建、測試和驗證他們的組件及系統(tǒng)。

近日，美光在新聞發(fā)布中展示了與英特爾的合作細節(jié)——從處理器啟動、初步驗證、共享工程樣片，到產品正式發(fā)布，美光內存是英特爾大批量驗證測試中不可或缺的一環(huán)。在合作中，108 種不同配置的美光內存在第四代英特爾至強可擴展處理器中進行了驗證，這對于優(yōu)化客戶體驗，并滿足客戶對可擴展性的需求至關重要。

美光很高興看到首批搭載 DDR5 的平臺現(xiàn)已上市。接下來，美光將繼續(xù)與英特爾及生態(tài)系統(tǒng)合作，測試并驗證下一代 DDR5（JEDEC 已制定了相關規(guī)范，未來 DDR5 的速率將逐步提升至 5600 MT/秒、6400 MT/秒 和 8800 MT/秒）。

性能提升

美光 DDR5 內存與第四代英特爾至強可擴展處理器平臺強強聯(lián)手，為用戶帶來了更高性能！美光及生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴將發(fā)布更多相關文章以說明 DDR5 為新一代處理器帶來的性能提升。我們可以通過以下示例先睹為快：

美光 DDR5，助力 SPECjbb 運行速度提高 1.48 倍

全新開發(fā)的 SPECjbb2015 基準測試工具可衡量 Java 網絡應用性能和可擴展性，與所有對 Java 服務器性能感興趣的公司和個人息息相關，例如 Java 虛擬機（JVM）供應商、硬件開發(fā)人員、Java 應用開發(fā)人員、研究人員和學者。此次測試所用的工作負載旨在模擬電子商務工作負載。

DDR4 系統(tǒng)內存帶寬可達每秒 408 GB；DDR5 系統(tǒng)內存帶寬可達每秒 614 GB。

用于測試此工作負載的軟件堆棧：

·SUSE Enterprise Linux（SLES）15 SP4（DDR5 系統(tǒng)）和 Alma Linux 9.0（DDR4 系統(tǒng)）

·SPECjbb 2015 v1.03 版本

測試設置：

·Dell PowerEdge R750 系統(tǒng)，美光 DDR4 3200 MHz 64 GB RDIMM，第三代英特爾至強可擴展處理器（40 核，3.4 GHz）

·Dell PowerEdge R760 系統(tǒng)，美光 DDR5 4800 MHz 64GB RDIMM，第四代英特爾至強可擴展處理器（56 核，3.8 GHz）

測試結果：

1.DDR4 內存系統(tǒng)（雙插槽 Dell PowerEdge R750 搭載第三代英特爾至強8380 鉑金處理器和美光 DDR4 3200 MHz 內存），可實現(xiàn)最高每秒 408 GB的帶寬，以及每秒 135269 次關鍵 Java 操作。

2.DDR5 內存系統(tǒng)（雙插槽 Dell PowerEdge R760 搭載第四代英特爾至強8480 鉑金處理器和美光 DDR5 4800 MHz 內存），可實現(xiàn)最高每秒 614 GB 的帶寬，以及每秒 200288 次關鍵 Java 操作。

可靠性提升

數(shù)據(jù)是客戶的寶貴資產，他們在期望獲得更高性能的同時，也需要通過更多功能以提升數(shù)據(jù)和服務的可靠性、完整性與可用性。美光 DDR5 在可靠性方面同樣為客戶提供了附加價值，其中幾項新功能可以增強傳統(tǒng)服務器的 RAS 功能：

·片上糾錯碼（ODECC）

·錯誤檢查與清除（ECS）

·同步刷新（Same bank refresh）

片上糾錯碼是 DDR5 規(guī)范中新增的功能，用于提高客戶使用質量并實現(xiàn)未來的可擴展性。憑借片上糾錯碼功能，DDR5 能夠將錯誤碼發(fā)送到主機 CPU/GPU 之前糾正所有單比特錯誤。該功能進一步完善了片上可靠性、可用性及可服務性 （RAS），減輕了許多高級服務器處理器中集成內存控制器的工作負擔。

片上糾錯碼的工作原理是：DDR5 每寫入 128 位數(shù)據(jù)，DRAM 就生成并保存一個 8 位代碼。當執(zhí)行讀取操作時，DRAM 會校驗組合的數(shù)據(jù)串，并糾正所有單比特錯誤。

此外，DDR5 還引入了錯誤檢查與清除（ECS）功能，當檢測到單比特錯誤時，設備會在內部糾正數(shù)據(jù)。ECS 可以在 24 小時內手動或自動運行一次。錯誤清除完畢后，DDR5 會報告已糾正的錯誤數(shù)。

最后，低延遲應用還可利用新引入的“同步刷新”功能，提升應用的可用性與響應能力。DDR4 在刷新時會鎖定所有 bank，DDR5 則能憑借細粒度 bank 刷新功能，實現(xiàn)更快的訪問速度?！巴剿⑿隆惫δ苤С謫未沃凰⑿乱粋€ bank，保證其他 bank 組處于可用狀態(tài)，以供處理器訪問數(shù)據(jù)。

以上僅為 DDR5 新功能的幾個示例，新一代 DDR5 內存還擁有更多其他優(yōu)勢。

DDR5 無處不在

英特爾近日推出的第四代英特爾至強可擴展處理器，大幅增加了基于 DDR5 的平臺可用性。主流的數(shù)據(jù)中心平臺客戶現(xiàn)可訪問新一代系統(tǒng)，享受超凡的性能、能效與可靠性。美光將繼續(xù)與整個生態(tài)系統(tǒng)合作，為新平臺和解決方案提供相應的 DDR5 內存產品，確保數(shù)據(jù)能夠在處理器內核數(shù)量大幅增長的情況下暢行無阻，為客戶提供真正的價值。

審核編輯：湯梓紅