先進封裝是指處于當(dāng)時最前沿的封裝形式和技術(shù)。目前，帶有倒裝芯片（Flip Chip， FC）結(jié)構(gòu)的封裝、圓片級封裝 （ Water Level Packege， WLP）、2.5D封裝、3D封裝等被認(rèn)為屬于先進封裝的范疇。

帶有倒裝芯片結(jié)構(gòu)的封裝是先在芯片上制作金屬凸點，然后將芯片面朝下利用焊料直接與基板互連，通常會使用底部填充（Under Fill）樹脂對熱應(yīng)力進行再分布來提高可靠性。其優(yōu)點是封裝面積減小，引線互連長度縮短，I / O端口數(shù)量增加。

WLP 是直接以晶片為加工對象，同時對晶片上的眾多芯片進行封裝及測試，最后切割成單顆產(chǎn)品，可以直接貼裝到基板或 PCB 上，其中主要工藝為再布線（Redistribution Layer， RDL）技術(shù)，包括濺射、光刻、電鍍等工序。WLP 的優(yōu)點是封裝產(chǎn)品輕薄短小，信號傳輸路徑更短，在生產(chǎn)方面可大大提高加工效率，降低成本。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，WLP 可分為扇入型（Fan一in）和扇出型（Fan-out）兩種。其中，產(chǎn)品尺寸和芯片尺寸在二維平面上一樣大的稱為扇入型，產(chǎn)品尺寸比芯片尺寸在二維平面上大的稱為扇出型。

2.5D 封裝是在2D封裝結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，在芯片和封裝載體之間加入了一個硅中介轉(zhuǎn)接層，該中介轉(zhuǎn)接層上利用硅通孔 （Through Silicon Via， TSV）連接其上、下表面的金屬，多采用倒裝芯片組裝工藝。由于采用了中介轉(zhuǎn)接層，其表面金屬層的布線可以使用與芯片表面布線相同的工藝，使產(chǎn)品在容量及性能上比2D結(jié)構(gòu)得到巨大提升。

3D結(jié)構(gòu)是將芯片與芯片直按堆疊，可采用引線鍵合、倒裝芯片或二者混合的組裝工藝，也可采用硅通孔技術(shù)進行互連。3D結(jié)構(gòu)進一步縮小了產(chǎn)品尺寸，提高了產(chǎn)品容量和性能。目前，散熱較差、成本較高是制約 TSV 技術(shù)發(fā)展的主要因素。

先進封裝被廣泛應(yīng)用于計算機、通信、消費類電子、醫(yī)療、航天等領(lǐng)域，推動著封裝技術(shù)及整個電子行業(yè)向前發(fā)展。目前，倒裝芯片、2.5D封裝、3D封裝主要用于存儲器、中央處理器（CPU）、圖像處理器（CPU）等;WLP 主要應(yīng)用于功率放大器、無線連接器件、射頻收發(fā)器等。

近幾年熱門的先進封裝技術(shù)為扇出型（Fan-out）封裝技術(shù)，主要有晶片級扇出 （ Wafer Level Fan-out）技術(shù)和大板級扇出 （Panel Level Fan-out）技術(shù)。該技術(shù)又可以衍生出扇出層疊封裝（Fan-out Package on Package） 等封裝技術(shù)。扇出結(jié)構(gòu)可以大幅增加I/O 端口數(shù)量，而利用晶片級或大板級工藝則可以提高生產(chǎn)效率，進一步降低生產(chǎn)成本，因此這是未來的發(fā)展趨勢。

審核編輯 ：李倩