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提升半導(dǎo)體光刻設(shè)備生產(chǎn)效率 佳能推出晶圓測(cè)量機(jī)新品

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2023-02-22 15:38 ? 次閱讀
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來源:佳能

在日趨復(fù)雜的先進(jìn)半導(dǎo)體制造工序中實(shí)現(xiàn)高精度的校準(zhǔn)測(cè)量

佳能于2023年2月21日推出半導(dǎo)體制造用晶圓測(cè)量機(jī)“MS-001”,該產(chǎn)品可以對(duì)晶片進(jìn)行高精度的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量※1。

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在邏輯和存儲(chǔ)器等尖端半導(dǎo)體領(lǐng)域,制造工序日趨復(fù)雜,晶片更容易發(fā)生翹曲等形變。為了制造出高精度的半導(dǎo)體元器件,需要準(zhǔn)確測(cè)量晶片的變形情況,并使用數(shù)臺(tái)半導(dǎo)體光刻設(shè)備將多達(dá)數(shù)層的電路圖進(jìn)行高精度套刻,然后再進(jìn)行曝光。為了實(shí)現(xiàn)高精度套刻,晶片表面用于定位的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記由數(shù)個(gè)增加至數(shù)百個(gè)。為此,分別在每臺(tái)半導(dǎo)體光刻設(shè)備中對(duì)數(shù)百個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)量就非常耗時(shí),從而降低了半導(dǎo)體光刻設(shè)備的生產(chǎn)效率。隨著新產(chǎn)品的應(yīng)用,可以在晶片運(yùn)送至半導(dǎo)體光刻設(shè)備之前統(tǒng)一完成大部分的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量,減輕在半導(dǎo)體光刻設(shè)備中進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)量操作的工作量,從而提高半導(dǎo)體光刻設(shè)備的生產(chǎn)效率。

1. 借助區(qū)域傳感器和調(diào)準(zhǔn)用示波器新光源,可實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的高精度測(cè)量。

新產(chǎn)品“MS-001”所搭載的調(diào)準(zhǔn)用示波器安裝有區(qū)域傳感器,可以進(jìn)行多像素測(cè)量,降低測(cè)量時(shí)的噪音。另外,“MS-001”還可以對(duì)多個(gè)種類的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行測(cè)量。通過采用新開發(fā)的調(diào)準(zhǔn)用示波器光源,新產(chǎn)品可提供的波長(zhǎng)范圍比在半導(dǎo)體光刻設(shè)備中※2測(cè)量時(shí)大1.5倍,能夠以用戶所需的任意波長(zhǎng)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)量。因此,相較于在半導(dǎo)體光刻設(shè)備中所進(jìn)行的測(cè)量,“MS-001”所能實(shí)現(xiàn)的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量精度要更高。

2.通過使用“Lithography Plus”實(shí)現(xiàn)預(yù)測(cè)性曝光校正

通過引進(jìn)解決方案平臺(tái)“Lithography Plus”(2022年9月上市),可以將有關(guān)半導(dǎo)體光刻設(shè)備和“MS-001”的運(yùn)轉(zhuǎn)情況的相關(guān)信息集中到“Lithography Plus”中。將“MS-001”在半導(dǎo)體器件的制造工藝中所獲取的測(cè)量數(shù)據(jù)和“Lithography Plus”所集中的信息進(jìn)行對(duì)照監(jiān)測(cè),就可以檢測(cè)出晶片表面對(duì)準(zhǔn)信息的變化,并在半導(dǎo)體光刻設(shè)備上進(jìn)行自動(dòng)校正。這樣就可以實(shí)現(xiàn)從對(duì)準(zhǔn)測(cè)量到曝光工序的集中管理,為降低CoO※3做貢獻(xiàn)。

※1. 制造半導(dǎo)體時(shí)要對(duì)多層電路圖進(jìn)行重疊,為了定位,對(duì)晶片上用于對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)記、即對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行測(cè)量的工作叫對(duì)準(zhǔn)測(cè)量。

※2. 與佳能現(xiàn)有半導(dǎo)體光刻設(shè)備相比較。(截至2023年2月21日)

Cost of Ownership的簡(jiǎn)寫。是半導(dǎo)體生產(chǎn)所需要的總成本的指標(biāo)。

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【應(yīng)用新產(chǎn)品后提高生產(chǎn)效率效果示意圖】

尖端半導(dǎo)體的生產(chǎn)需要進(jìn)行100~700點(diǎn)的多點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)測(cè)量,如果引進(jìn)“MS-001”的話,可以提高半導(dǎo)體光刻設(shè)備的生產(chǎn)效率,為用戶降低CoO做貢獻(xiàn)。

〈主要特點(diǎn)〉

借助區(qū)域傳感器和調(diào)準(zhǔn)用示波器新光源,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的高精度測(cè)量。

l“MS-001”所搭載的調(diào)準(zhǔn)用示波器安裝有區(qū)域傳感器,可以進(jìn)行多像素測(cè)量,降低測(cè)量時(shí)的噪音。另外,它還可以對(duì)多個(gè)種類的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行測(cè)量。

l通過采用新開發(fā)的調(diào)準(zhǔn)用示波器光源,“MS-001”可提供的波長(zhǎng)范圍比在半導(dǎo)體光刻設(shè)備中測(cè)量時(shí)大1.5倍,能夠以用戶所需的任意波長(zhǎng)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)量。因此,其所進(jìn)行的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量比在半導(dǎo)體光刻設(shè)備中所進(jìn)行的測(cè)量精度要更高。

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調(diào)準(zhǔn)用示波器的構(gòu)造(示意)

通過使用“Lithography Plus”實(shí)現(xiàn)預(yù)測(cè)性曝光校正

通過引進(jìn)解決方案平臺(tái)“Lithography Plus”(2022年9月上市),可以將有關(guān)半導(dǎo)體光刻設(shè)備和“MS-001”的運(yùn)轉(zhuǎn)情況的相關(guān)信息集中到“Lithography Plus”中。將“MS-001”在半導(dǎo)體器件的制造工藝中所獲取的測(cè)量數(shù)據(jù)和“Lithography Plus”所集中的信息進(jìn)行對(duì)照監(jiān)測(cè),就可以檢測(cè)出晶片上對(duì)準(zhǔn)信息的變化,在半導(dǎo)體光刻設(shè)備上進(jìn)行自動(dòng)校正。這樣就可以對(duì)從對(duì)準(zhǔn)測(cè)量到曝光的各個(gè)工序進(jìn)行集中管理,為降低CoO做貢獻(xiàn)。

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Lithography Plus使用示意

〈半導(dǎo)體光刻設(shè)備用檢測(cè)設(shè)備的市場(chǎng)動(dòng)向〉

在邏輯、存儲(chǔ)器、CMOS傳感器等尖端半導(dǎo)體領(lǐng)域,制造工序日趨復(fù)雜,半導(dǎo)體設(shè)備制造工廠為了制造出高精度的半導(dǎo)體元器件,需要提高套刻的精度,因而曝光前要測(cè)量的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量點(diǎn)也越來越多。如果在半導(dǎo)體光刻設(shè)備中對(duì)數(shù)量眾多的測(cè)量點(diǎn)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)量的話,測(cè)量本身會(huì)非常耗時(shí),進(jìn)而就會(huì)降低半導(dǎo)體光刻設(shè)備的生產(chǎn)效率。

為此,半導(dǎo)體制造領(lǐng)域引進(jìn)了晶圓測(cè)量機(jī),將半導(dǎo)體光刻設(shè)備的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量功能分離出來,以此來確保生產(chǎn)的高精度和生產(chǎn)效率。預(yù)計(jì)未來對(duì)高精度晶圓測(cè)量設(shè)備的需求將會(huì)增長(zhǎng)。(佳能調(diào)查)

(關(guān)于調(diào)準(zhǔn)用示波器)

是一種可以讀取晶片上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記并進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的設(shè)備。光刻設(shè)備要對(duì)電路圖進(jìn)行多次重復(fù)曝光。其定位精度是非常準(zhǔn)確的。如果不能對(duì)已經(jīng)曝光的下層部分進(jìn)行準(zhǔn)確定位的話,整個(gè)電路的質(zhì)量會(huì)降低,進(jìn)而導(dǎo)致生產(chǎn)良品率的降低。如果用高爾夫來比喻其精度的話,它就相當(dāng)于從東京到夏威夷的距離實(shí)現(xiàn)“一桿入洞”。

審核編輯黃宇

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